提供一种LED巧片，其包括；衬底1、n型GaN层2、发光层3、P型GaN层4、透明导电层5、P型电极6和N型电极7。
[0036] 所述n型GaN层2设置在衬底1上，所述n型GaN层2远离所述衬底1的一侧表 面设置为台阶面21，所述衬底1为藍宝石衬底。
[0037] 所述台阶面包括；n型GaN层顶端平铺的第一表面、纵向的第二表面和底端平铺的 第=表面，所述第二表面与第=表面之间的斜面角为80°~85°。
[003引所述发光层下表面设置在第一表面211上，所述发光层上表面上设置有P型GaN层4。
[0039] 所述透明导电层5设置在所述P型GaN层4上表面上，所述斜面从第二表面延续 经过透明导电层直至所述P型GaN层4上表面。
[0040] 所述P型电极6,设置在所述透明导电层5远离所述衬底的表面上.
[0041] 所述N型电极7,设置在第=表面213上。
[0042] 本方案采用W下步骤制作L邸巧片刻蚀台面：
[0043] 1、用电子束真空蒸锻方法在L邸巧片可是台面上沉积一层1000至1500埃的镶 层；
[0044] 2、利用正性光刻胶做MESA光刻；
[0045] 3、采用包含氯化铁、盐酸W及水的液溶液腐蚀镶层；
[0046] 4、去除光刻胶；
[0047] 4、ICP刻蚀；
[0048] 5、去除镶层。
[0049] 实施例2 ;
[0化日]结合图3,本实施例提供一种LED巧片，其包括；衬底1、n型GaN层2、发光层3、P型GaN层4、透明导电层5、P型电极6和N型电极7。
[0化^ 所述n型GaN层2设置在衬底1上，所述n型GaN层2远离所述衬底1的一侧表 面设置为台阶面21，所述衬底1为藍宝石衬底。
[0化2] 所述台阶面包括；n型GaN层顶端平铺的第一表面、纵向的第二表面和底端平铺的 第=表面，所述第二表面与第=表面之间的斜面角为80°~85°。
[0化3] 所述发光层下表面设置在第一表面211上，所述发光层上表面上设置有P型GaN 层4。
[0054] 所述透明导电层5设置在所述P型GaN层4上表面上，所述斜面从第二表面延续 经过透明导电层直至所述P型GaN层4上表面。
[0化5]所述P型电极6,设置在所述透明导电层5远离所述衬底的表面上.
[0化6] 所述N型电极7,设置在第=表面213上。
[0057] 所述发光层为量子阱发光区，其厚度为140nm-160nm。所述透明导电层厚度为 70nm-235nm。
[005引本方案中采用镶层作为刻蚀的保护层可W使刻蚀形貌变得更接近90度，即第二 表面倾斜角a接近90°。该是因为现有技术采用光刻胶作为刻蚀保护层时，图形边缘的光 刻胶会出现塌陷，经过ICP刻蚀后会形成较大的斜坡，而本方案中的L邸巧片采用镶层可W 避免该个问题，形成接近90°的台阶面。
[0化9] 本方案与传统的LED巧片的效果对比如下表所示；
[0060]
[00川从上表可W看出，本专利采用镶层作保护层，第二表面的倾斜角明显接近90°，亮 度高4%W上，IR值即漏电明显要小。
[0062] 相对于现有技术中的LED巧片，本实用新型的优势在于：
[0063] 本实用新型采用了镶层作为刻蚀的保护层可W使刻蚀形貌变得更接近90度，保 证L邸巧片边缘形成较竖直的台阶层，使得L邸巧片的有效发光面积增大，增强了L邸的亮 度。另外，本方案的斜坡接近竖直，能有效防止斜坡在巧片的后续作业过程中粘附上污染 物，由此避免了粘附污染物造成的L邸漏电现象。
[0064] 上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请 并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、 修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识 进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申 请所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1. 一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底、n型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电 层、P型电极和N型电极，其中， 所述n型GaN层，设置在衬底上，所述n型GaN层远离所述衬底的一侧面设置为台阶 面； 所述台阶面包括m型GaN层顶端平铺的第一表面、纵向的第二表面和底端平铺的第三 表面，所述第二表面与第三表面之间的斜面角为80°~85°，其中， 所述发光层下表面设置在第一表面上，所述发光层上表面上设置有P型GaN层； 所述透明导电层设置在所述P型GaN层上表面上，所述斜面从第二表面延续经过透明 导电层直至所述P型GaN层上表面； 所述P型电极，设置在所述透明导电层远离所述衬底的表面上； 所述N型电极，设置在第三表面上。2. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。3. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜面角为85°。4. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜面角为80°。5. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光层厚度为140nm-160nm。6. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层厚度为70nm-235nm。
【专利摘要】本实用新型提供LED芯片包括：衬底、n型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电层、P型电极和N型电极，其中，n型GaN层，设置在衬底上，n型GaN层远离衬底的一侧面设置为台阶面。台阶面包括：n型GaN层顶端平铺的第一表面、纵向的第二表面和底端平铺的第三表面，第二表面与第三表面之间的斜面角为80°～85°，其中，发光层下表面设置在第一表面上，发光层上表面上设置有P型GaN层。透明导电层设置在P型GaN层上表面上，斜面从第二表面延续经过透明导电层直至P型GaN层上表面。P型电极，设置在透明导电层远离衬底的表面上。N型电极，设置在第三表面上。该LED芯片保证了LED芯片边缘形成接近竖直的台阶层，增大了LED芯片的有效发光面积，增强了LED的亮度。
【IPC分类】H01L33/20, H01L33/32
【公开号】CN204651342
【申请号】CN201520342091
【发明人】徐平, 苗振林, 戚运东
【申请人】湘能华磊光电股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月25日