使用的是由透射型电子显微 镜(TEM)拍摄的粉末2的剖面图像。详细地说，就是从由TEM观察到的无数的粉末2之中，在可 W确认金属粉末4与皮膜6的边界的状态下拍摄10个视野。在由拍摄取得的照片中，测定金 属粉末4被皮膜6包覆的长度（W下，也称为包覆长度。）及金属粉末4的表面的长度。在本申 请中，用包覆长度除W金属粉末4的表面的长度，并W百分率表示，运一数值表示为包覆率 C。
[0044] 在图1中，两箭头T表示皮膜6的厚度。在本申请中，厚度T是对于粉末2的截面用透 射型电子显微镜(TEM)拍摄10个视野，由根据该被拍摄的截面图像所取得的测定值的平均 值表示。还有，拍摄时，对于作为试料的粉末2,通过聚焦离子束(FIB)加工进行调整，W使粉 末2的截面可观察。
[0045] 皮膜6的厚度T，影响到使用粉末2形成的磁性构件的电磁波吸收特性和电磁波屏 蔽特性。若此厚度T为1皿W上，则所成形的磁性构件的绝缘电阻提高。运种情况下，实部导 磁率y'进一步提高，并且相比实部导磁率y'在高频侧可见的虚部导磁率护的降低进一步得 到抑制。从运一观点出发，该厚度T优选为InmW上，更优选为IOnmW上，进一步优选为20nm W上。若该厚度T为200nmW下，则磁性构件中所含的粉末2的填充率（由无数的粉末2构成的 基材粉体的体积相对于分散有运些粉末2的树脂或橡胶的体积之比）提高。运种情况下，实 部导磁率y'进一步提高，并且进一步抑制虚部导磁率护的降低。从运一观点出发，该厚度T 优选为200nm W下，更优选为IOOnmW下，进一步优选为70nm W下。
[0046] 如前述，在该粉末2中，皮膜6也可W包含铁醇盐类和娃醇盐的混合物的聚合物。因 此，该皮膜6也可W包含铁和娃的氧化物。因为不仅铁醇盐类，而且含有娃醇盐类，所W可W 在更恰当的反应速度下聚合。娃有助于电磁波屏蔽特性和电磁波吸收特性。通过该娃的添 加，金属粉末4与皮膜6的密接性提高。由此，将粉末2混合到树脂和橡胶中制造组合物时，或 者由该组合物成形磁性构件时，可防止皮膜6从金属粉末4的剥离。根据本方式，能够得到电 磁波屏蔽特性和电磁波吸收特性优异的磁性构件。
[0047] 被膜6含有娃时，从得到电磁波屏蔽特性和电磁波吸收特性优异的磁性构件运一 观点出发，优选皮膜6所含的铁的质量对于娃的质量的比A为2W上且6W下，更优选为3.5W 上且5.5W下。若该比在6W下，则皮膜6的密接性提高。若皮膜6的密接性提高，则在树脂和 橡胶中填充或混合粉末2时，皮膜6从金属粉末4上的剥离被抑制，因此绝缘电阻提高，电磁 波屏蔽特性和电磁波吸收特性进一步提高。从形成稳定的皮膜6的观点出发，该比A更优选 为5.5W下。若该比A在m上，则皮膜6中所含的Si成分适量，皮膜6的密接性提高。在运种情 况下，也是从形成稳定的皮膜6的观点出发，该比A更优选为3.5W上。
[004引【实施例】
[0049] W下，通过实施例阐明本发明的效果，但不应该基于该实施例的记述限定性地解 释本发明。
[00加]实施例Al~A36和比较例Al~Aio
[0051] 使用了皮膜由含有铁醇盐类的物质的聚合物构成的磁性构件用扁平粉末的磁性 构件的制作及评价，W如下方式进行。
[0052] [磁性片(磁性构件)的制作]
[0053] 在磁性片的制作之前，先制作下述的表1和2所示的各例的粉末。在该粉末的制作 中，准备由无数的金属粉末构成的粉体（10kg)。对于该粉体W磨碎机进行处理，对各金属粉 末实施扁平加工。还有，作为该金属粉末，使用Fe-3mass%Si粉末和Fe-9.5mass%Si-5.5mass%Al 粉末。
[0054] 使用含有铁醇盐类的处理液，在实施了扁平加工的金属粉末上使皮膜形成，制作 图1所示的绝缘包覆扁平粉末。该制作所使用的铁醇盐类的类型，显示在下述的表1和2中。 用于皮膜的形成的铁醇盐的低聚物，是在该铁醇盐的单体中适量添加溶剂制作而成。还有， 表1表示金属粉末使用Fe-3mass%Si粉末的情况，表2表示金属粉末使用Fe-9.5mass%Si-5.5mass%Al粉末的情况。
[0055] 将W如上方式得到的、由无数的绝缘包覆扁平粉末构成的基材粉体，使用小型揽 拌机在100°C的溫度下与环氧树脂混炼，得到均匀分散有粉末的树脂组合物。环氧树脂与基 材粉体的体积比为5对2。对于该树脂组合物，W4MPa、200°C的条件进行5分钟热压处理，得 到厚0.1 mm的磁性片。
[0056] [磁性片的评价]
[0057] 对于制作的磁性片，测量溫度25°C、频率20MHz下的实部导磁率y '和电阻率。其结 果显示在下述的表1和2中。还有，该实部导磁率ii'的测量中，使用アクレシ^ ?テ夕7 口公 一（Agi lent Technologies )社制的商品名"八夕レレ?幸外口 一夕.7十弓斗子一 N5245A"。电阻率的测量中，使用日置电机社制的商品名"DSM-8104"。
[0化引【表1】
[0062] [各例中的粉末的说明]
[0063] W下，对于各例中的粉末详细地加 W说明。
[0064] 实施例 Al ~46、411、412、415、416、419~424、429、430、433和434，使用的是长宽比 处于10至300的范围内的金属粉末。皮膜由铁醇盐的单体形成。各例的皮膜厚度T、厚度T对 于金属粉末的厚度化V之比(T/tav)和皮膜对金属粉末的包覆率C，如表1和2所示。
[00化]实施例 A7 ~410、413、414、417、418、425~428、431、432、435和436，使用的是长宽 比处于10至300的范围内的金属粉末。皮膜由铁醇盐的低聚物形成。各例的皮膜厚度T、厚度 T对于金属粉末的厚度化V之比(T/tav)和皮膜对金属粉末的包覆率C，如表1和2所示。
[0066] 比较例Al、A2、A6和A7,使用的是长宽比小于10或大于300的金属粉末。各例的皮膜 厚度T和皮膜对金属粉末的包覆率C，如表1和2所示。
[0067] 比较例A3~A5和A8~AlO的皮膜，由铁醇盐W外的金属醇盐形成。各例的皮膜厚度 T和皮膜对金属粉末的包覆率C，如表1和2所示。
[006引[综合评价1(使用了 Fe-3mass%Si粉末的磁性片）]
[0069] 基于实部导磁率ii'和电阻率的值，进行下述的分级。
[0070] A:实部导磁率ii'为12W上，并且，电阻率为LOXlO5Q -mW上
[0071] B:实部导磁率ii'为IOW上且低于12,并且，电阻率为LOXlO5Q -mW上
[0072] C:实部导磁率ii'为9W上且低于10,或实部导磁率ii'为IOW上，但电阻率低于1.0 Xl〇5Q*m
[0073] D:实部导磁率ii'低于9
[0074] 其结果显示在表1中。良好程度按A、B、C、D的顺序。
[0075] [综合评价2 (使用了化-9.5mas S % S i -5.5mas S % A1粉末的磁性片）]
[0076] 基于实部导磁率ii'和电阻率的值，进行下述的分级。
[0077] A:实部导磁率ii'为8W上，并且，电阻率为1.0X1〇7q .mW上
[007引 B:实部导磁率ii'在7W上且低于8,并且，电阻率为1.0X107q .mW上
[00巧]C:实部导磁率ii'在6W上且低于7,或实部导磁率ii'在7W上，但电阻率低于1.0X 1〇7〇 *m
[0080] D:实部导磁率ii'低于6
[0081 ] 其结果显示在表2中。良好程度按A、B、C、D的顺序。
[0082]如表1所示，W化-3mass%Si粉末作为金属粉末使用时，在使用了实施例的粉末的 磁性片中，在频率20MHz的条件下，可实现9W上的实部导磁率ii'。此外皮膜的形成使用铁醇 盐的低聚物，可实现12W上的实部导磁率ii'和LOXlO 5Q -mW上的电阻率。如表2所示，将 化-9.5mass % Si-5.5mass % Al粉末作为金属粉末使用时，在使用了实施例的粉末的磁性片 中，在频率20MHz的条件下，可实现6W上的实部导磁率ii'。此外皮膜的形成使用铁醇盐的低 聚物，可实现8W上的实部导磁率y'和LOXlO 7Q - mW上的电阻率。
[008引 实施例Bl~B32和比较例Bl~B4
[0084] 使用了皮膜包含含有铁醇盐类和娃醇盐类的物质的聚合物的磁性构件用扁平粉 末的