化。第一无机包封层 131可以包括氮化硅（SiN x)。第二无机包封层132可以包括氧化硅（SiOx)。第三无机包封 层133可以包括氮氧化硅（SiON)。
[0048] 可以通过化学气相沉积（CVD)形成第一无机包封层131、第二无机包封层132和 第三无机包封层133。例如，可以通过等离子体增强CVD (PECVD)形成第一无机包封层131、 第二无机包封层132和第三无机包封层133。当通过溅射形成无机包封层时，第二电极123 可能受损而引起在其中出现黑斑等。因此，在第二电极123与薄膜包封层130之间需要形 成由有机材料形成的覆层和LiF层。然而，根据实施例，当形成第一无机包封层131、第二无 机包封层132和第三无机包封层133时，可以通过CVD形成这些无机包封层以大大地减小 对第二电极123的损坏。因此，在没有形成诸如覆层或LiF层的保护层的情况下，可以在第 二电极123上直接形成薄膜包封层130,例如，第一无机包封层131。
[0049] 有机包封层134可以形成在第三无机包封层133上。有机包封层134可以包括聚 合物类材料。聚合物类材料可以是丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。有机 包封层134可以减小在薄膜包封层130中的内应力，补偿第三无机包封层133和第四无机 包封层135的缺陷，并且使第三无机包封层133和第四无机包封层135平坦化。
[0050] 第四无机包封层135可以形成在有机包封层134上。第四无机包封层135可以包 括SiN x并可以通过CVD形成。第三无机包封层133和第四无机包封层135是阻挡外部湿气 和氧的阻挡层。外部湿气和氧首先由第四无机包封层135阻挡，并其次由第三无机包封层 133阻挡。尽管两个无机包封层（即第三无机包封层133和第四无机包封层135)在本实施 例中用作阻挡件，但是在另一示例性实施例中仅第四无机包封层135可以用作阻挡件。
[0051] 在根据示例性实施例的有机发光二极管显示器100中，构成薄膜包封层130的无 机包封层被形成为满足下面将描述的条件。因此，可以增强有机发光二极管显示器100的 发光效率，同时使构成薄膜包封层130的层数最少化。下面将参照图3至图6详细地描述 增强有机发光二极管显示器100的发光效率的无机包封层的特性。
[0052] 第一无机包封层131的折射率可以设定为高于第二无机包封层132的折射率，使 得从有机发射层产生的光被第一无机包封层131和第二无机包封层132放大，并被发射到 外面。从有机发射层产生的光的一部分穿过第二电极123和薄膜包封层130,然后朝向外 面发射，并且由于形成在第二电极123上的第一无机包封层131的折射率与第二无机包封 层132的折射率之间的差，一些光被反射。反射的光被反射并被第一电极121和/或第二 电极123放大。由于这种共振效应，可以改善有机发光二极管显示器100的发光效率。
[0053] 第一无机包封层131的折射率与第二无机包封层132的折射率之间的差越大，由 于共振效应可以被放大的光的量越多。然而，如图3中所示，第一无机层131的消光系数k 趋向于随着其折射率η增大以指数方式增大。随着第一无机包封层131的折射率η增大， 被第一无机包封层131吸收的光的量增加。因此，当光被吸收时发光效率减小的程度大于 当光共振时发光效率增大的程度。此问题很大程度出现在如图4中示出的相对短波长的蓝 光波段。
[0054] 为了解决此问题，根据示例性实施例，第一无机包封层131被形成为使得在波峰 为455nm的蓝光波长范围时其折射率η在2. 1至2. 3的范围内并且其消光系数k在0. 02 至0. 07的范围内。当第一无机包封层131的折射率η和消光系数k没有在以上范围内时， 与根据对比示例的图5的不具有光共振结构的有机发光二极管显示器10相比，发光效率降 低了大约6%至12%。根据对比示例的图5的有机发光二级管显示器10包括在第二电极 123上顺序形成的由有机材料形成的覆层31、LiF层和薄膜包封层40。薄膜包封层40包括 第一无机层41、有机层42和第二无机层43。
[0055] 根据示例性实施例，第一无机包封层131可以具有在蓝光波长下2. 1至2. 3的折 射率n、0. 02至0. 07的消光系数k以及大约5〇〇A个:1000A的厚度。当第一无机包封层131 的厚度没有在上面的范围内时，有机发光二极管显示器100的发光效率低于有机发光二极 管显示器10的发光效率，如图6中所示。
[0056] 第二无机包封层132可以形成为使得其折射率低于第一无机包封层131的折射率 n，并且第一无机包封层131的折射率与第二无机包封层132的折射率之间的差是0. 6至 〇. 9。由于折射率会根据波长改变，所以当第一无机包封层131的折射率与第二无机包封层 132的折射率之间的差不在上面的范围内时，红光、绿光和蓝光被折射的程度很大地增大。 因此，在侧视角度很大程度上会发生色移。
[0057] 第三无机包封层133的折射率可以被设定为使得第三无机包封层133的折射率和 与其邻近的层的折射率之间的差是相同的或大体上相同的。更具体地说，第三无机包封层 133的折射率与邻近层（例如，第二无机包封层132和/或有机包封层134)的折射率之间 的差可以小于0. 3。当第三无机包封层133的折射率与邻近层的折射率之间的差等于或大 于0. 3时，光可以在第三无机包封层133与邻近层之间的界面处很大程度上被折射，从而导 致在侧视角度发生色差并降低发光效率。
[0058] 根据一个或更多个实施例，薄膜包封层130可以直接地形成在OLED 120上而未设 置覆层和LiF层。而且，与有机发光二极管显示器10相比，可以用数量少的工艺并以低成 本制造有机发光二极管显示器100,其中，有机发光二极管显示器100的发光效率等于或大 于根据对比示例的有机发光二极管显示器10的发光效率。
[0059] 如上所述，根据上面的示例性实施例中的一个或更多个，可以改善有机发光二极 管显示器的发光效率。
[0060] 在这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但是仅以一般性的和描述 性的含义来使用和解释它们，而非出于限制性的目的。在某些情况下，如截止到本申请提交 时本领域的普通技术人员将清楚的是，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以 单独地使用，或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有特别指 明。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的本发明的精神和范 围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器包括： 有机发光显示器装置，包括第一电极、中间层以及第二电极，所述中间层包括有机发射 层； 第一无机包封层，在所述第二电极上； 第二无机包封层，在所述第一无机包封层上；以及 有机包封层，在所述第二无机包封层上； 其中，所述第一无机包封层的折射率高于所述第二无机包封层的折射率，并且 其中，所述第一无机包封层具有在蓝光波长下0. 02至0. 07的消光系数和2. 1至2. 3 的折射率。2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一无机包封层 具有50臭至請0ΘΑ的厚度。3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一无机包封层 与所述第二无机包封层的折射率之间的差是〇. 6至0. 9。4. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一无机包封层 和所述第二无机包封层包括硅基材料。5. 根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一无机包封层 包括氮化硅。6. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一无机包封层 直接地在所述第二电极上。7. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括 在所述第二无机包封层和所述有机包封层之间的第三无机包封层。8. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一无机包封层、 所述第二无机包封层和所述第三无机包封层包括硅基材料。9. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其特征在于： 所述第三无机包封层的折射率与所述有机包封层的折射率之间的差小于〇. 3,并且 所述第三无机包封层的折射率与所述第二无机包封层的折射率之间的差小于〇. 3。10. -种制造有机发光二极管显示器的方法，其特征在于，所述方法包括： 在有机发光显示装置上形成第一无机包封层，所述第一无机包封层具有在蓝光波长下 0. 02至0. 07的消光系数和2. 1至2. 3的折射率， 其中，所述有机发光显示装置包括： 第一电极； 中间层，形成在所述第一电极上并包括有机发射层；以及 第二电极，形成在所述中间层上； 在所述第一无机包封层上形成第二无机包封层，其中，所述第二无机包封层的折射率 小于所述第一无机包封层的折射率； 在所述第二无机包封层上形成有机包封层；以及 在所述有机包封层上形成第四无机包封层， 其中，形成所述第一无机包封层和形成所述第二无机包封层的步骤以原位法执行。
【专利摘要】提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法，所述有机发光二极管显示器包括：有机发光显示装置，包括第一电极、包括有机发射层的中间层和第二电极；第一无机包封层，在第二电极上；第二无机包封层，在第一无机包封层上；以及有机包封层，在第二无机包封层上。第一无机包封层的折射率高于第二无机包封层的折射率。第一无机包封层具有在蓝光波长下0.02至0.07的消光系数和2.1至2.3的折射率。
【IPC分类】H01L51/52
【公开号】CN105470405
【申请号】CN201510616578
【发明人】金宰贤, 朴龙晙, 李济鎬
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年9月24日
【公告号】US20160093828