一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。
【背景技术】
[0002]随着显不技术的不断发展与进步，TFT_LCD(Thin Tilm Transistor-LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)产品不断推陈出新。具备高PPI (Pixels PerInch，像素密度)、高透过率、宽视角、低能耗等产品特性的TFT-LCD产品广泛受到市场的青睐。而对于TFT-LCD产品来讲，其A-Si载流子迀移率的高低对其产品特性有着重要的影响。
[0003]目前，高新车间已经采用LTPS(LowTemperature Poly-silicon)，低温多晶娃)技术、Oxide技术、IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)技术来提升载流子迀移率。但相比新厂言而言，现阶段国内大部分车间为了节省进行设备改造的昂贵费用，依旧选用A-Si半导体材料形成载流子。因此，在不进行半导体材料更换的前提下，如何有效提高Α-ε? 载流子的迀移率，以满足市场对于产品的特性需求，成为了本领域技术人员较为关注的一个问题。
【发明内容】
[0004]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。所述技术方案如下:
[0005]第一方面，提供了一种阵列基板，包括栅极层、栅绝缘层、第一有源层、IT0(IndiumTin Oxides，铟锡氧化物)像素电极层、源漏电极层、保护层、公共电极层，所述阵列基板还包括第二有源层，
[0006]所述栅绝缘层覆盖在所述栅极层上，所述第一有源层、所述源漏电极层和所述ITO像素电极层覆盖在所述栅绝缘层上；
[0007]所述源漏电极层覆盖在所述第一有源层上，所述第二有源层覆盖在所述源漏电极层和所述第一有源层上；
[0008]所述保护层覆盖在所述源漏电极层、所述第二有源层和所述ITO像素电极层上，所述公共电极层覆盖在所述保护层上。
[0009]可选地，所述第一有源层包括第一半导体材料层和第一绝缘材料层，所述第二有源层包括第二半导体材料层和第二绝缘材料层，
[0010]所述第一绝缘材料层覆盖在所述第一半导体材料层上；
[0011]所述第二绝缘材料层覆盖在所述源漏电极层上，所述第二半导体材料层覆盖在所述第二绝缘材料层和所述第一半导体材料层上。
[0012]可选地，所述公共电极层与所述栅极层通过所述保护层和所述栅绝缘层上的过孔相连。
[0013]可选地，所述公共电极层包括栅极引线，所述栅极层包括栅极驱动电路，
[0014]所述栅极弓I线通过所述过孔与所述栅极驱动电路相连。
[0015]可选地，所述绝缘材料为N+、SiNx ；所述半导体材料为A-Si。
[0016]第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述权利要求所述的阵列基板。
[0017]第三方面，提供了一种阵列基板的制作方法，应用于上述权利要求所述的阵列基板，所述方法包括:
[0018]在栅极层上覆盖栅绝缘层，在栅绝缘层上覆盖源漏电极层、ITO像素电极层和第一有源层；
[0019]在所述源漏电极层和所述第一有源层上覆盖第二有源层；
[0020]在所述源漏电极层、所述第二有源层和所述ITO像素电极层上覆盖保护层，在所述保护层上覆盖公共电极层。
[0021 ]可选地，所述在所述源漏电极层和所述第一有源层上覆盖第二有源层，包括:
[0022]在所述源漏电极层上依次进行绝缘材料的沉积、光刻和刻蚀步骤，形成第二绝缘材料层；
[0023]在所述第二绝缘材料层、第一半导体材料层上依次进行半导体材料的沉积、光刻和刻蚀步骤，形成第二半导体材料层。
[0024]可选地，所述方法还包括:
[0025]在所述保护层和所述栅绝缘层上打孔，通过所述保护层和所述栅绝缘层上的过孔将所述公共电极和所述栅极层连接在一起。
[0026]可选地，所述方法还包括:
[0027]在所述公共电极层设计栅极引线。
[0028]可选地，所述通过所述保护层和所述栅绝缘层上的过孔将所述公共电极和所述栅极层连接在一起，包括:
[0029]通过所述过孔，将所述栅极引线和所述栅极层的栅极驱动电路并联在一起。
[0030]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0031]在制作阵列基板时，在一层有源层的基础上还另外增加了另一层有源层与源漏电极层搭接，由栅极驱动双层有源层，实现了双层A-Si载流子驱动，提升了 A-Si载流子的迀移率。
【附图说明】
[0032]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1A是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0034]图1B是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0035]图1C是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0036]图1D是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0037]图2是本发明实施例提供的一种阵列件的制作方法流程图；
[0038]图3A是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0039]图3B是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0040]图3C是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0041]图3D是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0042]图3E是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0043]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0044]图1A是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图1A，该阵列基板包括栅极层(Gate层)101、栅绝缘层(GI层)102、第一有源层103、IT0像素电极层104、源漏电极层(SD层)105、保护层(PVX层)106、公共电极层107。
[0045]其中，栅绝缘层102的材质通常为S12或SiNx，在栅极层101的下表面还铺设了玻璃基板。保护层106为钝化层。栅极层101覆盖在玻璃基板上。其中，ITO是铟锡氧化物的英文缩写，它是一种透明的导电体。通过调整铟和锡的比例、沉积方法、氧化程度以及晶粒的大小可以调整这种物质的性能。薄的ITO材料透明性好，但是阻抗高;厚的ITO材料透明性差，但是阻抗低。
[0046]在本发明实施例中，为了在不进行半导体材料更换的前提下，可以有效提高A-Si载流子的迀移率，如图1A所示，该阵列基板还包括第二有源层108。也即，在原始的一层有源层的基础上，另外增加了一层有源层，两层有源层均连接到源漏电极层105，以实现双层有源层的驱动。
[0047]参见图1A，在增设了第二有源层108后，阵列基板中各个层的设置如下:栅绝缘层102覆盖在栅极层101上，第一有源层103、源漏电极层105和ITO像素电极层104覆盖在栅绝缘层102上。源漏电极层105覆盖在第一有源层103上，第二有源层108覆盖在源漏电极层105和第一有源层103上。保护层106覆盖在源漏电极层105、第二有源层108和ITO像素电极层104上，公共电极层107覆盖在保护层106上。
[0048]在本发明实施例中有源层的构成如图1B所示，第一有源层103包括第一半导体材料层103a和第一绝缘材料层103b，第二有源层108包括第二半导体材料层108a和第二绝缘材料层108b。
[0049]其中，第一绝缘材料层103b覆盖在第一半导体材料层103a上；第二绝缘材料层108b覆盖在源漏电极层105上，第二半导体材料层108a覆盖在第二绝缘材料层108b和第一半导体材料层103a上。对于两个有源层来讲，绝缘材料均为N+、SiNx;半导体材料均为A-Si。
[0050]在本发明实施例中除了另外增加一层有源层来提高A-Si载流子的迀移率外，还提出了在公共电极层107设计栅极引线，并将该栅极引线与栅极层101并联搭接，以共同驱动双有源层，实现栅极双驱动，进一步地提高了A-Si载流子的迀移率。也即，一般常规设计下为了防止阵列基板中公共电极层107与栅极层101产生电场，进而影响阵列基板的充电率、液晶翻转等，通常对公共电极层107进行掏空设计。而在本发明实施例中由于需要采用公共电极层107对A-Si载流子进行驱动，所以不进行掏空设计，且还需要在栅绝缘层102和保护层106上进行打孔操作，从而实现栅极层101与公共电极层107中栅极的搭接，这样栅极信号便可以给到公共电极层107的栅极线，达到共同驱动双有源层的目的，详细如下:
[0051]如图1C所示，公共电极层107与栅极层101通过保护层106和