大尺寸显示器件，成为未来发展的主要方向。
[0049]有源矩阵有机发光二极管显示基板包括交叉分布的栅线(图中未示出)和数据线(图中未示出)，栅线和数据线与像素界定层60的位置对应。每一像素区域101还包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅电极与栅线连接，源电极与数据线连接，漏电极20与有机发光二极管的阳极40连接。通过栅线逐行打开每行的薄膜晶体管，数据线上的像素电压通过薄膜晶体管传输至每列有机发光二极管的阳极40，形成驱动有机发光层发光的电场。其中，阳极40与栅线具有交叠区域，形成存储电容，在每帧画面的显示时段，所述存储电容能够维持阳极40上的像素电压保持不变，从而让每一像素区域101皆维持在发光状态。
[0050]对于有源矩阵有机发光二极管显示基板，一般首先形成薄膜晶体管，然后在薄膜晶体管上形成有机发光二极管。为了保护薄膜晶体管的半导体性能，会在薄膜晶体管上覆盖第一无机绝缘层31。而在形成有机发光二极管之前，还会形成覆盖薄膜晶体管的第一有机平坦层30，以为有机发光二极管提供平坦的表面。
[0051]现有技术中，如图1a所示，在形成薄膜晶体管之后，首先形成第一无机绝缘层31，覆盖薄膜晶体管，然后在第一无机绝缘层31上形成第一有机平坦层30。这样会导致像素界定层60与第一有机平坦层30直接接触，由于像素界定层60和第一有机平坦层30均为有机材料，像素界定层60和第一有机平坦层30交叠的第一部分厚度较厚，当显示基板弯折时，该第一部分很容易发生断裂，对应该第一部分所在区域的封装薄膜100也容易发生断裂，导致水氧从正面进入，并扩散至周边区域侵蚀有机发光二极管。
[0052]为了解决上述技术问题，本实用新型实施例中的第一有机平坦层30覆盖薄膜晶体管，在第一有机平坦层31上设置第一无机绝缘层31，有机发光二极管设置在第一无机绝缘层31上，如图2a所示。由于像素界定层60和第一有机平坦层30不直接接触，使得显示基板弯折时，容易断裂的区域集中在相邻子像素界定层61之间的第一间隙62处，防止对应子像素界定层61所在区域的封装薄膜100发生断裂，保护有机发光二极管不被水氧侵蚀。进一步地，设置水氧阻隔层71填充第一间隙62，从而当显示基板在第一间隙62处发生断裂时，水氧阻隔层71也能够阻挡水氧通过第一间隙62从正面进入，防止水氧侵蚀有机发光二极管的阴极70，阻断水氧从第一间隙62扩散至周边区域。其中，水氧阻隔层71的材料可以为与水氧反应后的生成物具有阻隔水氧特性的金属Al。
[0053]在有源矩阵有机发光二极管显示基板中，覆盖薄膜晶体管、为有机发光二极管提供平坦表面的第一有机平坦层30为有机材料，其厚度较厚，当显示基板弯折时，易发生断裂。为了防止对应像素区域101所在区域的第一有机平坦层30发生断裂，进而导致对应像素区域101所在区域的封装薄膜100发生断裂，设置第一有机平坦层30包括多个子平坦层，相邻的子平坦层之间间隔第二间隙32，第二间隙31与子像素界定层61之间的第一间隙62位置对应，结合图2b和图3a所示，从而使得封装薄膜100的断裂区域尽量控制在第一间隙62所在的区域，保护对应像素区域101所在区域的封装薄膜100不会发生断裂，防止水氧从正面进入侵蚀有机发光二极管。
[0054]作为一个优选的实施方式，结合图2b和图3a所示，设置有源矩阵有机发光二极管显示基板的像素界定层60包括多个位于显示区域的子像素界定层61，相邻的子像素界定层61之间间隔第一间隙62，每个子像素界定层61用于限定至少一个像素区域101。用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管位于有机发光二极管下方。薄膜晶体管和有机发光二极管之间设置有第一有机平坦层30和第一无机绝缘层31，其中，第一有机平坦层30靠近薄膜晶体管设置，第一无机绝缘层31位于第一有机平坦层30和有机发光二极管之间。且第一有机平坦层30包括多个子平坦层，相邻的子平坦层之间间隔第二间隙32，第二间隙32与第一间隙62的位置对应，从而当显示基板弯折时，能够尽量控制封装薄膜100的断裂区域仅发生在第一间隙62所在的区域，保护对应像素区域101所在区域的封装薄膜100不会发生断裂。在第一间隙62还填充有水氧阻隔层71，如:金属Al，水氧阻隔层71覆盖有机发光二极管的阴极70，当对应第一间隙62处的封装薄膜100发生断裂时，水氧阻隔层71能够阻挡水氧通过第一间隙62从正面进入，侵蚀阴极70，并阻断水氧从第一间隙扩散至周边区域。
[0055]如图2b和3a所示，本实用新型实施例中的有源矩阵有机发光二极管显示面板具体包括:
[0056]衬底基板10，为柔性基底；
[0057]设置在衬底基板10上的薄膜晶体管；
[0058]覆盖所述薄膜晶体管10的第一有机平坦层30，第一有机平坦层30包括多个子平坦层，相邻子平坦层之间间隔第二间隙32 ;
[0059]设置在第一有机平坦层30上的第一无机绝缘层31 ；
[0060]设置在第一无机绝缘层31上的有机发光二极管的阳极40，阳极40通过贯穿第一无机绝缘层31和第一有机平坦层30的过孔与所述薄膜晶体管的漏电极20电性连接；
[0061]设置在阳极40上的像素界定层60，像素界定层60包括多个位于显示区域的子像素界定层61，相邻的子像素界定层61之间间隔第一间隙62，第一间隙62与第二间隙32的位置对应，每个子像素界定层61用于限定至少一个像素区域101 ;
[0062]设置在阳极40上、位于像素区域101内的有机发光层50 ;
[0063]覆盖有机发光层50和像素界定层60的所述有机发光二极管的阴极70 ;
[0064]覆盖阴极70的封装薄膜100，封装薄膜100包括第二无机绝缘层80、第二有机平坦层90和第三无机绝缘层81，第二有机平坦层90位于第二无机绝缘层80和第三无机绝缘层81之间，第二无机绝缘层80靠近有机发光二极管设置，覆盖有机发光二极管的阴极70。
[0065]其中，无机绝缘层(第一无机绝缘层31、第二无机绝缘层80和第三无机绝缘层81)的材料可以为氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体地，所述无机绝缘层的材料可以是SiNx，S1x或Si(0N)x。有机发光二极管的阳极40可以为透明导电层和金属Ag层的复合层，用以实现顶发射结构。有机发光二极管的阴极70为透明导电材料，如:铟锌氧化物或铟锡氧化物。
[0066]本实用新型实施例中还提供一种显示装置，包括上述有机发光二极管显示基板，当显示基板弯折时，能够阻挡水氧对有机发光二极管的侵蚀，保证显示装置的显示品质。
[0067]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示基板，包括像素界定层，用于限定多个像素区域，其特征在于，所述像素界定层包括多个位于显示区域的子像素界定层，相邻的子像素界定层之间间隔第一间隙，所述子像素界定层用于限定至少一个像素区域。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，相邻的子像素界定层之间设置有水氧阻隔层，所述水氧阻隔层填充所述第一间隙。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示基板，所有子像素界定层限定的像素区域个数相同。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，每个像素区域包括薄膜晶体管、阳极和设置在所述阳极上的有机发光层； 所述薄膜晶体管上覆盖有第一有机平坦层，所述第一有机平坦层上设置有第一无机绝缘层，所述阳极设置在所述第一无机绝缘层上。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述第一有机平坦层包括多个子平坦层，相邻的子平坦层之间间隔第二间隙，所述第一间隙和第二间隙的位置对应。6.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述水氧阻隔层的材料为金属。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述水氧阻隔层的材料为Al。8.根据权利要求1-7任一项所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括封装薄膜，所述封装薄膜包括: 第二无机绝缘层； 覆盖所述第二无机绝缘层的第二有机平坦层； 覆盖所述第二有机平坦层的第三无机绝缘层。9.根据权利要求1-7任一项所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述显示基板具体包括: 衬底基板； 设置在衬底基板上的薄膜晶体管； 覆盖所述薄膜晶体管的第一有机平坦层，所述第一有机平坦层包括多个子平坦层； 设置在所述第一有机平坦层上的第一无机绝缘层； 设置在所述第一无机绝缘层上的有机发光二极管的阳极，所述阳极通过贯穿所述第一无机绝缘层和第一平坦层的过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接； 设置在所述阳极上的像素界定层，所述像素界定层包括多个位于显示区域的子像素界定层; 设置在所述阳极上、位于所述像素区域内的有机发光层； 覆盖所述有机发光二极管的阴极； 覆盖所述阴极的封装薄膜。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的有机发光二极管显示基板。
【专利摘要】本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种有机发光二极管显示基板及显示装置。所述有机发光二极管显示基板的像素界定层包括多个位于显示区域的子像素界定层，所述子像素界定层用于限定至少一个像素区域，相邻的子像素界定层之间间隔第一间隙。当有机发光二极管显示基板弯折时，即使发生断裂，也优先在所述第一间隙处发生断裂，对应像素区域的无机封装层不易发生断裂，从而水氧不能够从正面进入，侵蚀有机发光二极管，保证显示基板的性能，提高产品品质。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/52
【公开号】CN204885169
【申请号】CN201520717348
【发明人】李云飞
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月16日