764中的一者或多者可包括远程单元(诸如移动电话)、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理)、启用全球定位系统(GPS)的设备、导航设备、固定位置数据单元(诸如仪表读数装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或其任何组合。尽管图17解说了根据本公开的教导的远程单元，但本公开并不限于这些解说的单元。本公开的实施例可合适地用在包括具有存储器和片上电路系统的有源集成电路系统的任何设备中。
[0126]包括使用图15的方法1500根据由图1-14解说的一个或多个工艺来形成的半导体器件的设备可以被制造、处理、或纳入到电子设备中，如在解说性过程1700中描述的。关于图1-16公开的各实施例的一个或多个方面可被包括在各个处理阶段，诸如被包括在库文件1712、GDSII文件1726、以及GERBER文件1752内，以及被存储在研究计算机1710的存储器1706、设计计算机1718的存储器1714、计算机1750的存储器1746、在各个阶段(诸如在板组装工艺1754处)使用的一个或多个其他计算机或处理器的存储器(未示出)处，并且还被纳入到一个或多个其他物理实施例中，诸如掩模1732、管芯1736、封装1740、PCA 1758、其他产品(诸如原型电路或设备(未示出))中、或者其任何组合。尽管参照图1-17描绘了各种代表性阶段，但在其他实施例中，可使用较少阶段或者可包括附加阶段。类似地，图17的过程1700可由单个实体或由执行过程1700的各个阶段的一个或多个实体来执行。
[0127]尽管图1-17中的一个或多个图可以解说根据本公开的教导的各系统、装置、和/或方法，但本公开不限于这些所解说的系统、装置、和/或方法。本公开的各实施例可适于用在任何包括集成电路系统(包括存储器、处理器和片上电路系统)的设备中。
[0128]技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑框、配置、模块、电路、和算法步骤可实现为电子硬件、由处理器执行的计算机软件、或这两者的组合。各种解说性组件、框、配置、模块、电路、和步骤已经在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此类功能性是被实现为硬件还是处理器可执行指令取决于具体应用和加诸于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本公开的范围。
[0129]结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或两者的组合来实现。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM)、电可擦式可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、压缩盘只读存储器(⑶-ROM)、或本领域中所知的任何其他形式的非瞬态存储介质中。示例性的存储介质耦合至处理器以使该处理器能从/向该存储介质读写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在专用集成电路(ASIC)中。ASIC可驻留在计算设备或用户终端中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在计算设备或用户终端中。
[0130]提供前面对所公开的实施例的描述是为了使本领域技术人员皆能制作或使用所公开的实施例。对这些实施例的各种修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且本文中定义的原理可被应用于其他实施例而不会脱离本公开的范围。因此，本公开并非旨在被限定于本文中示出的实施例，而是应被授予与如由所附权利要求定义的原理和新颖性特征一致的最广的可能范围。
【主权项】
1.一种方法，包括: 形成毗邻第一侧壁结构且毗邻半导体器件的心轴的第二硬掩模层，其中所述心轴的顶部部分在形成所述第二硬掩模层之前被暴露； 移除所述第一侧壁结构以暴露第一硬掩模层的第一部分； 蚀刻所述第一硬掩模层的第一部分以暴露介电材料的第二部分； 蚀刻所述介电材料的第二部分以形成第一沟槽；以及 在所述第一沟槽内形成第一金属结构。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在形成所述第二硬掩模层之前形成多个心轴，所述多个心轴包括所述心轴；以及 在移除所述第一侧壁结构之后移除所述多个心轴的第二心轴，其中所述第二心轴的移除实现形成具有与所述第一金属结构不同大小的第二金属结构。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层根据可流动化学气相沉积(FDVD)制造技术来形成。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层包括二氧化硅(Si02)。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层包括不同材料。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述第一金属结构之前蚀刻所述第二硬掩模层以移除所述第二硬掩模层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属结构在与所述半导体器件相关联的后段制成(BEOL)制造阶段期间被形成。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属结构至少部分地在所述第一沟槽内被形成。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述心轴的顶部部分与所述心轴中同所述第一硬掩模层接触的底部表面相对。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 形成多个侧壁结构，所述多个侧壁结构包括所述第一侧壁结构；以及 在多个沟槽内形成多个金属结构，其中所述多个金属结构包括所述第一金属结构，且其中所述多个沟槽包括所述第一沟槽。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述多个金属结构的第一金属结构集之间的第一距离不同于所述多个金属结构的第二金属结构集之间的第二距离。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述多个金属结构的第一金属结构和第二金属结构之间的距离对应于所述心轴的宽度。13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一金属结构的第一宽度基本上等于所述多个金属结构的第二金属结构的第二宽度。14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述第二硬掩模层之前移除所述第一侧壁结构的一部分。15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，在移除所述第一侧壁结构的一部分之后，所述第一侧壁结构具有小于所述多个侧壁结构的第二侧壁结构的第二宽度的第一宽度。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一金属结构具有第一宽度且所述多个金属结构的第二金属结构具有第二宽度。17.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在所述第一硬掩模层上形成多个心轴，所述多个心轴包括所述心轴；以及 将材料应用于所述多个心轴的侧壁以形成所述多个侧壁结构。18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在形成所述第二硬掩模层之后移除所述多个侧壁结构的第二侧壁结构和所述多个侧壁结构的第三侧壁结构，其中所述第二侧壁结构和所述第三侧壁结构被形成在所述多个心轴的第二心轴的侧壁上； 在移除所述第二侧壁结构和所述第三侧壁结构之后移除所述第二心轴，其中所述第二心轴、所述第二侧壁结构、和所述第三侧壁结构的移除暴露所述第一硬掩模层的第三部分；蚀刻所述第一硬掩模层的第三部分以暴露介电材料的第四部分； 蚀刻所述介电材料的第四部分以形成所述沟槽的第二沟槽；以及 在所述第二沟槽内形成所述多个金属结构的第二金属结构。19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一金属结构的第一宽度不同于所述第二金属结构的第二宽度，其中所述第一宽度对应于所述第一侧壁结构的第一侧壁宽度，且其中所述第二宽度对应于所述第二侧壁结构的第二侧壁宽度、所述第三侧壁结构的第三侧壁宽度、以及所述第二心轴的心轴宽度。20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二硬掩模层、移除所述第一侧壁结构、蚀刻所述第一硬掩模层的第一部分、蚀刻所述介电材料的第二部分、以及形成所述第一金属结构由被集成到电子设备中的处理器发起。21.—种装置，包括: 一种半导体器件，包括: 第一硬掩模层，耦合至所述半导体器件的介电材料； 心轴，耦合至所述第一硬掩模层，其中所述心轴的顶部部分被暴露； 侧壁，耦合至所述第一硬掩模层且毗邻所述心轴；以及 第二硬掩模层，耦合至所述第一硬掩模层，其中所述第二硬掩模层毗邻所述心轴且毗邻所述侧壁结构。22.如权利要求21所述的装置，其特征在于，所述半导体器件包括通过以下形成的金属结构: 移除所述侧壁结构以暴露所述第一硬掩模层的第一部分； 蚀刻所述第一硬掩模层的第一部分以暴露介电材料的第二部分； 蚀刻所述介电材料的第二部分以形成沟槽；以及 在所述沟槽内形成所述金属结构。23.如权利要求22所述的装置，其特征在于，包括所述金属结构的所述半导体器件被集成在至少一个半导体管芯中。24.如权利要求22所述的装置，其特征在于，进一步包括其中集成了包括所述金属结构的所述半导体器件的设备，所述设备选自包括以下各项的组:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、计算机、或其组合。25.—种装备，包括: 用于提供耦合至半导体器件的介电材料的第一蚀刻掩模的装置； 用于将第一图案转移至用于提供第一蚀刻掩模的装置的装置，用于转移第一图案的装置耦合至用于提供第一蚀刻掩模的装置，其中用于转移第一图案的装置的顶部部分被暴露； 用于将第二图案转移至用于提供第一蚀刻掩模的装置的装置，用于转移第二图案的装置耦合至用于提供第一蚀刻掩模的装置，其中用于转移第二图案的装置毗邻用于转移第一图案的装置；以及 耦合至用于提供第一蚀刻掩模的用于提供第二蚀刻掩模的装置，其中用于提供第二蚀刻掩模的装置毗邻用于转移第一图案的装置且毗邻用于转移第二图案的装置。26.如权利要求25所述的装备，其特征在于，所述半导体器件包括通过以下形成的金属结构: 移除用于转移第二图案的装置以暴露用于提供第一蚀刻掩模的装置的第一部分； 蚀刻用于提供第一蚀刻掩模的装置的第一部分以暴露介电材料的第二部分； 蚀刻所述介电材料的第二部分以形成沟槽；以及 在所述沟槽内形成所述金属结构。27.如权利要求26所述的装备，其特征在于，包括所述金属结构的所述半导体器件被集成在至少一个半导体管芯中。28.如权利要求26所述的装备，其特征在于，进一步包括其中集成了包括所述金属结构的所述半导体器件的设备，所述设备选自包括以下各项的组:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、计算机、或其组合。29.—种包括处理器可执行指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使所述处理器: 发起半导体器件的制造，所述半导体器件通过以下来形成: 形成毗邻第一侧壁结构且毗邻所述半导体器件的心轴的第二硬掩模层，其中所述心轴的顶部部分在形成所述第二硬掩模层之前被暴露； 移除所述侧壁结构以暴露所述第一硬掩模层的第一部分； 蚀刻所述第一硬掩模层的第一部分以暴露介电材料的第二部分； 蚀刻所述介电材料的第二部分以形成沟槽；以及 在所述沟槽内形成金属结构。30.如权利要求29所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述非瞬态计算机可读介质被集成到自动化制造系统中。31.一种方法，包括: 用于形成毗邻侧壁结构且毗邻半导体器件的心轴的第二硬掩模层的步骤，其中所述心轴的顶部部分在形成所述第二硬掩模层之前被暴露； 用于移除所述侧壁结构以暴露第一硬掩模层的第一部分的步骤； 用于蚀刻所述第一硬掩模层的第一部分以暴露介电材料的第二部分的步骤； 用于蚀刻所述介电材料的第二部分以形成沟槽的步骤；以及 用于在所述沟槽内形成金属结构的步骤。32.如权利要求31所述的方法，其特征在于，用于形成所述第二硬掩模层的步骤、用于移除所述侧壁结构的步骤、用于蚀刻所述第一硬掩模层的第一部分的步骤、用于蚀刻所述介电材料的第二部分的步骤、以及用于形成所述金属结构的步骤由被集成到电子设备中的处理器发起。33.一种方法，包括: 接收包括经封装半导体器件在电路板上的物理定位信息的设计信息，所述经封装半导体器件包括根据权利要求1的方法形成的半导体器件；以及转换所述设计信息以生成数据文件。34.如权利要求33所述的方法，其特征在于，所述数据文件具有GDSII格式。35.如权利要求33所述的方法，其特征在于，所述数据文件具有GERBER格式。
【专利摘要】在一特定实施例中，一种方法包括形成毗邻第一侧壁结构以及毗邻半导体器件的心轴的第二硬掩模层。心轴的顶部部分在形成第二硬掩模层之前被暴露。该方法进一步包括移除第一侧壁结构以暴露第一硬掩模层的第一部分。该方法还包括蚀刻第一硬掩模层的第一部分以暴露介电材料的第二部分。该方法还包括蚀刻介电材料的第二部分以形成第一沟槽。该方法还包括在第一沟槽内形成第一金属结构。
【IPC分类】H01L23/485, H01L21/768
【公开号】CN105556657
【申请号】CN201480050601
【发明人】S·S·宋, C·F·耶普, Z·王, J·J·朱
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年9月5日
【公告号】EP3044807A2, US20150076704, WO2015038423A2, WO2015038423A3