放置在所述溶液中，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，其中所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。
[0064]在一个实施例中，所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的第二边缘的实质上均匀的多孔化。
[0065]在一个实施例中，在硅基板上形成多孔层的方法涉及将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着所述第一硅基板的第一周边边缘定位。所述方法还涉及使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0066]在一个实施例中，相对于所述第一娃基板的第二周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0067]在一个实施例中，所述方法还涉及将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的相应第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0068]在一个实施例中，所述第一电极的放置处于分别相对于所述第一娃基板和所述第二硅基板的相应第一周边边缘的第一阈值距离和第二阈值距离内，从而允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述第一周边边缘两者的实质上均匀的多孔化。
[0069]在一个实施例中，所述第一阈值距离不同于所述第二阈值距离。
[0070]在一个实施例中，所述方法还涉及所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘传导第二电流。
[0071]在一个实施例中，在硅基板上形成多孔层的方法涉及将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极由阳离子膜将其与所述溶液物理分隔，并且至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘。所述方法还涉及使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0072]在一个实施例中，所述方法还涉及将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中所述阳离子膜将所述第一硅基板与所述第二硅基板物理分隔，并且使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一硅基板的所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0073]在一个实施例中，所述传导导致所述第一电极从所述硅基板的所述周边边缘汲取电流。
[0074]在一个实施例中，所述方法还涉及所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述周边边缘传导第二电流。
【主权项】
1.一种用于在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括: 将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内；以及 使第一电流传导穿过所述第一硅基板，其中所述第一电极的位置处于所述第一边缘的所述阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极的位置处于所述第一硅基板的第二边缘的第二阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第二边缘的实质上均匀的多孔化。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述传导导致所述第一电极从所述第一硅基板的所述第一边缘汲取电流。4.根据权利要求1所述的方法，还包括所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一边缘传导第二电流。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘，其中所述第一电极相对于所述周边边缘的位置允许沿着所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。6.根据权利要求1所述的方法，其中将第一硅基板放置在所述溶液中包括将非圆形硅基板放置在所述溶液中。7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一硅基板放置在所述溶液中包括将所述第一硅基板放置在多孔化溶液中。8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一硅基板放置在溶液中包括将所述第一硅基板放置在包含选自由氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇构成的组的化学物质的溶液中。9.根据权利要求1所述的方法，还包括: 将第二硅基板放置在所述溶液中，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面;并且 其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，其中所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的第二边缘的实质上均匀的多孔化。11.一种在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括: 将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着所述第一硅基板的第一周边边缘定位;以及 使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。12.根据权利要求11所述的方法，其中相对于所述第一硅基板的第二周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。13.根据权利要求11所述的方法，还包括: 将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面;并且其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，所述第一电极的所述放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的相应第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电极的放置处于分别相对于所述第一硅基板和所述第二硅基板的相应第一周边边缘的第一阈值距离和第二阈值距离内，从而允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述第一周边边缘两者的实质上均匀的多孔化。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一阈值距离不同于所述第二阈值距离。16.根据权利要求11所述的方法，还包括所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘传导第二电流。17.—种在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括: 将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极由阳离子膜将其与所述溶液物理分隔，并且至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘；以及 使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。18.根据权利要求17所述的方法，还包括: 将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中所述阳离子膜将所述第一硅基板与所述第二硅基板物理分隔；以及 使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一硅基板的所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。19.根据权利要求17所述的方法，其中所述传导导致所述第一电极从所述硅基板的所述周边边缘汲取电流。20.根据权利要求17所述的方法，还包括所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述周边边缘传导第二电流。
【专利摘要】本发明公开了在硅基板中形成多孔层。形成所述多孔层可包括将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于离所述硅基板的边缘的阈值距离内。其还可包括使第一电流传导穿过所述硅基板，其中所述第一电极可相对于所述边缘定位，从而允许沿着所述第一硅基板的所述边缘的实质上均匀的多孔化。
【IPC分类】H01L31/18, H01L31/04
【公开号】CN105518871
【申请号】CN201480047866
【发明人】约瑟夫·本克, 林承笵
【申请人】太阳能公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月18日
【公告号】DE112014004401T5, US9217206, US20150090606, WO2015047879A1