氧化物超导薄膜线材及其制造方法

氧化物超导薄膜线材及其制造方法
【专利摘要】一种氧化物超导薄膜线材包括金属基底、层叠体和Cu稳定层。金属基底包括支撑基材和位于支撑基材上的导电层。导电层包括用作内层的Cu层和双轴取向的表面层。层叠体包括从金属基底依次在金属基底上堆叠的缓冲层、氧化物超导层和Ag稳定层。Cu稳定层形成为围绕层叠体和金属基底。将Cu稳定层和Ag稳定层的至少一个形成为与金属基底的导层的至少一部分接触并且与金属基底的导电层导电。
【专利说明】
氧化物超导薄膜线材及其制造方法
技术领域
[0001 ]本发明设及氧化物超导薄膜线材W及氧化物超导薄膜线材的制造方法。
【背景技术】
[0002] 由于发现了在液氮的溫度下，具有超导性的高溫超导材料，已经积极地开发了旨 在应用于电力设备，诸如电缆、限流器和磁体的高溫超导线材。具体地，在基底上形成由稀 ±基氧化物超导材料制成的薄层(在下文中也称为"氧化物超导层"）的氧化物超导薄膜线 材已经受到关注。
[0003] 通常通过在具有双轴取向的宽金属基底上，形成由例如由REBCO(REBa2Cu3化-S: RE 是指"稀±")表示的氧化物超导材料制成的氧化物超导层，并且将该基底切割(纵切)为预 定宽度，形成运种氧化物超导薄膜线材(例如，P化1至PTL 4)。
[0004] 具体地，首先，通过例如瓣射法，在宽金属基底上形成由Y203 (氧化锭）、YSZ (锭稳定 氧化错）、Ce化(二氧化姉)等制成的氧化物层，作为缓冲层。
[0005] 然后，通过物理气相沉积法(PV的去），诸如脉冲激光沉积法(PL的去）、瓣射法或离子 锻法或化学气相沉积法(CVD法），诸如金属有机分解法(MO的去），在缓冲层上形成氧化物超 导层。
[0006] 然后，通过瓣射法等，在氧化物超导层上形成银(Ag)稳定层。通过运些工艺，制成 宽氧化物超导线材。
[0007] 然后，通过使用机械纵切机、激光纵切机等，使宽氧化物超导线材经历纵切W便具 有预定宽度。
[000引图4是示意性地示出由此纵切的氧化物超导薄膜线材的结构的示例的透视图。氧 化物超导薄膜线材1包括金属基底B、缓冲层14、氧化物超导层15和Ag稳定层16。如图4所示， 包括用作支撑基材的不诱钢（SUS)层11、用作取向层的铜（Cu)层12和用作防氧化层的儀 (Ni)层13的复合基底被广泛用作金属基底B。在本文中，Cu层12和Ni层13构成金属基底B的 导电层。
[0009]引用列表 [0010] 专利文献
[00川 ？化1:日本未审专利申请公开No.07-037444
[0012] ?化2:日本未审专利申请公开No.2003-308745
[0013] ?化3:日本未审专利申请公开No.2007-287629
[0014] ?化4:日本未审专利申请公开No.2013-12406

【发明内容】

[001引技术问题
[0016]然而，当高于临界电流（Ic)的电流流过氧化物超导层15时，氧化物超导层15不保 持在超导状态并且改变成正常导电状态。因此，在氧化物超导层15中产生高电阻W产生热， 最终可能会损坏(烧坏)氧化物超导层15。
[0017] 因此，即使当高于Ic的电流(过电流）临时流过时，需要防止过电流流过氧化物超 导层。由此，通过不仅沉积Ag稳定层16,而且沉积Cu稳定层17,提供图4中所示的氧化物超导 薄膜线材1。
[0018] 在运些稳定层中，电阻随厚度增加而减小。因此，抑制由于过电流而导致的溫度升 高，降低烧坏发生的可能性并且实现快速恢复至超导状态。
[0019] 然而，随着稳定层的厚度增加，变得更难W弯曲氧化物超导薄膜线材。因此，丧失 氧化物超导薄膜线材的特征并且制造成本增加。
[0020] 因此，本发明的目的是提供一种氧化物超导薄膜线材，能充分地忍受大的过电流， 同时能充分地保持氧化物超导薄膜线材易于弯曲，W及制造该氧化物超导薄膜线材的方 法。
[0021] 解决问题的技术方案
[0022] 本发明的方面设及一种氧化物超导薄膜线材，包括金属基底、层叠体和化稳定层，
[0023] 其中，所述金属基底包括支撑基材和位于所述支撑基材上的导电层；
[0024] 所述导电层包括用作内层的化层和双轴取向的表面层；
[0025] 所述层叠体包括从所述金属基底依次在所述金属基底上堆叠的缓冲层、氧化物超 导层和Ag稳定层，
[0026] 所述化稳定层形成为围绕所述层叠体和所述金属基底，W及
[0027] 将所述Cu稳定层和所述Ag稳定层的至少一个形成为与所述金属基底的导电层的 至少一部分接触并且与所述金属基底的导电层导电。
[0028] 本发明的另一方面设及一种制造氧化物超导薄膜线材的方法，所述方法包括：
[0029] 层叠体形成步骤，用于通过从金属基底依次在宽的金属基底上形成缓冲层、氧化 物超导层和Ag稳定层，形成层叠体，所述金属基底包括支撑基材和位于所述支撑基材上并 且包括用作内层的Cu层和双轴取向的表面层的导电层；
[0030] 纵切步骤，用于将所述金属基底和所述层叠体切成预定宽度；
[0031] 导电层暴露步骤，用于从所述纵切金属基底和层叠体，暴露所述金属基底的导电 层的一部分；W及
[0032] Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得Cu稳定层围绕所述层叠体和所述金 属基底，
[0033] 其中，在所述Cu稳定层形成步骤中，将所述Cu稳定层形成为与所述金属基底的导 电层的暴露部分接触并且与所述导电层导电。
[0034] 本发明的又一方面设及一种制造氧化物超导薄膜线材的方法，所述方法包括：
[0035] 层叠体形成步骤，用于通过从金属基底依次在宽的金属基底上形成缓冲层和氧化 物超导层，形成层叠体，所述金属基底包括支撑基材和位于所述支撑基材上并且包括用作 内层的Cu层和双轴取向的表面层的导电层；
[0036] 纵切步骤，用于将所述金属基底和所述层叠体切成预定宽度；
[0037] 导电层暴露步骤，用于形成从所述纵切层叠体的表面延伸至所述金属基底的导电 层的至少一个通孔.
[0038] Ag稳定层形成步骤，用于在所述层叠体上形成Ag稳定层；W及
[0039] Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得Cu稳定层围绕所述金属基底和其上 已经形成所述Ag稳定层的层叠体，
[0040] 其中，在所述Ag稳定层形成步骤中，将所述Ag稳定层形成为通过所述通孔，与所述 金属基底的导电层接触并且与所述金属基底的导电层导电。
[0041] 本发明的又一方面设及一种制造氧化物超导薄膜线材的方法，所述方法包括：
[0042] 层叠体形成步骤，用于通过从金属基底依次在宽的金属基底上形成缓冲层和氧化 物超导层，形成层叠体，所述金属基底包括支撑基材和位于所述支撑基材上并且包括用作 内层的Cu层和双轴取向的表面层的导电层；
[0043] 纵切步骤，用于将所述金属基底和所述层叠体切成预定宽度；
[0044] 导电层暴露步骤，用于从所述纵切层叠体和金属基底的侧端面暴露所述金属基底 的化层的至少一部分；
[0045] Ag稳定层形成步骤，用于在所述层叠体和所述金属基底上形成Ag稳定层；W及
[0046] Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得Cu稳定层进一步围绕所述层叠体和 其上已经形成所述Ag稳定层的金属基底，
[0047] 其中，在所述Ag稳定层形成步骤中，将所述Ag稳定层形成为所述Ag稳定层围绕所 述层叠体和所述金属基底W实现所述金属基底的Cu层的暴露部分和所述Ag稳定层之间的 导电。
[004引本发明的有益效果
[0049] 根据本发明，能提供一种氧化物超导薄膜线材，能充分地承受大的过电流，同时充 分地保持氧化物超导薄膜线材易于弯曲，W及制造该氧化物超导薄膜线材的方法。
【附图说明】
[0050] 图1是示意性地示出纵切氧化物超导薄膜线材的切割端部的状态的截面图。
[0051] 图2A是示意性地示出根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材结构的示例的 截面图。
[0052] 图2B是示意性地示出根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材结构的示例的 截面图。
[0053] 图2C是示意性地示出根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材结构的示例的 截面图。
[0054] 图3A是示意性地示出根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材结构的示例的 截面图。
[0055] 图3B是示意性地示出根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材结构的示例的 截面图。
[0056] 图3C是示意性地示出根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材结构的示例的 截面图。
[0057] 图4是示意性地示出氧化物超导薄膜线材的结构的示例的透视图。
【具体实施方式】
[0058] [根据本发明的实施例的描述]
[0059] 首先，将列出和描述根据本发明的实施例的内容。
[0060] (1)根据本发明的实施例的一种氧化物超导薄膜线材包括金属基底、层叠体和Cu 稳定层。金属基底包括支撑基材和位于支撑基材上的导电层。导电层包括用作内层的Cu层 和双轴取向的表面层。层叠体包括从金属基底依次在金属基底上堆叠的缓冲层、氧化物超 导层和Ag稳定层。Cu稳定层形成为围绕层叠体和金属基底。将Cu稳定层和Ag稳定层的至少 一个形成为与金属基底的导电层的至少一部分接触并且与金属基底的导电层导电。
[0061] 为解决上述问题，本发明人详细地观察已知氧化物超导薄膜线材的结构。因此，发 现如图1所示，在纵切氧化物超导薄膜线材1的切割端部，由用作绝缘体的缓冲层14覆盖金 属基底B的化层12和Ni层13 W及Ag稳定层16并且在维持该状态的同时，形成化稳定层17。运 是因为在纵切处理中，当采用机械纵切机时接触刀片，在基底中产生崎变，或当采用激光纵 切机时，由于切割表面处形成合金的结果，产生渣淳，由此，在切割端部中，抑制化层12和Ni 层13的暴露。
[0062] 本发明已经考虑到如果构成金属基底B的导电层的Cu层12和Ni层13与稳定层，诸 如化稳定层17或Ag稳定层16导电，则化层12和Ni层13还能被用作稳定层。换句话说，已知如 果能使在已知的氧化物超导薄膜线材中，简单地用来形成双轴取向层和防氧化层的化层12 和Ni层13被用作用于氧化物超导薄膜线材中的过电流的载流路径，则在不增加稳定层的厚 度的情况下，能充分地承受大的过电流。具体地，形成化稳定层和Ag稳定层的至少一个W便 与金属基底的导电层的至少一部分接触并且与金属基底的导电层导电，由此使过电流流向 金属基底，充分地抑制发热。
[0063] (2)在该氧化物超导薄膜线材中，优选地，将至少一个通孔形成为从层叠体的表面 延伸至金属基底的导电层，并且将Cu稳定层形成为通过通孔，与金属基底的导电层接触并 且与金属基底的导电层导电。通过在堆叠缓冲层、氧化物超导层和Ag稳定层获得的层叠体 中形成延伸至金属基底的导电层的通孔，并且形成Cu稳定层W便通过该通孔，与金属基底 的导电层接触并且与金属基底的导电层导电。因此，能在金属基底的Cu层和Cu稳定层之间 实现导电并且能使过电流在较小电阻下流动。化稳定层可W与金属基底的化层的表面层接 触或可W与用作内层的Cu层接触。当Cu稳定层与导电层的表面层接触时，经由表面层，在足 够小的电阻下，在化稳定层和用作内层的化层之间实现导电。
[0064] (3)在该氧化物超导薄膜线材中，Cu稳定层可W与金属基底的Cu层的侧端面的至 少一部分接触并且可W与金属基底的化层导电。暴露金属基底的Cu层的侧端面的至少一部 分，W及形成Cu稳定层，使得经由暴露的部分，在金属基底的Cu层和Cu稳定层之间，实现导 电。由此，还能使过电流流向金属基底，由此充分地抑制发热。
[0065] (4)在该氧化物超导薄膜线材中，至少一个通孔可W被形成为从层叠体的表面延 伸至金属基底的导电层，并且可W将Ag稳定层形成为通过通孔，与金属基底的导电层接触 并且与金属基底的导电层导电。该通孔延伸至金属基底的导电层，W及具有高导电性的Ag 稳定层形成为通过通孔，与金属基底的导电层接触，并且与导电层导电。因此，能在金属基 底的Cu层和Ag稳定层之间，实现导电，并且能使过电流在较小电阻下流动。Ag稳定层可W与 金属基底的导电层的表面层接触或与用作内层的化层接触。当Ag稳定层与导电层的表面层 接触时，经由表面层，在足够小的电阻下，在Ag稳定层和用作内层的Cu层之间实现导电。
[0066] (5)在该氧化物超导薄膜线材中，Ag稳定层可W与金属基底的Cu层的侧端面的至 少一部分接触并且可W与金属基底的化层导电。暴露金属基底的Cu层的侧端面的至少一部 分，并且将Ag稳定层形成为经由暴露部分，在金属基底的Cu层和Ag稳定层之间实现导电。由 此，也能使过电流流向金属基底，由此能充分地抑制发热。
[0067] (6)根据本发明的实施例的一种制造氧化物超导薄膜线材的方法包括层叠体形成 步骤，用于通过从金属基底依次在宽的金属基底上形成缓冲层、氧化物超导层和Ag稳定层， 形成层叠体，金属基底包括支撑基材和位于支撑基材上并且包括用作内层的化层和双轴取 向的表面层的导电层；纵切步骤，用于将金属基底和层叠体切成预定宽度；导电层暴露步 骤，用于从纵切金属基底和层叠体，暴露金属基底的导电层的一部分；W及化稳定层形成步 骤，用于形成Cu稳定层，使得Cu稳定层围绕层叠体和金属基底。在Cu稳定层形成步骤中，将 化稳定层形成为与金属基底的导电层的暴露部分接触并且与导电层导电。
[0068] 由此，能提供制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，能W低成本和高质量，有效 地制造根据(1)至(3)的氧化物超导薄膜线材。
[0069] (7)在制造氧化物超导薄膜线材的方法中，导电层暴露步骤可W是形成从纵切层 叠体的表面延伸至金属基底的导电层的至少一个通孔的导电层暴露步骤，W及在化稳定层 形成步骤中，可W将Cu稳定层形成为通过通孔，与金属基底的导电层接触并且可W与金属 基底的导电层导电。通过在层叠体中形成通孔，能肯定地暴露金属基底的导电层。运实现在 足够小的电阻下，Cu稳定层和基底的导电层之间的导电。可W通过形成延伸至表面的通孔， 使Cu稳定层与金属基底的表面层接触，或通过形成延伸至Cu层的通孔，与金属基底的Cu层 接触。
[0070] (8)在制造氧化物超导薄膜线材的方法中，导电层暴露步骤可W是从纵切层叠体 和金属基底的侧端面暴露金属基底的化层的至少一部分的导电层暴露步骤，W及化稳定层 形成步骤可W是形成Cu稳定层，使得化稳定层围绕层叠体和金属基底来实现金属基底的Cu 层的暴露部分和Cu稳定层之间导电的Cu稳定层形成步骤。通过简单的方法，暴露金属基底 的Cu层的侧端面，由此，能在足够小的电阻下，在Cu稳定层和金属基底的Cu层之间实现导 电。
[0071] (9)在制造氧化物超导薄膜线材的方法中，导电层暴露步骤优选地是抛光纵切层 叠体和金属基底的侧端面W暴露金属基底的Cu层的至少一部分的Cu层暴露步骤。不特别地 限定用于暴露Cu层的具体方法，只要肯定能去除覆盖金属基底的Cu层的绝缘体。抛光是优 选的，因为通过简单的过程，肯定能暴露化层。
[0072] (10)根据本发明的实施例的一种制造氧化物超导薄膜线材的方法包括:层叠体形 成步骤，用于通过从金属基底依次在宽的金属基底上形成缓冲层和氧化物超导层，形成层 叠体，金属基底包括支撑基材和位于支撑基材上并且包括用作内层的化层和双轴取向的表 面层的导电层;纵切步骤，用于将金属基底和层叠体切成预定宽度;导电层暴露步骤，用于 形成从纵切层叠体的表面延伸至金属基底的导电层的至少一个通孔;Ag稳定层形成步骤， 用于在层叠体上形成Ag稳定层；W及化稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得化稳定层 围绕金属基底和其上已经形成Ag稳定层的层叠体。在Ag稳定层形成步骤中，将Ag稳定层形 成为通过通孔，与金属基底的导电层接触并且与金属基底的导电层导电。
[0073] 在该制造方法中，使具有高导电性的Ag稳定层通过通孔，与金属基底的导电层的 表面层或化层接触，由此，能在足够小的电阻下，在金属基底的表面层或Cu层和Ag稳定层之 间实现导电。在通过执行电锻，形成Cu稳定层的情况下，在形成Cu稳定层前，通过用Ag稳定 层覆盖在通孔中暴露的氧化物超导层的端面，防止由于电锻液而导致的氧化物超导层的劣 化。由此，能提供用于制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，能W低成本和高质量，有效地 制造根据(1)和(4)的氧化物超导薄膜线材。
[0074] (11)根据本发明的另一实施例的一种制造氧化物超导薄膜线材的方法包括:层叠 体形成步骤，用于通过从金属基底依次在宽的金属基底上形成缓冲层和氧化物超导层，形 成层叠体，金属基底包括支撑基材和位于支撑基材上并且包括用作内层的化层和双轴取向 的表面层的导电层;纵切步骤，用于将金属基底和层叠体切成预定宽度;导电层暴露步骤， 用于从纵切层叠体和金属基底的侧端面暴露金属基底的化层的至少一部分;Ag稳定层形成 步骤，用于在层叠体和金属基底上形成Ag稳定层；W及Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定 层，使得Cu稳定层进一步围绕层叠体和其上已经形成Ag稳定层的金属基底。在Ag稳定层形 成步骤中，将Ag稳定层形成为Ag稳定层围绕层叠体和金属基底W实现金属基底的化层的暴 露部分和Ag稳定层之间的导电。
[0075] 在该制造方法中，使具有高导电性的Ag稳定层与金属基底的暴露的Cu层接触，由 此，能在足够小的电阻下，在金属基底的Cu层和Ag稳定层之间实现导电。在通过执行电锻， 形成Cu稳定层的情况下，在形成Cu稳定层前，通过用Ag稳定层覆盖金属基底的侧端面处暴 露的氧化物超导层的端面，防止由于电锻液而导致的氧化物超导层的劣化。由此，能提供用 于制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，能W低成本和高质量，有效地制造根据（1)和巧） 的氧化物超导薄膜线材。
[0076] (12)在制造氧化物超导薄膜线材的方法中，导电层暴露步骤优选地是抛光纵切层 叠体和金属基底的侧端面来暴露金属基底的Cu层的至少一部分的Cu层暴露步骤。不特别地 限定用于暴露Cu层的具体方法，只要肯定能去除覆盖金属基底的Cu层的绝缘体。抛光是优 选的，因为通过简单的过程，肯定能暴露化层。
[0077] [本发明的实施例的详细内容]
[0078] 在下文中，将参考附图，描述根据本发明的氧化物超导薄膜线材的实施例。在运些 图中，相同或相应的部件由相同的参考数字表示并且将省略重复描述。本发明不限于运些 示例并且由权利要求的范围表示。本发明旨在涵盖权利要求的范围的等价物和权利要求的 范围内的所有改进。
[0079] 1.氧化物超导薄膜线材的结构
[0080] 首先，将描述氧化物超导薄膜线材的结构。根据该实施例的氧化物超导薄膜线材 的基本结构与图4所示的氧化物超导薄膜线材的基本结构相同，除Cu稳定层和Ag稳定层的 至少一个与金属基底的导电层的至少一部分接触W便与金属基底的导电层导电外。
[0081] 将参考图2A，描述根据本实施例的氧化物超导薄膜线材。在图2A所示的氧化物超 导薄膜线材1中，17a表示Cu稳定层的一部分，18表示通孔，W及S表示通过层叠缓冲层14、氧 化物超导层15和Ag稳定层16获得的层叠体。在该氧化物超导薄膜线材1中，通孔18贯穿层叠 体S，W及Cu稳定层的部分17a通过通孔18,与金属基底B的导电层的表面层（具体地，Ni层 13)接触。如图2A所示，Cu稳定层的部分17a与金属基底B的导电层的表面层(具体地，Ni层 13)接触，由此，经由Ni层13，在足够小的电阻下，使金属基底B的化层12与化稳定层17导电。 由此，能充分地使难W被用作用于过电流的载流路径的化层12被用作载流路径。因此，即使 当不增加稳定层的厚度时，也能承受大的过电流。
[00剧（敗化）
[0083] Cu稳定层17可W与金属基底B的导电层的Cu层12接触。图2B中的氧化物超导薄膜 线材1不同于图2A中的氧化物超导薄膜线材1之处在于通孔18达到金属基底B的化层12并且 化稳定层17的部分17a与Cu层12直接接触。当化稳定层17与化层12直接接触时，在更充分小 的电阻下Cu层12与Cu稳定层导电。由此，能足够使难W被用作过电流的载流路径的Cu层12 被用作载流路径。因此，即使当不增加稳定层的厚度时，也能承受大的过电流。
[0084] 换句话说，由于由作为绝缘体的缓冲层14覆盖Cu层12,如图1所示，Cu层12不与氧 化物超导层15电连接。如上所述，运是因为在纵切处理中，由于当采用机械纵切机时的刀片 接触，在基底中产生崎变，或当采用激光纵切机时，在切割表面处形成合金的结果，产生渣 淳，由此，在侧端部不会暴露Cu层12。因此，如果不形成通孔18，Cu层12通过不具有太高导电 率的SUS层11，与Cu稳定层17导电并且W间接方式，与氧化物超导层15导电。运使得难W允 许Cu层12被用作用于过电流的载流路径。相反，当如图2A和2B所示，形成通孔1別寸，如上所 述，在足够小的电阻下，金属基底的Cu层12与Cu稳定层17导电。由此，足W使Cu层12被用作 载流路径。
[0085] 不具体地限制通孔18的数量。可W在氧化物超导薄膜线材的纵向和宽度方向中形 成多个通孔18。在将在平面图中所看到的，具有矩形形状的通槽形成为通孔18的情况下，不 具体地限定槽的长度。考虑氧化物超导薄膜线材的宽度、通孔的数量、过电流的假定值和在 通孔18内部Cu的形成，适当地确定当在平面图中看时，具有矩形形状的通孔18的宽度和当 在平面图中看时，具有圆形形状的通孔18的直径，W便能使足够大的电流流过并且充分地 抑制Ic的减小。通常，通孔18的宽度或直径优选地为0.1至05 .mm，更优选0.2至0.4mm。
[0086] (改进 2)
[0087] 图2C中的氧化物超导薄膜线材1不同于图2A和2B中的氧化物超导薄膜线材1之处 在于Cu稳定层17与金属基底B的化层12的侧端面19接触。在根据该实施例的氧化物超导薄 膜线材1中，在金属基底B的侧端部处暴露Cu层12,并且Cu稳定层17与Cu层12的侧端面19接 触。由此，在足够小的电阻下，使金属基底B的化层12与Cu稳定层17导电。当在足够小的电阻 下，使Cu层12与Cu稳定层17导电时，能足W使难W被用作过电流的载流路径的Cu层12被用 作载流路径。因此，即使当不增加稳定层的厚度时，也能承受大的过电流。
[0088] 如上所述，由于金属基底B的化层12由作为绝缘体的缓冲层14覆盖，并且在纵切处 理后，在侧端部处不会暴露，因此，Cu层12不电连接到氧化物超导层15。因此，如果在金属基 底B的侧端部处不暴露Cu层12，加层12通过不具有太高导电性的SUS层11，与Cu稳定层17导 电并且W间接方式，与氧化物超导层15导电。运使得难W允许Cu层12被用作用于过电流的 载流路径。相反，当如图2C所示，暴露化层12时，如上所述，在足够小的电阻下，使Cu层12与 化稳定层17导电。由此，能足W使化层12被用作载流路径。
[0089] 不特别地限定Cu层12的暴露部分的位置和数量。暴露部分可W位于化层12的一侧 或化层12的两侧，如图2C所示。可W根据例如过电流的假定值，设定暴露部分的大小(面积） 和数量。
[0090] (改进 3)
[0091] 图3A中的氧化物超导薄膜线材1不同于图2A中的氧化物超导薄膜线材1之处在于 Ag稳定层的部分16a通过通孔18,与金属基底B的导电层的表面层(具体地，Ni层13)接触。在 通孔中，将Ag稳定层的部分16a形成为与Ni层13接触，W及在其上形成化稳定层17。当具有 高导电性的Ag稳定层16与金属基底B的表面层(具体地，Ni层13)接触时，在通孔中暴露该表 面层，经由Ni层13,在足够小的电阻下金属基底B的Cu层12与Ag稳定层16导电。由此，能足W 使难W被用作用于过电流的载流路径的Cu层12被用作载流路径。因此，即使当不增加稳定 层的厚度时，也能承受大的过电流。
[0092] (改进 4)
[0093] Ag稳定层可W与金属基底B的导电层的Cu层直接接触。图3B中的氧化物超导薄膜 线材1不同于图3A中的氧化物超导薄膜线材1之处在于通孔18达到金属基底B的化层12W及 Ag稳定层16的部分与Cu层12直接接触。在通孔中，将Ag稳定层的部分形成为与Cu层 12接触，并且在其上形成化稳定层17。当具有高导电性的Ag稳定层17与Cu层12直接接触时， 在更充分小的电阻下，Cu层12与Ag稳定层16导电。由此，能足W使难W用作过电流的载流路 径的化层12被用作载流路径。因此，即使当不增加稳定层的厚度时，也能承受大的过电流。
[0094] 如上所述，由于金属基底B的化层12被作为绝缘体的缓冲层14覆盖，并且在纵切处 理后不会在侧端部处暴露，Cu层12不与氧化物超导层15电连接。因此，如果不形成通孔18， 化层12通过不具有太高导电性的SUS层11，与化稳定层17和Ag稳定层16导电，并且W间接方 式，与氧化物超导层15导电。运使得难W允许Cu层12被用作用于过电流的载流路径。相反， 当如图3A和3B所示，形成通孔1別寸，如上所述，在足够小的电阻下，使金属基底的Cu层12与 Ag稳定层16导电。由此，能足W使化层12被用作载流路径。
[0095] 不具体地限定通孔18的数量。可W在氧化物超导薄膜线材的纵向和宽度方向中形 成多个通孔18。在将从平面图上看，具有矩形形状的通槽形成为通孔18的情况下，不具体地 限定凹槽的长度。考虑到氧化物超导薄膜线材的宽度、通孔的数量、过电流的假定值W及在 通孔18内部Ag的形成，适当地确定从平面图上看，具有矩形形状的通孔18的宽度或从平面 图上看，具有圆形形状的通孔18的直径，使得能使足够大电流流过并且充分地抑制Ic的减 小。通常，通孔18的宽度或直径优选地为0.1至0.5mm，更优选0.2至0.4mm。
[0096] (改进 5)
[0097] 图3C中的氧化物超导薄膜线材1不同于图3A和3B中的氧化物超导薄膜线材1之处 在于Ag稳定层16与金属基底B的化层12的侧端面19接触。在根据该实施例的氧化物超导薄 膜线材1中，在金属基底B的侧端部处暴露Cu层12,并且具有高导电性的Ag稳定层16与Cu层 12的侧端面19接触。因此，在足够小的电阻下金属基底B的化层12与Ag稳定层16导电。由此， 能足W使难W被用作用于过电流的载流路径的Cu层12被用作载流路径。因此，即使当不增 加稳定层的厚度时，也能承受大的过电流。
[0098] 如上所述，由于金属基底B的化层12被作为绝缘体的缓冲层14覆盖，并且在纵切处 理后，在侧端部处不暴露，因此，Cu层12不与氧化物超导层15电连接。因此，如果在金属基底 B的侧端部处不暴露Cu层12，加层12通过不具有太高导电性的SUS层11，与Cu稳定层17和Ag 稳定层16导电并且W间接方式，与氧化物超导层15导电。运使得难W允许Cu层12被用作用 于过电流的载流路径。相反，当如图3C所示，暴露化层12时，如上所述，在足够小电阻下Cu层 12与Ag稳定层16导电。由此，能足W使化层12被用作载流路径。
[0099] 不具体地限定化层12的暴露部的位置和数量。暴露部可W位于化层12的一侧或Cu 层12的两侧，如图3C所示。可W根据例如过电流的假定值，设定暴露部的大小（面积)和数 量。
[0100] 2.用于氧化物超导薄膜线材的构件
[0101] (1)金属基底
[0102] 金属基底B包括支撑基材和位于支撑基材上的导电层。金属基底B是具有化层12的 双轴取向的金属基底并且由例如SUS/Cu/化复合材料制成。例如，优选地使用包括厚度约 100皿的洲S层11、厚度为20至50皿的Cu层12, W及厚度为2至3皿的Ni层13的金属基底。在本 文中，SUS层是支撑基材，并且导电层包括用作内层的Cu层12和用作表面层的Ni层13。导电 层的Cu层12和Ni层13具有比SUS层11更高的导电性。运种金属基底B通过例如在SUS层11上 通过滚压层叠化，然后，使化层12的表面经受Ni电锻而制成。
[0103] (2)缓冲层
[0104] 缓冲层14具有多层结构，包括从金属基底B依次用于外延生长缓冲层同时保持金 属基底的取向的巧晶层、用于防止元素，诸如金属基底B的Ni向氧化物超导层15扩展的阻挡 层(防扩散层），W及具有与氧化物超导层15的晶格匹配并且用于外延生长氧化物超导层的 盖层(晶格匹配层）。例如，缓冲层14优选地具有立层结构，包括具有0.1至0.2皿厚度的Y203、 具有0.2至0.4WI1的厚度的YSZ W及具有约0.1皿的厚度的Ce化。
[0105] (3)氧化物超导层
[0106] 氧化物超导层15通过外延生长由双轴取向的稀±基氧化物超导材料形成。具体 地，例如，优选地使用G地C0(G地曰2化3〇7-8)。不特别地限定该层的厚度，并且根据所需性能近 似地确定。厚度是例如1至扣m。用于氧化物超导层15的材料不限于G地CO,而是可W由REBCO (REBa2化307-S:RE是指"稀±元素"）表示的氧化物超导材料。
[0107] (4)稳定层
[010引稳定层由Ag稳定层16和化稳定层17构成。
[0109] Ag稳定层16设置在氧化物超导层15上或设置成覆盖金属基底B的外周表面和具有 例如5至IOwii的厚度的层叠体。银具有高导电性并且是对氧化物超导材料和铜呈现出良好 附着力的材料。因此，银适合用作用于覆盖氧化物超导层15或纵切金属基底和层叠体的外 周表面并且穿过通孔18的稳定层的材料。
[0110] Cu稳定层17沉积在Ag稳定层16外部W便覆盖厚度为例如10至50WI1的氧化物超导 薄膜线材的整个外周表面。铜具有高导电性并且比银更廉价。因此，铜适合用作用于覆盖纵 切金属基底和层叠体的外周表面并且通过通孔18的稳定层的材料。
[0111] 如上所述，在根据本发明的实施例的氧化物超导薄膜线材1中，化稳定层17或Ag稳 定层16与金属基底B的导电层接触。更具体地说，如图2A、图2B、图3A和图3B所示，化稳定层 17的部分17a或Ag稳定层16的部分16a通过通孔18,与金属基底B的表面层(具体地，Ni层13) 或化层12接触。或者，如图2C和图3C所示，化稳定层17或Ag稳定层16可W与金属基底B的Cu 层12的侧端面19的至少一部分接触。
[0112] 3.用于制造氧化物超导薄膜线材的方法
[0113] 接着，在下文中，在处理顺序中，将图2A的氧化物超导薄膜线材1用作示例，描述用 于制造根据本实施例的氧化物超导薄膜线材1的方法。
[0114] (1)形成缓冲层
[0115] 首先，在金属基底B上形成缓冲层14。具体地，使用具有例如IOmm或更大的宽度的 金属基底B，并且按此顺序，在Ni层13上形成Y2化层、YSZ层和Ce化层。通常通过PVD方法，诸如 瓣射法，形成缓冲层14。
[0116] (2)形成氧化物超导层
[0117] 然后，通过外延生长，在缓冲层14上形成氧化物超导层15。如上所述，通过PV的去、 MO的去等，形成氧化物超导层15"PV的去的示例包括PLD(脉冲激光沉积)法、瓣射法、或真空沉 积法和离子锻法。优选地采用PL的去，因为能易于形成具有与目标相同组分比的薄膜。
[0118] 在膜形成后，在预定时间内，W预定溫度，在预定大气下执行退火W形成氧化物超 导层15。具体地，例如，在120分钟内，在800°C、100ppm的化浓度的大气下，执行高溫低氧退 火，然后，在120分钟内，在550°C、98%的化浓度的大气下，执行氧退火。
[0119] (3)形成稳定层
[0120] 然后，通过瓣射法，诸如DC瓣射法，在氧化物超导层15上形成Ag稳定层16。在形成 Ag稳定层16后，当必要时，在氧气环境中执行热处理。
[0121] (4)纵切
[0122] 然后，使用上述机械纵切机、激光纵切机等，通过层叠缓冲层14、氧化物超导层15 和Ag稳定层16获得的层叠体S和金属基底B切成预定宽度，执行纵切。
[0123] (5)用于导电层的暴露处理
[0124] 然后，从纵切的金属基底B和层叠体S暴露金属基底B的导电层的一部分。在图2A所 示的氧化物超导薄膜线材1中，通过激光加工等，在预定位置处形成具有预定大小并且贯穿 包括Ag稳定层16、氧化物超导层15和缓冲层14的层叠体SW便达到金属基底B的表面层(具 体地，Ni层13)的预定多个通孔18。
[0125] (6)形成化稳定层
[0126] 然后，通过在已经执行纵切并且形成通孔18的氧化物超导薄膜线材的外周表面上 电锻，形成Cu稳定层17。在本文中，在如上所述的（5)用于导电层的暴露处理中形成的通孔 18中，执行化电锻，因此，形成贯穿每一通孔18的化稳定层17的部分17曰。
[0127] 在例如下述条件下，执行电锻。
[012 引
[0129] (改进1的制造方法）
[0130] 用于制造图2B所示的氧化物超导薄膜线材1(改进1)的方法不同于用于制造图2A 的氧化物超导薄膜线材1的方法之处在于在用于制造图2A的氧化物超导薄膜线材1的方法 中的（5)用于导电层的暴露处理中，形成贯穿Ni层13和层叠体SW便达到化层12的通孔18。 其他处理相同并且省略其描述。如上所述，金属基底B的导电层的化层12和Ni层13的厚度分 别为例如20至50]im W及2至3]im。由于化层12的厚度远大于Ni层13的厚度，因此，能易于形成 通孔W达到化层12。
[0131](改进2的制造方法）
[0132] 用于制造图2C所示的氧化物超导薄膜线材1(改进2)的方法不同于用于制造图2A 的氧化物超导薄膜线材1的方法之处在于在用于制造图2A的氧化物超导薄膜线材1的方法 的（5)用于导电层的暴露处理中，暴露金属基底B的Cu层12的侧端面19而不形成通孔。在金 属基底B的侧端面处的Cu层12的暴露处理中，去除覆盖金属基底B的侧端面的覆盖材料，诸 如渣淳W便在金属基底B的侧端面处暴露化层12。
[0133] 可W通过使用具有能够切割层叠体S的侧端部的刀片的特殊切割机，切断层叠体S 的侧端部的方法，执行暴露处理，而不会使基底崎变。然而，优选地采用用于通过执行抛光， 仅去除覆盖材料的方法，因为肯定能去除覆盖材料，而不会恶化线材的质量W暴露化层。如 上所述，抛光法的具体示例包括通过研磨粒研磨、机械化学抛光和通过砂纸或抛光带抛光。
[0134] (用于改进3的制造方法）
[0135] 接着，按处理顺序，在下文中，将描述用于制造图3A所示的氧化物超导薄膜线材1 (改进3)的方法。
[0136] (1)形成缓冲层和(2)形成氧化物超导层
[0137] 在金属基底B上形成缓冲层14和氧化物超导层15W与在用于制造图2A所示的氧化 物超导薄膜线材1的方法的情况下相同的方式，形成层叠体。在形成氧化物超导层15后，可 W在其上形成Ag稳定层16W形成层叠体，但不一定形成Ag稳定层16。
[013引 （3)纵切
[0139] 然后，通过使用上述机械纵切机、激光纵切机等，将层叠体和金属基底B切成预定 宽度，执行纵切。
[0140] (4)用于导电层的暴露处理
[0141 ]然后，从纵切层叠体和金属基底B暴露金属基底B的导电层的一部分。在用于制造 图3A所示的氧化物超导薄膜线材1的方法中，通过激光加工等，在预定位置处，形成具有预 定大小和贯穿层叠体W便到达金属基底B的表面层的预定多个通孔18。
[0142] (5)形成Ag稳定层
[0143] 然后，通过瓣射法，诸如DC瓣射法，在层叠体上形成Ag稳定层16。由此，在氧化物超 导层15上形成Ag稳定层，同时，在如上所述的（4)用于导电层的暴露处理中形成的通孔18 中，形成Ag层。因此，通过每一通孔18，形成Ag稳定层16的部分16a。
[0144] (6)形成Cu稳定层
[0145] 然后，通过在氧化物超导薄膜线材1的外周表面上电锻形成Cu稳定层17。由此，将 Cu稳定层17形成为围绕层叠体S和金属基底B。在本文中，还在通孔中形成的Ag稳定层的部 分16a上形成化稳定层17。在该制造方法中，由Ag稳定层16覆盖在通孔中暴露的氧化物超导 层15的端面。因此，在形成Cu稳定层期间，能防止由于电锻液而导致的氧化物超导层15的劣 化。电锻条件与在用于制造图2A所示的氧化物超导薄膜线材1的方法中所述的条件相同。
[0146] (改进4的制造方法）
[0147] 用于制造图3B所示的氧化物超导薄膜线材1(改进4)的方法不同于用于制造图3A 的氧化物超导薄膜线材1(改进3)的方法在于在用于改进3的制造方法的（5)用于导电层的 暴露处理中，形成贯穿Ni层13和层叠体W便达到Cu层12的通孔18。其他处理是相同的并且 省略其描述。如上所述，金属基底B的导电层的Cu层12和Ni层13的厚度分别为例如20至50WI1 W及2至化m。由于Cu层12的厚度远大于Ni层13的厚度，因此，能易于形成通孔W达到Cu层 12。
[0148] (用于改进5的制造方法）
[0149] 接着，在下文中，按处理顺序描述用于制造图3C所示的氧化物超导薄膜线材1(改 进5)的方法。
[0150] (1)形成缓冲层和(2)形成氧化物超导层
[0151] W与用于制造图3A所示的氧化物超导薄膜线材1的方法的情形相同的方式，在金 属基底B上形成缓冲层14和氧化物超导层15来形成层叠体。在形成氧化物超导层15后，在其 上可W形成Ag稳定层16来形成层叠体，但不一定形成Ag稳定层16。
[0152] (3)纵切
[0153] 然后，通过使用上述机械纵切机、激光纵切机等，将层叠体和金属基底B切成预定 宽度而执行纵切。
[0154] (4)用于导电层的暴露处理
[0155] 然后，从纵切层叠体和金属基底B，暴露金属基底B的导电层的一部分。在用于制造 图3C所示的氧化物超导薄膜线材1(改进5)的方法中，去除覆盖金属基底B的侧端部的覆盖 材料，诸如渣淳来在金属基底B的侧端部处暴露化层12。通过使用具有能够切割层叠体的侧 端部而不变形基底的刀片的特殊切割机，切断层叠体的侧端部的方法，执行暴露处理。然 而，优选地采用通过执行抛光，仅去除覆盖材料的方法，因为肯定能去除覆盖材料，而不劣 化线材的质量W暴露Cu层。如上所述，抛光的具体示例包括通过研磨粒研磨、机械化学抛光 和通过砂纸或抛光带抛光。
[0156] (5)形成Ag稳定层
[0157] 然后，通过瓣射法，诸如DC瓣射法，形成Ag稳定层16W围绕层叠体和金属基底B。由 此，在氧化物超导层15上形成Ag稳定层，同时，还在如上所述的（4)用于导电层的暴露处理 中，金属基底B的侧端部处暴露的化层12的侧端面19上形成Ag稳定层16。
[0158] (6)形成Cu稳定层
[0159] 然后，通过在形成Ag稳定层的氧化物超导薄膜线材1的外周表面上电锻，形成化稳 定层17。在本文中，通过Ag稳定层16覆盖在金属基底B的侧端面19处暴露的氧化物超导层15 的端面。因此，能在形成Cu稳定层期间，防止由于电锻液而导致的氧化物超导层15的劣化。 电锻条件与在用于制造图2A所示的氧化物超导薄膜线材1的方法中所述的条件相同。
[0160] 表1总体示出优选结构（材料、厚度）、膜形成（制造）方法和每一部件的作用（功 能）。巧。
[0161]
[0162] [实验示例]
[0163] 接着，将基于实验示例，更具体地描述本发明。
[0164] 1.制造氧化物超导薄膜线材
[0165] 首先，为金属基底准备具有150皿厚度、30mm宽度和Im长度的洲S/Cu/化复合材料 (SUS层：lOOwn，Cu层:4祉m W及Ni层:2WI1)。然后，通过瓣射法，在金属基底上形成具有0.5皿 的厚度的S层结构的缓冲层化〇3:0.1皿，YSZ: 0.3皿和Ce〇2:0.1皿）。
[0166] 接着，通过PL的去，形成G地CO氧化物超导层(厚度:4皿），然后，通过瓣射法，形成Ag 稳定层(厚度:5皿)W形成层叠体。由此，制作宽的氧化物超导薄膜线材。使该宽的氧化物超 导薄膜线材经历纵切W具有4mm的宽度。
[0167] 接着，通过激光加工，形成贯穿从纵切的氧化物超导薄膜线材的Ag稳定层的表面 到金属基底的化层的层叠体的两个通槽(宽度:0.2mm)。
[0168] 接着，使用具有上述配方的电锻液，W5A/dm2的电流密度，在10分钟内，执行电锻 处理W形成具有50WI1的厚度的Cu稳定层。由此，制造实验示例1的氧化物超导薄膜线材。在 本文中，作为电锻处理的结果，还用化填充通槽。
[0169] 除通过#200砂纸，抛光纵切氧化物超导薄膜线材的侧端面W暴露金属基底的化层 夕h W与上文相同的方式，制造实验示例2的氧化物超导薄膜线材。
[0170] 除在纵切的氧化物超导薄膜线材中不形成通槽W及不抛光侧端面外，W与上文相 同的方式，制造实验示例3的氧化物超导薄膜线材。
[0171] 所制成的线材的每一个的Ic值为200A。
[0172] 2.评估
[0173] 然后，将具有13mses的矩形波的电流施加到每一实验示例的氧化物超导薄膜线 材。测量破坏(烧坏)氧化物超导薄膜线材的电流。作为结果，确认W下内容。在实验示例3 中，在350A处发生烧坏，而在实验示例1和2中，直到500A都不会发生烧坏，尽管氧化物超导 薄膜线材具有相同的大小和结构。运表明实验示例1和2中的氧化物超导薄膜线材能承受大 于或等于实验示例3的过电流的1.4倍的过电流。
[0174] 当将与金属基底的导电层接触的稳定层从Cu稳定层改变成Ag稳定层时，也获得相 同的结果。此外，当氧化物超导层从G地CO氧化物超导层改变成YBCO氧化物超导层时，也能 获得相同的结果。
[0175] 工业适用性
[0176] 本发明能够提供一种包括例如稀±基氧化物超导层并且承受大的过电流，而不会 丧失超导薄膜线材的特性(例如，不会使得难W弯曲超导薄膜线材)的超导薄膜线材。本发 明用来促使超导线材的实际使用。
[0177] 参考符号列表
[0178] 1 氧化物超导薄膜线材
[0179] 11 SUS层
[0180] 12 Cu 层
[0181] 13 Ni 层
[0182] 14 缓冲层
[0183] 15 氧化物超导层
[0184] 16 Ag 稳定层
[01化]16a Ag稳定层的部分
[0186] 17 Cu 稳定层
[0187] 17a化稳定层的部分
[0188] 18 通孔
[0189] 19 侧端面
[0190] B 金属基底
[0191] S 层叠体
【主权项】
1. 一种氧化物超导薄膜线材，包括金属基底、层叠体和Cu稳定层， 其中，所述金属基底包括支撑基材和位于所述支撑基材上的导电层， 所述导电层包括用作内层的Cu层和双轴取向的表面层， 所述层叠体包括从所述金属基底依次在所述金属基底上堆叠的缓冲层、氧化物超导层 和Ag稳定层， 所述Cu稳定层被形成为围绕所述层叠体和所述金属基底，以及 所述Cu稳定层和所述Ag稳定层中的至少一个被形成为与所述金属基底的所述导电层 的至少一部分接触并且与所述金属基底的所述导电层导电。2. 根据权利要求1所述的氧化物超导薄膜线材，其中，至少一个通孔被形成为从所述层 叠体的表面延伸至所述金属基底的所述导电层，并且所述Cu稳定层形成为通过所述通孔与 所述金属基底的所述导电层接触并且与所述金属基底的所述导电层导电。3. 根据权利要求1所述的氧化物超导薄膜线材，其中，所述Cu稳定层与所述金属基底的 所述Cu层的侧端面的至少一部分接触并且与所述金属基底的所述Cu层导电。4. 根据权利要求1所述的氧化物超导薄膜线材，其中，至少一个通孔被形成为从所述层 叠体的表面延伸至所述金属基底的所述导电层，并且所述Ag稳定层被形成为通过所述通孔 与所述金属基底的所述导电层接触并且与所述金属基底的所述导电层导电。5. 根据权利要求1所述的氧化物超导薄膜线材，其中，所述Ag稳定层与所述金属基底的 所述Cu层的侧端面的至少一部分接触并且与所述金属基底的所述Cu层导电。6. -种制造氧化物超导薄膜线材的方法，所述方法包括： 层叠体形成步骤，用于通过从宽的金属基底依次在所述金属基底上形成缓冲层、氧化 物超导层和Ag稳定层，来形成层叠体，所述金属基底包括支撑基材和导电层，所述导电层位 于所述支撑基材上并且包括用作内层的Cu层和双轴取向的表面层； 纵切步骤，用于将所述金属基底和所述层叠体切成预定宽度； 导电层暴露步骤，用于从纵切的所述金属基底和所述层叠体暴露所述金属基底的所述 导电层的一部分；以及 Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得所述Cu稳定层围绕所述层叠体和所述金 属基底， 其中，在所述Cu稳定层形成步骤中，所述Cu稳定层被形成为与所述金属基底的所述导 电层的暴露部分接触并且与所述导电层导电。7. 根据权利要求6所述的制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，所述导电层暴露步骤 是形成从纵切的所述层叠体的表面延伸至所述金属基底的所述导电层的至少一个通孔的 导电层暴露步骤，以及 在所述Cu稳定层形成步骤中，所述Cu稳定层被形成为通过所述通孔与所述金属基底的 所述导电层接触并且与所述金属基底的所述导电层导电。8. 根据权利要求6所述的制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，所述导电层暴露步骤 是从纵切的所述层叠体和所述金属基底的侧端面暴露所述金属基底的所述Cu层的至少一 部分的导电层暴露步骤，以及 所述Cu稳定层形成步骤是形成所述Cu稳定层使得所述Cu稳定层围绕所述层叠体和所 述金属基底以实现所述金属基底的所述Cu层的暴露部分和所述Cu稳定层之间的导电的Cu 稳定层形成步骤。9. 根据权利要求8所述的制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，在所述导电层暴露步 骤中，抛光纵切的所述层叠体和所述金属基底的侧端面以暴露所述金属基底的所述Cu层的 至少一部分。10. -种制造氧化物超导薄膜线材的方法，所述方法包括： 层叠体形成步骤，用于通过从宽的金属基底依次在所述金属基底上形成缓冲层和氧化 物超导层，来形成层叠体，所述金属基底包括支撑基材和导电层，所述导电层位于所述支撑 基材上并且包括用作内层的Cu层和双轴取向的表面层； 纵切步骤，用于将所述金属基底和所述层叠体切成预定宽度； 导电层暴露步骤，用于形成从纵切的所述层叠体的表面延伸至所述金属基底的所述导 电层的至少一个通孔； Ag稳定层形成步骤，用于在所述层叠体上形成Ag稳定层；以及 Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得所述Cu稳定层围绕所述金属基底和已经 形成有所述Ag稳定层的所述层叠体， 其中，在所述Ag稳定层形成步骤中，所述Ag稳定层被形成为通过所述通孔与所述金属 基底的所述导电层接触并且与所述金属基底的所述导电层导电。11. 一种制造氧化物超导薄膜线材的方法，所述方法包括： 层叠体形成步骤，用于通过从宽的金属基底依次在所述金属基底上形成缓冲层和氧化 物超导层，来形成层叠体，所述金属基底包括支撑基材和导电层，所述导电层位于所述支撑 基材上并且包括用作内层的Cu层和双轴取向的表面层； 纵切步骤，用于将所述金属基底和所述层叠体切成预定宽度； 导电层暴露步骤，用于从纵切的所述层叠体和所述金属基底的侧端面暴露所述金属基 底的所述Cu层的至少一部分； Ag稳定层形成步骤，用于在所述层叠体和所述金属基底上形成Ag稳定层；以及 Cu稳定层形成步骤，用于形成Cu稳定层，使得所述Cu稳定层进一步围绕所述层叠体和 已经形成有所述Ag稳定层的所述金属基底， 其中，在所述Ag稳定层形成步骤中，所述Ag稳定层被形成为使得所述Ag稳定层围绕所 述层叠体和所述金属基底以实现所述金属基底的所述Cu层的暴露部分和所述Ag稳定层之 间的导电。12. 根据权利要求11所述的制造氧化物超导薄膜线材的方法，其中，在所述导电层暴露 步骤中，抛光纵切的所述层叠体和所述金属基底的侧端面以暴露所述金属基底的所述Cu层 的至少一部分。
【文档编号】H01F6/06GK105940465SQ201580006215
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2015年3月4日
【发明人】山口高史, 永石龙起, 小西昌也, 大木康太郎, 本田元气
【申请人】住友电气工业株式会社