一种。
[0132] 两重嵌段共聚物具有结构A-b-B或者A-B，其中嵌段A与嵌段B直接或者通过结构单 元b彼此联结。三重嵌段共聚物具有结构A-b-B-b-A或者A-B-A，所述结构示出嵌段A与嵌段B 和嵌段A的顺序。三重嵌段的共聚物或者也称为三重嵌段共聚物，具有结构A-b-B-b-C或者 A-B-C，所述结构具有嵌段A与嵌段B和嵌段C的顺序。五重嵌段共聚物具有结构A-b-B-b-C-b-B-b-A或者A-B-C-B-A，所述结构具有嵌段A、嵌段B、嵌段C、嵌段B和嵌段A的顺序。多嵌段 共聚物具有结构单元_(AB) n-或者-(A-b-B)n-，其中嵌段A和B以数量η在多嵌段共聚物中交 替地重复。在嵌段共聚物中的所有实施方式中，嵌段直接地或者通过结构单元b彼此联结。
[0133] 三嵌段共聚物例如具有两个聚氧化乙烯嵌段和一个位于这两个嵌段之间的聚丙 烯嵌段并且具有下述结构式：
[0135] X在此表示相应的聚氧化乙稀嵌段的单体单元的数量，并且y在此表示聚丙稀嵌段 的单体单元的数量。
[0136] 根据一个实施方式，耦合输出元件的基体材料能够包括至少两个嵌段共聚物或者 多个嵌段共聚物。基体材料例如能够是由两重嵌段和三重嵌段共聚物构成的混合物。不同 的嵌段共聚物彼此间的聚合同样是可行的。
[0137] 图4示意性地示出两重嵌段共聚物的相分离。两重嵌段共聚物包括至少一个第一 嵌段(71)和至少一个第二嵌段(72)，所述第一嵌段和第二嵌段的区别在于物理特性、例如 极性。第一嵌段(71)例如是亲水性的而第二嵌段(72)是疏水性的。由于这种双极性的特性， 处于微相中的嵌段分离，例如通过添加选择性的溶剂而分离，并且形成周期性的纳米结构 和/或形貌和/或中间相。纳米结构和/或形貌和/或中间相与未分离的嵌段共聚物相比具有 不同的物理和/或机械特性。特别地，至少一个嵌段共聚物形成高阶的方形的或者六边形的 布置。
[0138] 图5示意性地示出两重嵌段共聚物的可能的中间相，所述两重嵌段共聚物具有至 少一个第一嵌段(71)和至少一个第二嵌段(72)，所述第一嵌段例如是亲水性的，所述第二 嵌段例如是疏水性的。替选地，第一嵌段能够是疏水性的而第二嵌段能够是亲水性的。具有 亲水性的和疏水性的嵌段的两性的嵌段共聚物在低的浓度下在选择性的溶剂中从特定的 CMC(临界胶束浓度)起形成胶束结构(在此未示出）。水是最常见的溶剂。CMC对于嵌段共聚 物而言在l(T 9mol/l至l(T4mo 1/1的范围中。作为中间相优选球形结构。能够构成柱形的或懦 虫状的胶束结构以及小泡(在此未示出）。嵌段共聚物胶束典型地具有l〇nm至lOOnm的直径。 如果提高嵌段共聚物浓度，那么得到溶致相，主要是立方(73,77)的、六边形(74,78)的和叠 片(76，80)的相。叠片的相具有嵌段共聚物双重层，所述嵌段聚合物双重层必要时通过溶剂 彼此分离。在六边形的相(74,78)中，柱形的胶束设置在二维的六边形的晶体中。优选的中 间相是:其中球形的胶束设置在立方结构中的立方的相(73,77);六边形的相(74,78)和/或 双连续的立方的或螺旋形结构(75，79)，其中除了溶剂外疏水性的部分也以彼此连接成使 得仍保持立方对称性。根据第一嵌段与第二嵌段的体积分数，第一嵌段能够占据嵌段共聚 物的较小的子体积而第二嵌段占据较大的子体积并且反之亦然。从体积分数中通过如下方 式得出中间相:例如第一嵌段占据较小的子体积而第二嵌段占据较大的子体积(73,74,75， 76)。在相反的情况下，形成倒置的中间相，其中第一嵌段占据较大的子体积而第二嵌段占 据较小的子体积(77，78，79，80)。
[0139] 通过聚集为中间相，嵌段共聚物的位于末端的基团彼此在空间上靠近。因此有助 于嵌段共聚物的位于末端的基团的化学反应，使得在耦合输出元件的基体材料中可优选地 并且简单地产生至少一个分离相。中间相能够附加地具有散射光的特性。由此提高了光电 子器件中的光耦合输出和效率。
[0140] 这些实施方案不受限于两重嵌段共聚物。更确切地说，所述实施方案也能够应用 于三重嵌段共聚物、五重嵌段共聚物直至多重嵌段共聚物。
[0141] 本发明不受限于根据实施例进行的描述或者所给出的特征组合，更确切地说，本 发明也包括每个新的特征以及所给出的特征的任意组合，这尤其是包含在权利要求中的特 征的任意组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在权利要求或者实施例中说明时也是 如此。
[0142] 本专利申请要求德国专利申请102013013129.4的优先权，所述德国专利申请的公 开内容就此通过参引并入本文。
【主权项】
1. 一种光电子器件，包括： -至少一个具有有源区域的有机功能层，所述有源区域发射电磁辐射， -耦合输出元件，所述耦合输出元件设置在所发射的电磁辐射的射束路径中， -其中所述耦合输出元件包括基体材料和至少一个设置在其中的分离相或者多个分离 相，所述分离相与所述基体材料不同， -其中所述分离相的折射率小于所述基体材料的折射率，并且 -其中通过所述基体材料中的所述分离相在所述耦合输出元件中产生所述电磁辐射的 散射。2. 根据上一项权利要求所述的光电子器件，其中所述基体材料包括嵌段共聚物，其中 所述嵌段共聚物包括至少一个第一嵌段，所述第一嵌段具有第一单体单元的至少一个热不 稳定的基团，由所述基团能够在所述基体材料中产生至少一个分离相，并且其中所述嵌段 共聚物包括至少一个第二嵌段，其中所述第二嵌段具有第二单体单元的至少一个反应性的 能交联的基团。3. 根据上述权利要求所述的光电子器件，其中所述分离相是气态的和/或液态的。4. 根据上述权利要求所述的光电子器件，其中所述耦合输出元件的折射率大于或等于 1.65〇5. 根据上述权利要求所述的光电子器件，其中在所述分离相中聚集有第一化合物，所 述第一化合物选自：N2、C02、CO、N0X、NH3、水、极性化合物和非极性化合物。6. 根据上述权利要求所述的光电子器件，其中分布在所述基体材料中的所述分离相分 别具有5nm至5μπι之间的大小。7. 根据上述权利要求所述的光电子器件，其中所述基体材料选自：单体的有机化合物、 低聚的有机化合物、聚合的有机化合物和嵌段共聚物。8. 根据权利要求7所述的光电子器件，其中至少一个嵌段共聚物包括至少一个第一嵌 段，所述第一嵌段具有第一单体单元的至少一个热不稳定的基团。9. 根据权利要求8所述的光电子器件，其中能够由所述第一单体单元的热不稳定的基 团在所述基体材料中产生至少一个分离相。10. 根据权利要求7所述的光电子器件，其中所述嵌段共聚物包括至少一个第二嵌段， 其中所述第二嵌段具有第二单体单元的至少一个反应性的能交联的基团。11. 一种用于制造根据权利要求1至10所述的光电子器件的方法，所述方法包括下述方 法步骤： A) 提供衬底， B) 将親合输出元件施加在所述衬底上方， C) 产生由至少一个有机功能层和/或其它功能层构成的层结构， -其中所述耦合输出元件在所述衬底上方构成为所述层结构的层中的一个和/或构成 为不属于所述层结构的层，并且 -其中在方法步骤B之后在所述耦合输出元件的所述基体材料中构成至少一个分离相。12. 根据权利要求11所述的用于制造光电子器件的方法，其中所述耦合元件的所述基 体材料中的至少一个所述分离相通过热处理、通过借助于电磁辐射的处理和/或通过添加 起始材料产生。13. 根据权利要求11和12所述的用于制造光电子器件的方法，其中所述方法步骤B附加 地包括方法步骤B' ： B'）将发酵剂混入到所述基体材料中， -其中所述发酵剂在施加所述耦合输出元件之后热分解和/或通过辐射分解并且形成 第一化合物，所述第一化合物与所述基体材料不同， -其中所述第一化合物在所述基体材料中形成至少一个分离相，并且 -其中所述发酵剂选自：碱金属的碳酸氢盐、碱土金属的碳酸氢盐、碳酸氢钠(NaHC03)和 碳酸氢铵(NH4HCO3)。14. 根据权利要求11至13所述的用于制造光电子器件的方法，所述方法在所述方法步 骤B、B'或者C之后包括下述附加的方法步骤： D)将所述基体材料交联。15. 根据权利要求11至14所述的用于制造光电子器件的方法，其中在所述方法步骤C之 前或之后产生第一化合物，所述第一化合物形成所述分离相。16. 根据权利要求11至15所述的用于制造光电子器件的方法，其中所述基体材料的位 于末端的基团化学分解和/或所述基体材料的位于末端的基团与所述基体材料的其它的位 于末端的基团化学反应并且在此构成至少一个分离相。
【专利摘要】本发明涉及一种光电子器件(100)，包括：至少一个具有有源区域的有机功能层(30)，所述有源区域发射电磁辐射；和耦合输出元件(50)，所述耦合输出元件设置在所发射的电磁辐射的射束路径中，其中耦合输出元件(50)包括基体材料(52)和至少一个设置在其中的分离相或者多个分离相(51)，所述分离相与所述基体材料(52)不同，其中分离相(51)的折射率小于基体材料(52)的折射率，并且其中通过基体材料(52)中的分离相(51)在耦合输出元件(50)中产生电磁辐射的散射。
【IPC分类】H01L51/52
【公开号】CN105453296
【申请号】CN201480045003
【发明人】蒂洛·罗伊施, 丹尼尔·斯特芬·塞茨, 冈特·施密德, 尼纳·里格尔, 托马斯·多贝廷
【申请人】欧司朗Oled股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月5日
【公告号】DE102013013129A1, US20160172630, WO2015018837A1