] (1)干法刻蚀去除有机聚合物；
[0040] ⑵电极沉积前的预清洗。
[0041] 下面结合附图以及具体实施例来对本发明进行详细说明。
[0042] 在一玻璃基板上进行常规的流片作业至平坦化层制备之前，以在该基板上依次形 成多晶硅栅极、栅绝缘层、栅极线、接触孔、数据线。其中，形成多晶硅栅极、栅绝缘层、栅极 线、接触孔和数据线的方法可采用现有的任何公知或常用的方法，在本发明中不对其进行 限制。
[0043] 如图1所示，接着，对具有上述多晶硅栅极、栅绝缘层、栅极线、接触孔和数据线结 构的玻璃基板进行平坦化层工艺，该平坦化层工艺具体包括以下步骤：
[0044] 首先，在形成有上述半导体结构的玻璃基板表面涂覆一层有机物薄膜，以平坦化 器件的表面，形成平坦化层2,如图2所示（图中仅示出了数据层1以上的部分），该平坦化 层2的厚度可以为2um~4um，如2um、3um或4um等，该有机物薄膜的材质可以为高分子有 机材料。
[0045] 然后，对该平坦化层2进行曝光、显影工艺，以对该平坦化层进行图案化处理，形 成如图3所示的，具有多个开口图形的平坦化层2'。
[0046] 接着，对形成开口后的平坦化层2'进行烘烤、固化工艺，以将有机物薄膜变为高 分子形态，此时该有机物薄膜经过固化工艺后有部分有机物薄膜会产生挥发，挥发出的物 质又会重新沉积回玻璃基板上暴露的表面，形成再沉积的有机聚合物层3,如图4所示，由 于在形成该有机聚合物层3的过程前平坦化层就已经通过曝光、显影工艺形成图案化的开 口，并且开口处会暴露出下层的金属数据线1，所以再沉积的有机聚合物层不仅仅覆盖于平 坦化层2的表面，而且还覆盖于平坦化层中的开口图形的表面，即开口的侧壁以及底部（暴 露的金属数据线的表面）。上述通过挥发而再沉积形成的有机聚合物如不进行去除，会导致 所制备器件的金属层与金属层的接触阻抗过高，所以必须加以去除。
[0047] 对于再沉积的有机聚合物层的去除，在本发明一实施例中采用化学清洗液进行去 除，如图5所示，将该化学清洗液4作用于有机聚合物层3上，使得该化学清洗液4与有机 聚合物层3进行反应，进而完全去除该有机聚合物3层，当该化学清洗液在去除该再沉积的 有机聚合物层的同时还起到电极层沉积前的预清洗作用。该化学清洗液可以包括以下溶液 中的任意一种：（1)乙醇胺（MEA)和二甲基亚砜（DMSO)的混合溶液；（2)乙醇胺（MEA)和二 甲基乙酰胺（DMAC)的混合溶液；（3)乙醇胺（MEA)和二乙二醇丁醚（BDG)的混合溶液；（4) 氢氟酸溶液（HF)。对于上述的溶液，其浓度的选择，可以根据实际的工艺需要来进行确定。 [0048] 经过上述的化学清洗液清洗后的玻璃基板，不仅去除了由于平坦层固化后而引起 的再沉积的有机聚合物层，如图6所示，而且同时也对半导体结构的表面进行了清洗，从而 可以直接进行后续的电极层的制备，沉积电极层5后形成如图7所示的结构，其中，电极层 的材质可以为氧化铟锡，电极层可为透明电极层。而无需再进行预清洗的工艺步骤，所以， 与现有技术相比，节省了工艺步骤。
[0049] 在本发明的另一个实施例中，如图8所示，可采用上述的化学清洗液与大气电浆 共同作用来去除有机聚合物层，同时也起到了制备透明电极前的预清洗作用。在该实施例 中由于大气电浆设备可简单架设于湿法清洗机台上，所以并不增加额外的成本投入。
[0050] 而本发明的方法中，采用化学清洗液进行处理的过程中需要通过湿法刻蚀机台， 省去了传统工艺中采用干法刻蚀机台的建制费用，即使同时采用大气电浆进行处理时，也 只需要将大气电浆设备架设于湿法刻蚀机台上，并不需要额外增加干法刻蚀机台。从而节 省了工艺设备的建制费用。
[0051] 综上所述，本发明通过湿法清洗或湿法清洗与大气电浆共同作用来去除显示器件 制备过程中产生的有机聚合物，使得在去除有机聚合物的同时还起到了对器件结构表面的 清洗，从而在后续沉积形成透明电极的过程中不需要再进行沉积前的预清洗，节省了工艺 步骤。另外，在本发明的方法中使用湿法刻蚀机台，而并不需要使用干法刻蚀机台，从而使 得工艺过程中的设备建制费用降低，进而降低了生产成本。
[0052] 对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。 因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权 利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
【主权项】
1. 一种显示器件的制备方法，其特征在于， 于一半导体结构的表面涂覆一有机物层； 经曝光、显影后，于所述半导体结构上将所述有机物层形成具有开口图形的平坦化 层； 对所述平坦化层进行固化工艺，固化工艺所述平坦化层的表面形成一有机聚合物层； 湿法刻蚀去除所述有机聚合物层后，沉积一电极层覆盖所述平坦化层的上表面，且该 电极层还覆盖所述开口图形的底部及其侧壁； 所述半导体结构中设置一数据线层，所述平坦化层覆盖于所述数据线层的上表面，且 所述电极层与所述数据线层电性连接。2. 如权利要求1所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述半导体结构还包括多晶 硅栅极、栅绝缘层、栅极线和接触孔。3. 如权利要求1所述的显示器件制备方法，其特征在于，采用包含有乙醇胺的化学清 洗液进行所述湿法刻蚀。4. 如权利要求3所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述化学清洗液中还包含有 一甲基亚讽。5. 如权利要求3所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述化学清洗液中还包含有 二乙二醇丁醚。6. 如权利要求3所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述化学清洗液中还包含有 二甲基乙酰胺。7. 如权利要求1所述的显示器件制备方法，其特征在于，采用包含有氢氟酸的化学清 洗液进行所述湿法刻蚀。8. 如权利要求1所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述电极的材质为氧化铟锡。9. 如权利要求1所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述对所述有机聚合物层进 行所述湿法刻蚀时，还伴随有大气电浆刻蚀工艺。10. 如权利要求1所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述有机聚合物层覆盖于所 述平坦化层的上表面以及每个所述开口图形的底部和侧壁。
【专利摘要】本发明涉及一种显示器件制备方法，包括：于一半导体结构的表面涂覆一有机物层；经曝光、显影后，于所述半导体结构上将所述有机物层形成具有开口图形的平坦化层；对所述平坦化层进行固化工艺，固化工艺所述平坦化层的表面形成一有机聚合物层；湿法刻蚀去除所述有机聚合物层后，沉积一电极层覆盖所述平坦化层的上表面，且所述电极层还覆盖所述开口图形的底部及其侧壁；所述半导体结构中设置一数据线层，所述平坦化层覆盖于所述数据线层的上表面，且所述电极层与所述数据线层电性连接。本发明方法与传统技术相比，在本发明方法中减少了工艺流程数量，简化了工艺流程，并且使得工艺设备的建制费用投入大大降低。
【IPC分类】H01L21/77, H01L21/311, H01L21/02
【公开号】CN105590848
【申请号】CN201410653370
【发明人】廖子毅, 陈睿, 林信安, 林志明, 黄耀乐
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年11月17日