量加工的各种组合，其中所提及的应用不应被理解为是限制性的，并且其中还可应用用于加工多个硅基板的其他技术。
[0046]参照图10，示出了另一个多孔化结构。多孔化结构141还包括溶液142或与图9中所讨论类似的多孔化溶液。第一连接器138可将第一电极133保持在适当位置并且还充当电流的导管。第二连接器137可将第二电极130保持在适当位置，其中电流可从第二连接器137流向第二电极130。相似地，第三连接器139可将第三电极132保持在适当位置，其中第三连接器139还可充当电流的导管。第一硅基板100可定位在第二电极130与第三电极132之间，其中相对于第一硅基板100的第一边缘114、116放置第一电极133允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化，如以上方法中所述。多孔化槽144可包封并保持多孔化结构。与图9截然不同的是，阳离子膜148可将第三电极132与第一硅基板100、第一电极133和第二电极130分隔开。阳离子膜148可提供多孔化槽144的单独区域之间的物理分隔。第二电流136(其可等于第一电流134)仍可流过阳离子膜148穿行到第三电极132。在另一个实施例中，阳离子膜可放置在第二电极130与第一硅基板100之间。在又一个实施例中，阳离子膜可将第一电极133与围绕第一电极133的多孔化溶液142分隔开，同时允许电流汲取到第一电极133或由第一电极133传导。在再一个实施例中，多个阳离子膜可用于分隔用于多孔化结构141中的多个硅基板。相似地，
[0047]图11示出了使用上述硅基板上的所公开多孔层制造的示例太阳能电池。在形成多孔层之后，可在多孔层上方形成外延硅层。在一个实施例中，多孔层可在1-10微米的范围内。在一个实施例中，外延娃层可在10-150微米的范围内。在形成外延娃层之后，可从多孔层和硅基板移除外延硅层，从而得到硅晶片102。可清洁并蚀刻硅晶片102以为后续制造工艺(诸如太阳能电池制造工艺)作准备。
[0048]例如，对于图11的示例太阳能电池，可通过热工艺在硅晶片102上形成第一掺杂区190和第二掺杂区192。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192各自包含一种掺杂材料，但不限于P型掺杂剂(诸如硼)或N型掺杂剂(诸如磷)。第一介质层194可形成于第一掺杂区190和第二掺杂区192上。在一个实施例中，第一介质层194由氮化硅(SiN)构成。可在形成第一掺杂区190和第二掺杂区192之前，在硅晶片102上方形成第二介质层196。在一个实施例中，第二介质层196由隧道氧化层构成。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192两者均包含交叉图案的扩散区。在一个实施例中，第一掺杂区和第二掺杂区被代之以第一掺杂多晶硅区和第二掺杂多晶硅区。
[0049]在一个实施例中，可形成沟槽区198，以将第一掺杂区190和第二掺杂区192两者分隔开，这可减少界面处的复合。在一个实施例中，沟槽区198包括纹理化表面，以用于额外收集来自太阳能电池104a背面的光线。可穿过第一介质层194并在第一掺杂区190和第二掺杂区192上形成多个接触孔。可通过化学蚀刻、烧蚀或任何工业标准光刻工艺形成接触孔。可执行电镀工艺，以形成第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182，其中第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182通过第一掺杂区190和第二掺杂区192上的第一介质层194电耦接到接触孔。在一个实施例中，可在太阳能电池104a的正面上形成纹理化区，以提高太阳辐射收集。纹理化区是具有规则或不规则形状的表面的区域，所述表面用于散射入射光，减少太阳能电池104a的表面反射回的光量。在另一个实施例中，可以在太阳能电池104a的正面上的纹理化区上形成第三介质层。在一个实施例中，第三介质层由氮化娃(SiN)构成。在一些实施例中，第一介质层194和第三介质层是抗反射层。
[0050]现在转到图12，示出了使用上述硅基板上的所公开多孔层制造的示例太阳能电池。与图11中所述的类似，可在多孔层上方形成外延硅层。在一个实施例中，多孔层可大约在1-10微米的范围内。在一个实施例中，外延娃层可大约在10-150微米的范围内。在形成外延硅层之后，从多孔层和硅基板移除外延硅层，从而得到硅晶片102。可清洁并蚀刻硅晶片102以为后续制造工艺(诸如太阳能电池制造工艺)作准备。
[0051]在示例太阳能电池制造工艺中，可通过热工艺在硅晶片102上形成第一掺杂区190和第二掺杂区192。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192各自包含一种掺杂材料，但不限于P型掺杂剂(诸如硼)或N型掺杂剂(诸如磷)。第一介质层194可形成于第一掺杂区190和第二掺杂区192上。在一个实施例中，第一介质层194由氮化硅(SiN)构成。可在形成第一掺杂区190和第二掺杂区192之前，在硅晶片102上方形成第二介质层。在一个实施例中，第二介质层由隧道氧化层构成。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192两者均包含交叉图案的扩散区。在一个实施例中，可穿过第一介质层194并在第一掺杂区190和第二掺杂区192上形成多个接触孔。可通过化学蚀刻、烧蚀或任何工业标准光刻工艺形成接触孔。可执行电镀工艺，以形成第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182，其中第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182通过第一掺杂区190和第二掺杂区192上的第一介质层194电耦接到接触孔。在一个实施例中，可在太阳能电池104b的正面上形成纹理化区，以提高太阳辐射收集。纹理化区是具有规则或不规则形状的表面的区域，所述表面用于散射入射光，减少太阳能电池104b的表面反射回的光量。在一个实施例中，可以在太阳能电池104b的正面上的纹理化区上形成第三介质层。在另一个实施例中，第三介质层由氮化硅(SiN)构成。在再一个实施例中，第一介质层194和第三介质层是抗反射层。
[0052]应当理解，结合在硅基板上形成多孔层及随后的太阳能电池制造工艺执行的各种工序可包括任何数量的附加或替代的工序。图1至图12所示的工序无需一定按所示顺序执行，并且可合并到具有本文未详述的额外功能的更综合性的过程或流程中。
[0053]尽管上面已经描述了具体实施例，但即使相对于特定的特征仅描述了单个实施例，这些实施例也并非旨在限制本公开的范围。在本公开中所提供的特征的例子除非另有说明否则旨在为说明性的而非限制性的。以上描述旨在涵盖将对本领域的技术人员显而易见的具有本公开的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。
[0054]本公开的范围包括本文所公开的任何特征或特征组合(明示或暗示)，或其任何概括，不管它是否缓解本文所解决的任何或全部问题。因此，可以在本申请(或对其要求优先权的申请)的审查过程期间对任何此类特征组合提出新的权利要求。具体地讲，参考所附权利要求书，来自从属权利要求的特征可与独立权利要求的那些特征相结合，以及来自相应的独立权利要求的特征可以按任何适当的方式组合，而并非只是以所附权利要求中所枚举的特定的组合。
[0055]在一个实施例中，一种用于在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法涉及将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内。所述方法还涉及使第一电流传导穿过所述第一硅基板，其中所述第一电极的位置处于所述第一边缘的所述阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。
[0056]在一个实施例中，所述第一电极的位置处于所述第一硅基板的第二边缘的第二阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第二边缘的实质上均匀的多孔化。
[0057]在一个实施例中，所述传导导致所述第一电极从所述第一硅基板的所述第一边缘汲取电流。
[0058]在一个实施例中，所述方法还涉及所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一边缘传导第二电流。
[0059]在一个实施例中，所述第一电极至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘，其中所述第一电极相对于所述周边边缘的位置允许沿着所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0060]在一个实施例中，将第一硅基板放置在所述溶液中包括将非圆形硅基板放置在所述溶液中。
[0061 ]在一个实施例中，将所述第一硅基板放置在所述溶液中包括将所述第一硅基板放置在多孔化溶液中。
[0062]在一个实施例中，将所述第一硅基板放置在溶液中包括将所述第一硅基板放置在包含选自由氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇构成的组的化学物质的溶液中。
[0063]在一个实施例中，所述方法还涉及将第二硅基板