互绝缘，还可沉积形成一第二绝缘层 50于所述散热块41之间。其中，所述第二绝缘层50包括填满所述第二通道47的第一填充 部51及铺设所述基板40的上表面的第二填充部53,然后通过蚀刻的方式去除第二绝缘层 50的第二填充部53而使二散热块41的上表面裸露。
[0024] 步骤f，形成包覆所述L邸晶粒10的封装层60于所述基板40的底面。
[00巧]请参阅图13,所述封装层60由绝缘透明胶体形成，形成在基板40的底面并包裹L邸晶粒10及第一绝缘层30下端的封装层60。可W理解的，在其它实施例中，其也可W有 透镜胶体混合英光粉形成。
[0026] 如此，发光二极管封装体制造完成。
[0027] 如此，本发明的发光二极管封装体包括一LED晶粒10、形成在LED晶粒10 -侧表 面第一绝缘层30、穿过第一绝缘层30而直接安装在L邸晶粒10上的二导电块20、被第一 填充部51绝缘且分别直接与二导电块20的二散热块41及形成在L邸晶粒10另一侧表面 并将LED晶粒10封装在内的一封装层60。
[002引本发明中，因由高导热材料形成的基板40、位于封装层60外且直接与导电块20接 触，如此其能够不受封装层60的制约而直接、快速的向外散发LED晶粒10的热量；进一步 的，因为第一绝缘层30的厚度小于20微米而具有良好的热传导，所WLED晶粒10发出的 热量可同时通过第一绝缘层30传导至基板40的向外散发。因此，通过如此方法制成的发 光二极管封装体因能够快速散发热量而具有稳定的性能。
[0029] 可W理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可W根据本发明的技术构思做 出其它各种相应的改变与变形，而所有送些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范 围。
【主权项】
1. 一种发光二极管封装体的制造方法，包括如下步骤： a、 提供LED晶粒，并在所述LED晶粒的上表面形成有间隔设置的导电块； b、 形成第一绝缘层于所述LED晶粒的上表面且所述第一绝缘层包裹所述导电块于其 内； c、 蚀刻第一绝缘层的顶端直至露出导电块，从而使第一绝缘层顶端形成对应导电块的 第二通孔； d、 形成基板于所述第一绝缘层远离LED晶粒的上表面并填充所述第一绝缘层的第二 通孔而直接与导电块接触，所述基板由高导热材料制成； e、 分割所述基板成二绝缘的散热块； f、 形成包覆所述LED晶粒的封装层于所述基板的底面。2. 如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：所述基板的厚度 小于50微米。3. 如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层 厚度小于20微米。4. 如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：步骤a中，所述导 电块通过如下方式形成： 在所述LED晶粒的上表面形成第一光阻层； 利用黄光微影蚀刻第一光阻层的相对两端直至裸露出LED的上表面，从而在第一光阻 层上形成间隔的第一通孔； 利用电镀或溅镀的方式在第一光阻层上形成一导电金属层，所述导电金属层具有填满 第一通孔的导电块； 剥离所述第一光阻层及除导电块外的导电金属层而使导电块位于LED晶粒的上表面。5. 如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：步骤c通过如下 方式实现： 在第一绝缘层远离LED的上表面上形成一第二光阻层，并通过黄光微影蚀刻的方式自 上而下去除部分第二光阻层直至第二光阻层上形成通孔而裸露出第一绝缘层； 沿第二光阻的通孔方向采用干蚀刻的方式蚀刻第一绝缘层的顶端直至裸露出导电块 从而在第二光阻层上形成间隔的第二通孔，然后通过光阻去除剂去除剩余的第二光阻层。6. 如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：步骤e通过如下 方式实现： 在所述基板远离LED晶粒的一侧表面涂覆形成一第三光阻层，并利用黄光微影蚀刻第 三光阻层中部直至裸露出基板的上表面而在第三光阻层中部形成一第一通道； 沿第一通道的高度方向自上而下蚀刻基板，直至裸露出第一绝缘层，然后通过光阻去 除剂去除剩余的第三光阻层，基板内形成有自上而下的第二通道，所述第二通道将所述基 板分割成间隔的二散热块。7. 如权利要求6所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：进一步形成一第 二绝缘层于第二通道内。8. -种发光二极管封装体，其特征在于：包括LED晶粒、形成于LED晶粒一侧表面且相 互绝缘的导电块、相互绝缘且分别直接与导电块接触的散热块及形成在LED晶粒相对的另 一侧表面并将所述LED晶粒包裹在内的封装层。9. 如权利要求8所述的发光二极管封装体，其特征在于：还包括直接形成于所述LED 晶粒的第一绝缘层，所述导电块穿过所述第一绝缘层而相互绝缘。10. 如权利要求8所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述第一绝缘层厚度小于20 微米。
【专利摘要】一种发光二极管封装体的制造方法，包括如下步骤：a、提供LED晶粒，并在所述LED晶粒的上表面形成有间隔设置的导电块；b、形成第一绝缘层于所述LED晶粒的上表面且所述第一绝缘层包裹所述导电块于其内；c、蚀刻第一绝缘层的顶端直至露出导电块，从而使第一绝缘层顶端形成对应导电块的第二通孔；d、形成基板于所述第一绝缘层远离LED晶粒的上表面并填充所述第一绝缘层的第二通孔而直接与导电块接触，所述基板由高导热材料制成；e、分割所述基板成二绝缘的散热块；f、形成包覆所述LED晶粒的封装层于所述基板的底面。本发明还涉及由此方法制造的发光二极管封装体。
【IPC分类】H01L33/64, H01L33/48, H01L33/00
【公开号】CN105428495
【申请号】CN201410442162
【发明人】黄建翔, 洪梓健
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2014年9月2日
【公告号】US9368673, US20160064595