混合量均在本发明的优选方式(方式3及方式4)的范围内。进而，表8所示 的R-T-B系烧结磁体的组成均在本发明的R-T-B系烧结磁体的组成范围内。
[0249] [表7]
[0250]
[0255]如表9所示，将添加合金粉末和主合金粉末混合而制作R-T-B系烧结磁体的试样 如.100~140均具有心2 1.3431\且!^2 14581^/111的高磁特性。
[0256] <实施例5>
[0257] 使用Nd金属、Pr金属、Dy金属、硼铁合金、电解Co、Al金属、Cu金属、Ga金属、及电解 铁(金属纯度均为99%以上）按照成为表10所示的组成的方式将添加合金粉末及主合金粉 末配合，将这些原料熔化，利用带式铸造法进行铸造，获得厚度为0.2~0.4_的片状的原料 合金。在氢加压气氛下对获得的片状的原料合金进行氢脆化后，在真空中加热至550°C，实 施冷却脱氢处理，获得粗粉碎粉。将获得的添加合金的粗粉碎粉末和主合金的粗粉碎粉末 按照规定的混合量投入V型混合机并混合，获得混合合金粉末。在获得的混合合金粉末中相 对于粗粉碎粉100质量％添加、混合0.04质量％的作为润滑剂的硬脂酸锌后，使用气流式粉 碎机(喷射式粉碎机装置)在氮气流中进行干式粉碎，获得粒径D50为4μπι的微粉碎粉的混合 合金粉末。需要说明的是，粉碎时，通过在氮气中混合大气来调节粉碎时的氮气中的氧浓 度。不混合大气时，粉碎时的氮气中的氧浓度为50ppm以下，通过混合大气，使氮气中的氧浓 度增加到最大1600ppm，制作了各种氧量的微粉碎粉。需要说明的是，粒径D50为通过基于气 流分散法的激光衍射法获得的体积基准中值粒径。此外，表11中的〇(氧量）、N(氮量）、C(碳 量)通过与实施例1同样的方法测定。
[0258] 在将添加合金粉末和主合金粉末混合而获得的微粉碎粉(混合合金粉末）中，相对 于微粉碎粉100质量％添加、混合0.05质量％的作为润滑剂的硬脂酸锌后，通过与实施例1 同样的方法制作成形体，进而通过与实施例1同样的方法进行烧结、热处理。对热处理后的 烧结磁体实施机械加工，通过与实施例1同样的方法测定各试样的B r及Hcj。测定结果如表12 所示。
[0259] 所制作的在本发明的制造方法中使用的添加合金粉末和主合金粉末的组成如表 10所示。进而，将表10的添加合金粉末和主合金粉末混合而获得的R-T-B系烧结磁体的组成 如表11所不。表11中的试样No. 150是使用将表10的F合金粉末(添加合金粉末)和F-1合金粉 末(主合金粉末)和F-2 (主合金粉末)混合而成的混合合金粉末来制作R-T-B系烧结磁体，混 合合金粉末的混合量是:在混合合金粉末100质量％中，添加合金粉末(F) :4%、主合金粉末 (F-l)48%、主合金粉末(F-2)48%。进而，试样如.151是使用将表10的？合金粉末(添加合金 粉末)和F-3合金粉末(主合金粉末)和F-4合金粉末(主合金粉末)混合而成的混合合金粉末 来制作R-T-B系烧结磁体，混合合金粉末中的添加合金粉末的混合量是：在混合合金粉末 1〇〇质量％中，添加合金粉末(F) :4%、主合金粉末(F-l)48%、主合金粉末(F-2)48%。试样 No. 152~158也同样是利用表11所示的混合合金粉末的组合及混合合金粉末的混合量制 作。即，本实施例是使用将1种添加合金粉末和2种主合金粉末混合而成的混合合金粉末来 制作R-T-B系烧结磁体的。需要说明的是，表10所示的添加合金粉末及主合金粉末的组成、 表11所示的添加合金粉末的混合量均在本发明的优选方式(方式3及方式4)的范围内。进 而，表11所示的R-T-B系烧结磁体的组成均在本发明的R-T-B系烧结磁体的组成范围内。
[0260] [表 10]
[0261]
[0266] 如表12所示，将1种添加合金粉末和2种主合金粉末混合而制作R-T-B系烧结磁体 的试样吣.150~158均具有心2 1.4291\且此2 14951^/111的高磁特性。
[0267]产业上的利用可能性
[0268]本发明的R-T-B系烧结磁体可以优选用于混合动力汽车用、电动汽车用发动机。
【主权项】
1. 一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，用下述式(1)表示， uRwBxGayCuzAlqM(10〇-u-w_x-y-z-q)T (1) R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一 种，1'为？6，并能够用(：〇置换以质量比计为10%以下的？6，]/[为仙和/或21'，11、'\￥、1、7、2、9及 100_u-w_x_y_z_q表示质量％， 所述RH为R-T-B系烧结磁体的5质量％以下，满足下述式(2)~(5)， 0.20<x<0.70 (2) 0.07<y<0.2 (3) 0.05<z<0.5 (4) 0<q<0.1 (5) 在将R-T-B系烧结磁体的氧量以质量％计设为α、将氮量以质量％计设为β、将碳量以质 量％计设为γ时，ν=ιι-(6α+1〇β+8γ)， 在0.40 <0.70时，v、w满足下述式(6)及(7)， 50w-18.5<v<50w-14 (6) -12.5w+38.75<v<-62.5w+86.125 (7) 在0.20<x<0.40时，v、w满足下述式(8)及(9)，x满足下述式（10)， 50w-18.5<v<50w-15.5 (8) -12.5w+39.125 <v<-62.5w+86.125 (9) -(62.5w+v-81.625)/15+0·5 <-(62.5w+v-81.625)/15+0.8(10)。2. 根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在于，在0.40 <x< 0.70时，v、w满足 下述式（11)及(7)， 50w-18.5<v<50w-16.25 (11) -12.5w+38.75 <v<-62.5w+86.125 (7) 在0.20<x<0.40时，v、w满足下述式（12)及(9)，x满足下述式（10)， 50w-18.5<v<50w-17.0 (12) -12.5w+39.125 <v<-62.5w+86.125 (9) -(62.5w+v-81.625)/15+0·5 <-(62.5w+v-81.625)/15+0.8(10)。3. 根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在于，氧量为0.15质量％以下。4. 一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，所述R-T-B系烧结磁体用下述式（1) 表不， uRwBxGayCuzAlqM(10〇-u-w_x-y-z-q)T (1) R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一 种，T为Fe，能够用Co置换10%以下的Fe，M为Nb和/或Zr，u、w、x、y、z、q及100-u-w-x-y-z-q表 示质量％， 所述RH为R-T-B系烧结磁体的5质量％以下，满足下述式(2)~(5)， 0.20<x<0.70 (2) 0.07<y<0.2 (3) 0.05<z<0.5 (4) 0<q<0.1 (5) 在将R-T-B系烧结磁体的氧量以质量％计设为α、将氮量以质量％计设为β、将碳量以质 量％计设为γ时，ν=ιι-(6α+1〇β+8γ)， 在0.40 <0.70时，v、w满足下述式(6)及(7)， 50w-18.5<v<50w-14 (6) -12.5w+38.75 <v<-62.5w+86.125 (7) 在0.20<x<0.40时，v、w满足下述式(8)及(9)，x满足下述式（10)， 50w-18.5<v<50w-15.5 (8) -12.5w+39.125 <v<-62.5w+86.125 (9) -(62.5w+v-81.625)/15+0.5 <x<-(62.5w+v-81.625)/15+0.8(10) 所述制造方法包含： 准备包含1种以上的添加合金粉末和1种以上的主合金粉末的工序， 将1种以上的添加合金粉末以在混合后的混合合金粉末100质量％中为0.5质量％以上 且40质量％以下的方式混合，获得1种以上的添加合金粉末和1种以上的主合金粉末的混合 合金粉末的工序， 对所述混合合金粉末进行成形而获得成形体的成形工序， 对所述成形体进行烧结而获得烧结体的烧结工序，和 对所述烧结体实施热处理的热处理工序， 所述1种以上的添加合金粉末分别具有用下述式（13)表示、满足下述式（14)~（20)的 组成， aRbBcGadCueAlfM(100-a-b-c-d-e-f)T(13) R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一 种，作为余量的T为Fe，可以用Co置换以质量比计为10%以下的Fe，M为Nb和/或Zr，a、b、c、d、 e、f及 100-a-b-c-d-e-f表示质量％， 32% <a<66% (14) 0.2%<b(15) 0.7% <c< 12% (16) 0% <d<4% (17) 0% <e< 10% (18) 0% <f<2% (19) 100-a-b-c-d-e-f< 72.4b (20) 所述1种以上的主合金粉末的Ga含量为0.4质量％以下。5.根据权利要求4所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，在0.40 <X< 0.70 时，v、w满足下述式（11)及(7)， 50w-18.5<v<50w-16.25 (11) -12.5w+38.75 <v<-62.5w+86.125 (7) 在0.20<x<0.40时，v、w满足下述式（12)及(9)，x满足下述式（10)， 50w-18.5<v<50w-17.0 (12) -12.5w+39.125 <v<-62.5w+86.125 (9) -(62.5w+v-81.625)/15+0·5 <-(62.5w+v-81.625)/15+0.8(10)。6.根据权利要求4或5所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，R-T-B系烧结磁体的 氧量为0.15质量％以下。
【专利摘要】提供抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体及其制造方法。一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqMT表示，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－14、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－15.5、－12.5w+39.125≤v≤－62.5w+86.125，x为－(62.5w+v－81.625)/15+0.5≤x≤－(62.5w+v－81.625)/15+0.8。
【IPC分类】C22C38/00, H01F1/08, B22F3/00, H01F1/057, C22C33/02, H01F41/02
【公开号】CN105453195
【申请号】CN201480043014
【发明人】石井伦太郎, 国吉太, 佐藤铁兵
【申请人】日立金属株式会社
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月11日
【公告号】EP3035346A1, US20160189837, WO2015022946A1