一种V₂O₅和Bphen修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法

一种V₂O₅和Bphen修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种V2O5和Bphen修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明在常规的钙钛矿型太阳能电池的基础上，在空穴传输层与底电极之间添加了一层V2O5修饰层，防止酸性PEDOT:PSS薄膜对ITO电极的腐蚀，提高了电池结构的稳定性，并利用V2O5薄膜对光子的反射功能，增加了钙钛矿活性层对光子的吸收率。此外，在电子传输层与顶电极之间，添加了一层Bphen薄膜，增加了对PCBM空穴传输层的覆盖率，防止钙钛矿层与Ag电极的直接接触，增加了太阳能电池器件的光电转换效率和寿命。本发明制得的钙钛矿太阳能电池最大的光电转换效率为14.05%，并且在保存300h之后，仍然有9.69%的转换效率。
【专利说明】
一种V2O5和Bphen修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法
技术领域
[0001 ]本发明属于I丐钛矿太阳能电池的制备技术领域，具体涉及一种V2O5和Bphen修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法。
【背景技术】
[0002]金属卤化物钙钛矿型太阳能电池，由于其原材料普通、制作工艺简单，兼具生产成本低廉和光电转换性能优异等特点，被认为是光伏产业的新星。2009年，首次出现的有机无机杂化的卤素钙钛矿太阳能电池光电转化效率只有3.8%。2011年后，人们对该类型电池的研究取得了一系列重大突破。最近，已经被认证的电池的光电转换效率已经达到了 22.1%。从2009年到现在，只有短短7年的时间，对钙钛矿太阳能电池的研究，取得了许多重要的突破。尽管钙钛矿型太阳能电池的光电转换效率有了较大的提高，但电池的稳定性和寿命一直是困扰研究者的难题，也是阻碍它规模化应用的最大障碍之一。

【发明内容】

[0003]本发明解决的技术问题是提供了一种V2O5和Bphen修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，制得的钙钛矿型太阳能电池利用V2O5和Bphen作为修饰层，二者可以分别改善空穴传输层和电子传输层的性能，进一步提高太阳能电池的光电转换效率和稳定性，并延长太阳能电池的使用寿命。
[0004]本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案，一种V2O5和Bphen修饰的I丐钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于具体步骤为:
步骤S1:刻蚀ITO基片
步骤SlOl:将大块的ITO导电玻璃切割成尺寸为13mm X 15mm的矩形ITO导电玻璃，用12_宽的导电胶沿着矩形ITO导电玻璃的窄边中央粘紧，避免导电胶和ITO导电玻璃中间存在气泡；
步骤S102:在步骤SlOl所得未覆盖导电胶的ITO导电玻璃边缘撒上一层Zn粉；
步骤S103:将经步骤S102处理的ITO导电玻璃转移到通风橱中，用滴管将浓盐酸滴到Zn粉上，在Zn粉作为催化剂的条件下，浓盐酸将未覆盖导电胶的ITO腐蚀掉，导电胶保护ITO导电玻璃中央不需刻蚀的部分，ITO基片刻蚀完成；
步骤S2:清洗ITO基片
步骤S201:用蘸有洗涤剂的棉球反复擦洗刻蚀完成的ITO基片，除去ITO基片上附着的污渍；
步骤S202:将经步骤S201处理的ITO基片在摩尔浓度为0.5_lmol/L的NaOH溶液中超声洗涤10-20min，中和未反应完全的浓盐酸；
步骤S203:将经步骤S202处理的ITO基片依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声洗涤10-20min并重复I次，分别除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S204:将经步骤S203处理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的条件下干燥10-15min；
步骤S205:将经步骤S204处理的ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧10-15min，即得到干净的ITO基片；
步骤S3:配制化学试剂
步骤S301:称量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去离子水中，搅拌12h以上；
步骤S302:称量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌12h以上；
步骤S303:称量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶剂中，搅拌12h以上；
步骤S304:称量0.5mg的Bphen溶解于ImL无水乙醇溶剂中，搅拌12h以上；
步骤S4:制备钙钛矿太阳能电池器件
步骤S401:将步骤S301所得溶液用0.45μπι的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S2得到的干净ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火10-20min后自然冷却；
步骤S402:将PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S401处理的IT0基片上，以4000-5000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火10-20min后自然冷却；
步骤S403:将经步骤S402处理的ITO基片转移到手套箱中，再将步骤S302所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S402处理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂40s，重复涂覆操作一次，然后放置在加热台上退火，从30°C开始，每间隔8-10min升温10°C，直至温度升高至100°C，加热90-120min后自然冷却；
步骤S404:将步骤S303所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S403处理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂40s ；
步骤S405:将步骤S304所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S404处理的ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，在加热台上于60°C退火10-15min后自然冷却；步骤S406:将步骤S405所得ITO基片倒置放入刻有图案的掩模板中，放入蒸镀机中，在4.5X 15Pa的压强条件下蒸镀Ag电极，钙钛矿太阳能电池器件制备完成。
[0005]本发明与现有技术相比具有以下有益效果:
1、在钙钛矿太阳能电池中用V2O5薄膜修饰PEDOT:PSS空穴传输层，它不仅能阻止酸性PED0T:PSS薄膜对ITO电极的破坏，增强电池的稳定性，而且可以增强钙钛矿层对光子的吸收率；
2、在钙钛矿太阳能电池中用Bphen薄膜修饰PCBM电子传输层，增加电子传输层的覆盖率，防止钙钛矿薄膜部分区域与Ag电极的直接接触，增加空穴传输层对电子的收集率，并能降低钙钛矿层与大气环境的直接接触，提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率与寿命；
3、制得的钙钛矿型太阳能电池最大的光电转换效率为14.05%，并且在保存300h之后，仍然有9.69%的转换效率，效率仅下降了 30%。
【附图说明】
[0006]图1是本发明实施例1所得钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图；
图2是本发明实施例1所得钙钛矿太阳能电池的光电转换效率PCE随时间的变化图； 图3是本发明实施例1所得钙钛矿太阳能电池的填充因子FF随时间的变化图；
图4是本发明实施例1所得钙钛矿太阳能电池的开路电压Vqc随时间的变化图；
图5是本发明实施例1所得钙钛矿太阳能电池的短路电流Jsc随时间的变化图；
图6是本发明实施例2所得钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图；
图7是本发明实施例3所得钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图。
【具体实施方式】
[0007]以下通过实施例对本发明的上述内容做进一步详细说明，但不应该将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明上述内容实现的技术均属于本发明的范围。
[0008]实施例1
步骤S1:刻蚀ITO基片
步骤SlOl:将大块的ITO导电玻璃切割成尺寸为13mm X 15mm的矩形ITO导电玻璃，用12_宽的导电胶沿着矩形ITO导电玻璃的窄边中央粘紧，避免导电胶和ITO导电玻璃中间存在气泡；
步骤S102:在步骤SlOl所得未覆盖导电胶的ITO导电玻璃边缘撒上一层薄薄的Zn粉；步骤S103:将经步骤S102处理的ITO导电玻璃转移到通风橱中，用滴管将浓盐酸缓慢滴到Zn粉上，在Zn粉作为催化剂的条件下，浓盐酸将未覆盖导电胶的ITO腐蚀掉，导电胶保护ITO导电玻璃中央不需刻蚀的部分，ITO基片即刻蚀完成；
步骤S2:清洗ITO基片
步骤S201:用蘸有洗涤剂的棉球反复擦洗刻蚀完成的ITO基片，除去ITO基片上附着的污渍；
步骤S202:将经步骤S201处理的ITO基片在摩尔浓度为0.5mol/L的NaOH溶液中超声洗涤1min，中和未反应完全的浓盐酸；
步骤S203:将经步骤202处理的ITO基片依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声洗涤1min并重复I次，分别除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S204:将经步骤S203处理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的条件下干燥1min;步骤S205:将经步骤S204处理的ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧lOmin，即得干净的ITO基片；
步骤S3:配制化学试剂
步骤S301:称量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去离子水中，搅拌12h;
步骤S302:称量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL DMF溶剂中，搅拌12h;
步骤S303:称量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶剂中，搅拌12h ；
步骤S304:称量0.5mg的Bphen粉末溶解于ImL无水乙醇溶剂中，搅拌12h;
步骤S4:制备钙钛矿太阳能电池器件
步骤S401:将步骤S301所得溶液用0.45μπι的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S2得到的干净ITO基片上，以2000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火20min后自然冷却，即得到V2O5修饰层； 步骤S402:将PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S401处理的IT0基片上，以4500rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火20min后自然冷却，SP得到PEDOT: PSS空穴传输层；
步骤S403:将经步骤S402处理的ITO基片转移到手套箱中，再将步骤S302所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S402处理的ITO基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，重复涂覆操作一次，然后放置在加热台上退火，从30°C开始，每间隔1min升温10°C，直至温度升高至100°C，加热10min后自然冷却，即得到钙钛矿光吸收层；
步骤S404:将步骤S303所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S403处理的ITO基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，即得到PCBM电子传输层；
步骤S405:将步骤S304所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S404处理的ITO基片上，以2000rpm的速率旋涂40s，放置在加热台上于60 °C退火1min后自然冷却，即得到Bphen修饰层；
步骤S406:将经步骤S405处理的ITO基片倒置放入刻有图案的掩模板中，放入蒸镀机中，在4.5 X 15Pa的压强下蒸镀Ag电极，钙钛矿太阳能电池器件制备完成。
[0009]图1是本实施例制得钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图。在AMl.5光谱条件、10mW/cm2的光源强度照射条件下，模拟日光测试所制电池器件的性能，从图1可以看出，电池器件的光电转换效率为14.05%，开路电压为0.91V，短路电流密度为21.49mA/cm2，填充因子为0.73ο
[0010]图2-5给出了本实施例制得的钙钛矿太阳能电池器件最初300h内的电池转换效率的变化趋势。从图2-5中可以看到，在300h之后电池的光电转换效率从14.05%降低到了9.69%，效率下降较慢，填充因子没有明显的下降，开路电压和短路电流密度下降缓慢，该方法制得的钙钛矿太阳能电池器件的稳定性较好。
[0011]实施例2
步骤S1:刻蚀ITO基片
步骤SlOl:将大块的ITO导电玻璃切割成尺寸为13mm X 15mm的矩形ITO导电玻璃，用12_宽的导电胶沿着矩形ITO导电玻璃的窄边中央粘紧，避免导电胶和ITO导电玻璃中间存在气泡；
步骤S102:在步骤SlOl所得未覆盖导电胶的ITO导电玻璃边缘撒上一层薄薄的Zn粉；步骤S103:将经步骤S102处理的ITO导电玻璃转移到通风橱中，用滴管将浓盐酸缓慢滴到Zn粉上，在Zn粉作为催化剂的条件下，浓盐酸将未覆盖导电胶的ITO腐蚀掉，导电胶保护ITO导电玻璃中央不需刻蚀的部分，ITO基片即刻蚀完成；
步骤S2:清洗ITO基片
步骤S201:用蘸有洗涤剂的棉球反复擦洗刻蚀完成的ITO基片，除去ITO基片上附着的污渍；
步骤S202:将经步骤S201处理的ITO基片在摩尔浓度为lmol/L的NaOH溶液中超声洗涤15min，中和未反应完全的浓盐酸；
步骤S203:将经步骤S202处理的ITO基片依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声洗涤12min并重复I次，分别除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S204:将经步骤S203处理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的条件下干燥12min; 步骤S205:将经步骤S204处理的ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧12min，即得干净的ITO基片；
步骤S3:配制化学试剂
步骤S301:称量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去离子水中，搅拌15h;
步骤S302:称量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL DMF溶剂中，搅拌15h;
步骤S303:称量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶剂中，搅拌15h ；
步骤S304:称量0.5mg的Bphen粉末溶解于ImL无水乙醇溶剂中，搅拌15h;
步骤S4:制备钙钛矿太阳能电池器件
步骤S401:将步骤S301所得溶液用0.45μπι的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S2得到的干净ITO基片上，以2500rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火15min后自然冷却，即得到V2O5修饰层；
步骤S402:将PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S401处理的IT0基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火15min后自然冷却，SP得到PEDOT: PSS空穴传输层；
步骤S403:将经步骤S402处理过的ITO基片转移到手套箱中，再将步骤S302所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S402处理的ITO基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，重复涂覆操作一次，然后放置在加热台上退火，从30°C开始，每间隔1min升温10°C，直至温度升高至100°C，加热120min后自然冷却，即得到钙钛矿光吸收层；
步骤S404:将步骤S303所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S403处理的ITO基片上，以3500rpm的速率旋涂40s，即得到PCBM电子传输层；
步骤S405:将步骤S304所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S404处理的ITO基片上，以2500rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于60 °C退火1min后自然冷却，即得到Bphen修饰层；
步骤S406:将经步骤S405处理的ITO基片倒置放入刻有图案的掩模板中，放入蒸镀机中，在4.5 X 15Pa的压强下蒸镀Ag电极，钙钛矿太阳能电池器件制备完成。
[0012]图6是本实施例制得钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图。在AMl.5光谱条件、10mW/cm2的光源强度照射条件下，模拟日光测试所制电池器件的性能，从图6可以看出，太阳能电池器件的光电转换效率为13.97%，开路电压为0.90V，短路电流密度为21.62mA/cm2，填充因子为0.72，此实施制备的电池效率、开路电压、填充因子略有下降，短路电流密度增大。
[0013]实施例3
步骤S1:刻蚀ITO基片
步骤SlOl:将大块的ITO导电玻璃切割成尺寸为13mm X 15mm的矩形ITO导电玻璃，用12_宽的导电胶沿着矩形ITO导电玻璃的窄边中央粘紧，避免导电胶和ITO导电玻璃中间存在气泡；
步骤S102:在步骤SlOl所得未覆盖导电胶的ITO导电玻璃边缘撒上一层薄薄的Zn粉；步骤S103:将经步骤S102处理的ITO导电玻璃转移到通风橱中，用滴管将浓盐酸缓慢滴到Zn粉上，在Zn粉作为催化剂的条件下，浓盐酸将未覆盖导电胶的ITO腐蚀掉，导电胶保护ITO导电玻璃中央不需刻蚀的部分，ITO基片即刻蚀完成； 步骤S2:清洗ITO基片
步骤S201:用蘸有洗涤剂的棉球反复擦洗刻蚀完成的ITO基片，除去ITO基片上附着的污渍；
步骤S202:将经步骤S201处理的ITO基片在摩尔浓度为0.8mol/L的NaOH溶液中超声洗涤20min，中和未反应完全的浓盐酸；
步骤S203:将经步骤S202处理的ITO基片依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声洗涤20min并重复I次，分别除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S204:将经步骤S203处理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的条件下干燥15min;步骤S205:将经步骤S204处理的ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧15min，即得干净的ITO基片；
步骤S3:配制化学试剂
步骤S301:称量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去离子水中，搅拌24h;
步骤S302:称量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL DMF溶剂中，搅拌24h;
步骤S303:称量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶剂中，搅拌24h ；
步骤S304:称量0.5mg的Bphen粉末溶解于ImL无水乙醇溶剂中，搅拌24h;
步骤S4:制备钙钛矿太阳能电池器件
步骤S401:将步骤S301所得溶液用0.45μπι的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S2得到的干净ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140 °C退火1min后自然冷却，即得到V2O5修饰层；
步骤S402:将PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S401处理的IT0基片上，以5000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火1min后自然冷却，SP得到PEDOT: PSS空穴传输层；
步骤S403:将经步骤S402处理的ITO基片转移到手套箱中，再将步骤S302所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S402处理的ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，重复涂覆操作一次，然后放置在加热台上退火，从30°C开始，每间隔Smin升温10°C，直至温度升高至100°C，加热90min后自然冷却，即得到钙钛矿光吸收层；
步骤S404:将步骤S303所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S403处理的ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，即得到PCBM电子传输层；
步骤S405:将步骤S304所得溶液用0.22μπι的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S404处理的ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于60°C退火15min后自然冷却，即得到Bphen修饰层；
步骤S406:将经步骤S405处理的ITO基片倒置放入刻有图案的掩模板中，放入蒸镀机中，在4.5 X 15Pa的压强下蒸镀Ag电极，钙钛矿太阳能电池器件制备完成。
[0014]图7是本实施例制得钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图。在AMl.5光谱条件、10mW/cm2的光源强度照射条件下，模拟日光测试所制电池器件的性能，从图7可以看出，太阳能电池器件的光电转换效率为13.93%，开路电压为0.91V，短路电流密度为21.56mA/cm2，填充因子为0.71，此实施制备的电池效率、填充因子略有下降，开路电压不变，短路电流密度增大。
[0015]以上实施例描述了本发明的基本原理、主要特征及优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明原理的范围下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进均落入本发明保护的范围内。
【主权项】
1.一种V2O5和Bphen修饰的I丐钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于具体步骤为: 步骤S1:刻蚀ITO基片 步骤SlOl:将大块的ITO导电玻璃切割成尺寸为13mm× 15mm的矩形ITO导电玻璃，用12_宽的导电胶沿着矩形ITO导电玻璃的窄边中央粘紧，避免导电胶和ITO导电玻璃中间存在气泡； 步骤S102:在步骤SlOl所得未覆盖导电胶的ITO导电玻璃边缘撒上一层Zn粉； 步骤S103:将经步骤S102处理的ITO导电玻璃转移到通风橱中，用滴管将浓盐酸滴到Zn粉上，在Zn粉作为催化剂的条件下，浓盐酸将未覆盖导电胶的ITO腐蚀掉，导电胶保护ITO导电玻璃中央不需刻蚀的部分，ITO基片刻蚀完成； 步骤S2:清洗ITO基片 步骤S201:用蘸有洗涤剂的棉球反复擦洗刻蚀完成的ITO基片，除去ITO基片上附着的污渍； 步骤S202:将经步骤S201处理的ITO基片在摩尔浓度为0.5-lmol/L的NaOH溶液中超声洗涤10-20min，中和未反应完全的浓盐酸； 步骤S203:将经步骤S202处理的ITO基片依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声洗涤.10-20min并重复I次，分别除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质； 步骤S204:将经步骤S203处理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的条件下干燥10-.15min； 步骤S205:将经步骤S204处理的ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧10-15min，即得到干净的ITO基片； 步骤S3:配制化学试剂 步骤S301:称量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去离子水中，搅拌12h以上； 步骤S302:称量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌12h以上； 步骤S303:称量20mg的PCBM粉末溶解于1mL氯苯溶剂中，搅拌12h以上； 步骤S304:称量0.5mg的Bphen溶解于1mL无水乙醇溶剂中，搅拌12h以上； 步骤S4:制备钙钛矿太阳能电池器件 步骤S401:将步骤S301所得溶液用0.45μm的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S2得到的干净ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火10-20min后自然冷却； 步骤S402:将PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系滤头过滤，涂覆在经步骤S401处理的IT0基片上，以4000-5000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加热台上于140°C退火10-20min后自然冷却； 步骤S403:将经步骤S402处理的ITO基片转移到手套箱中，再将步骤S302所得溶液用.0.22μm的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S402处理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂.40s，重复涂覆操作一次，然后放置在加热台上退火，从30°C开始，每间隔8-10min升温10°C，直至温度升高至100°C，加热90-120min后自然冷却； 步骤S404:将步骤S303所得溶液用0.22μm的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S403处理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂40s ； 步骤S405:将步骤S304所得溶液用0.22μm的有机滤头过滤，涂覆在经步骤S404处理的ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，在加热台上于60°C退火10-15min后自然冷却；步骤S406:将步骤S405所得ITO基片倒置放入刻有图案的掩模板中，放入蒸镀机中，在.4.5× 15Pa的压强条件下蒸镀Ag电极，钙钛矿太阳能电池器件制备完成。
【文档编号】H01L51/48GK106033795SQ201610561112
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年7月18日
【发明人】刘志勇, 何庭伟, 黎文峰, 刘凯凯, 苏健
【申请人】河南师范大学