。在另一个实施例中，在相对应的子组件23上的除了光学敏感区之外的部分形成连接衬垫232，因此，可以通过图案化等方法在玻璃衬底71的对应位置上形成对应的种子层。
[0079]在步骤S62，在种子层的一部分上形成图案化的阻挡物，暴露所述种子层的两侧。例如，在种子层73的一部分上形成光刻胶75，然后对光刻胶75进行图案化，暴露种子层73的两侧。(如图7B所示)
[0080]在步骤S63，电镀所述种子层以在所述种子层的两侧形成金属支柱。例如如图7C所示，电镀种子层73 (例如钛铜种子层)以在种子层73的两侧形成金属支柱72 (例如铜支柱)。
[0081]在步骤S64，去除阻挡物以及所述种子层的至少一部分。在一个实施例中，可以先去除阻挡物，例如如图7D所示，先去除光刻胶，然后在去除种子层的至少一部分，例如如图7E所示，利用湿法刻蚀去除种子层73的至少一部分，以暴露玻璃衬底71的至少一部分，例如暴露除金属支柱72遮挡的玻璃衬底的部分。
[0082]通过上述步骤S61至S64,从而在玻璃衬底上形成金属支柱。当然,本领域技术人员应该理解，除了可以形成铜支柱，还可以以类似的方法形成其他金属支柱，例如可以形成用于生长铝支柱的种子层并随后利用该种子层生长铝支柱。
[0083]图8是示出根据本发明的另一个实施例在玻璃衬底上形成金属支柱的流程图。图9A至图9C是示出根据本发明的另一个实施例在玻璃衬底上形成金属支柱的各个步骤的示意图。下面结合图8和图9A至图9C来描述在玻璃衬底上形成金属支柱的工艺过程。
[0084]在步骤S81，在玻璃衬底上沉积金属作为种子层。如图9A所示，在玻璃衬底91上沉积金属作为种子层94。例如PVD工艺在玻璃衬底91上沉积钛铜作为种子层。
[0085]在步骤S82，利用种子层进行电镀以生长金属层。如图9B所示，利用种子层94 (图9B中未示出)进行电镀，从而在玻璃衬底91上生长金属层93。例如，利用钛铜种子层进行电镀来生长铜层，从而为形成铜支柱做准备。当然本领域技术人员应该理解，利用其他适当的种子层还可以生长其他金属(例如铝)层，因此本发明的范围并不仅限于此。
[0086]在步骤S83，刻蚀金属层从而在玻璃衬底的两侧上形成金属支柱。例如，可以利用光刻的方法刻蚀金属层93从而在衬底71的两侧形成金属支柱92 (如图9C所示)，当然本领域技术人员也可以利用其他方法进行刻蚀，本发明的范围并不仅限于此。在另一个实施例中，在相对应的子组件23上的除了光学敏感区之外的部分形成连接衬垫233，因此，可以通过图案化等方法在玻璃衬底71的对应位置上蚀刻出对应形状的金属支柱92。
[0087]通过上述步骤S81至S83,从而在玻璃衬底上形成金属支柱。当然,本领域技术人员应该理解，除了可以形成铜支柱，还可以形成其他金属支柱，例如可以形成铝支柱，因此，本发明的范围并不仅限于此。
[0088]在本发明中，并不限制金属支柱的具体形状，只要其能够起到支撑并保持好完成的光学器件即可。例如，支柱的形状可以取决于种子层是圆柱形的、椭圆柱形的、方形的或者多边形的。
[0089]在本发明实现的图像传感器装置的制造过程中，用金属材料作为玻璃衬底和子组件之间的连接支柱，相比有机材料，金属材料能够耐高温，机械支撑效果更好，具有更好的均一性，厚度也更加均匀，并且在工艺实现上更容易控制，在后段工艺温度(一般小于2650C (即滤光片的耐受温度))下无明显性质变化，不会出现影响后续制造过程的物质扩散，例如在后续CVD膜层生长中不会出现现有技术中的有机材料排气而导致的剥离问题，进而显著提高了产品的质量。
[0090]至此，已经详细描述了本发明。为了避免遮蔽本发明的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
[0091]虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
【主权项】
1.一种图像传感器装置，其特征在于，包括: 玻璃衬底； 形成在所述玻璃衬底上的金属支柱；以及 与所述金属支柱连接的子组件，其中所述金属支柱与所述子组件的金属连接衬垫连接。2.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其特征在于，所述金属连接衬垫位于所述子组件的衬底的两侧。3.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其特征在于，所述金属连接衬垫位于所述子组件的衬底的光学敏感区之外。4.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其特征在于，当将所述玻璃衬底与所述子组件连接时，所述金属连接衬垫与所述金属支柱对应连接。5.根据权利要求1至4任意一项所述的图像传感器装置，其特征在于，所述金属支柱和所述金属连接衬垫均由铜构成。6.根据权利要求1至4任意一项所述的图像传感器装置，其特征在于，所述金属支柱和所述金属连接衬垫分别由铝和锗构成。7.根据权利要求1至4任意一项所述的图像传感器装置，其特征在于，所述子组件包括: 衬底； 位于所述衬底上的至少一个光学组件； 在所述衬底上位于所述光学组件的两侧的金属连接衬垫。8.一种图像传感器装置的制造方法，其特征在于，包括: 在玻璃衬底上形成金属支柱； 提供具有金属连接衬垫的图像传感器装置子组件；以及 将所述金属支柱与所述子组件的金属连接衬垫连接在一起，从而构成所述图像传感器 目-ο9.根据权利要求8所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，所述金属连接衬垫形成在所述子组件的衬底的两侧。10.根据权利要求8所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，所述金属连接衬垫形成在所述子组件的衬底的光学敏感区之外。11.根据权利要求8所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，在玻璃衬底上形成金属支柱的过程包括: 在所述玻璃衬底上形成种子层； 在所述种子层的一部分上形成图案化的阻挡物，暴露所述种子层的两侧； 电镀所述种子层以在所述种子层的两侧形成金属支柱； 去除所述阻挡物以及所述种子层的至少一部分。12.根据权利要求8所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，在玻璃衬底上形成金属支柱的过程包括: 在所述玻璃衬底上沉积金属作为种子层； 利用所述种子层进行电镀以生长金属层； 刻蚀所述金属层从而在所述玻璃衬底的两侧上形成具有预定图案的金属支柱。13.根据权利要求8所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，所述金属支柱和所述金属连接衬垫均由铜构成。14.根据权利要求8所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，所述金属支柱和所述金属连接衬垫分别由铝和锗构成。15.根据权利要求7-14中任意一项所述的图像传感器装置的制造方法，其特征在于，将所述金属支柱与所述子组件的金属连接衬垫连接的过程包括: 在如下条件下，将形成在所述玻璃衬底上的所述金属支柱与所述子组件的金属连接衬垫挤压在一起以形成金属接合，其中所述条件包括: 温度为200至500°C ； 压力为10至100千牛；以及 时间为0.5?3小时。
【专利摘要】本发明公开了一种图像传感器装置及其制造方法。所述图像传感器装置包括：玻璃衬底；形成在所述玻璃衬底上的金属支柱；以及与所述金属支柱连接的子组件，其中所述金属支柱与所述子组件的连接衬垫连接。在本发明中，用金属材料作为玻璃和子组件之间的连接支柱，相比有机材料，金属材料能够得到更好的均一性，且在工艺实现上更容易控制，在后续CVD膜层生长中也不会出现现有技术中的有机材料排气而导致的剥离问题，进而显著提高了产品的质量。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN105514129
【申请号】CN201410495034
【发明人】张海芳, 黄河, 刘煊杰, 冯霞, 吴秉寰
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月25日
【公告号】US9368538, US20160093656