一种新型复合金属材料基板的制作方法

文档序号:10056870阅读:176来源:国知局
一种新型复合金属材料基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种新型复合金属材料基板。
【背景技术】
[0002]在LED行业中,传统具有导热散热效果的金属基板一般以单一金属性能的金属板与绝缘材料、铜箔构成。例如,铜基板中铜金属具有高导热性能,铝基板中铝板或铝合金板具有较高的散热性能及不同使用硬度。但是,随着技术发展,单一金属性能的金属基板越来越满足不了发展的需求。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术的不足,本实用新型的目的旨在于提供一种具有更好的导热散热效果的新型复合金属基板。
[0004]为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
[0005]—种新型复合金属材料基板,包括依次粘合的铜箔线路层、绝缘材料层以及铝铜复合金属板,其中所述铝铜复合金属板的铜部分与绝缘材料层相粘合;所述铜部分的上表面设有一铜凸台,粘合在一起的铜箔线路层以及绝缘材料层上设有一用于安装所述铜凸台的第一通孔,所述铜凸台的上表面与铜箔线路层的上表面齐平。
[0006]优选的,所述铜部分的厚度为所述铝铜复合金属板厚度的10% -15%。
[0007]优选的,所述铜凸台的上表面还设有用于固定LED芯片的金属锡层。
[0008]本实用新型的有益效果如下:
[0009]该新型复合金属基板具有更好的导热以及散热效果。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的新型复合金属基板的较佳实施方式的结构图。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合附图以及【具体实施方式】,对本实用新型做进一步描述:
[0012]请参见图1,本实用新型涉及一种新型复合金属材料基板,其较佳实施方式包括依次粘合的铜箔线路层1、绝缘材料层2以及铝铜复合金属板3,其中铝铜复合金属板3的铜部分与绝缘材料层2相粘合;铜部分的上表面设有一铜凸台4,粘合在一起的铜箔线路层1以及绝缘材料层2上设有一用于安装铜凸台4的第一通孔5,铜凸台4的上表面与铜箔线路层1的上表面齐平。
[0013]具体的,铝铜复合金属板是冶金结合的复合板,可详见中国发明专利一种铝与铜复合金属板带的生产方法。其中,铝铜复合金属板3的铜部分与绝缘材料层2相粘合,即铜部分的上表面与绝缘材料层的下表面粘合,可以起到快速导热的作用,同时绝缘材料层的上表面与铜箔线路层的下表面粘合。位于铜部分下表面的铝部分能够起到快速的散热作用,从而使得整个铝铜复合金属板导热散热效果更好,也即使得本实用新型的新型复合金属材料基板的导热散热效果更好。
[0014]再者,铜部分上设有的铜凸台安装在第一通孔中,铜凸台的上表面可以用于固定LED芯片,从而起到良好的导热作用。其中铜凸台可以通过铝铜复合金属板的铜部分用酸性药水或碱性药水蚀刻形成。作为优选的,本实施例中的铜部分的厚度可以为铝铜复合金属板厚度的10% _15%。一方面,此时的铜部分可以作铜工艺处理而且保存了铜自身高导热性能的优点;另一方面,铝部分占了较大比例,不仅使得散热快,而且保留了铝质轻的特点,同时也降低了生产的成本。
[0015]作为优选的,所述铜凸台的上表面还设有用于固定LED芯片的金属锡层6。该金属锡层6具有较好的散热性能,能够将LED芯片发出的热量更好地扩散传导出来,从而提高LED芯片的使用寿命,也即可以更好地提高本实用新型的复合金属材料基板的导热散热效果Ο
[0016]对于本领域的技术人员来说,可根据以上描述的技术方案以及构思,做出其它各种相应的改变以及变形,而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种新型复合金属材料基板,其特征在于,包括依次粘合的铜箔线路层、绝缘材料层以及铝铜复合金属板,其中所述铝铜复合金属板的铜部分与绝缘材料层相粘合;所述铜部分的上表面设有一铜凸台,粘合在一起的铜箔线路层以及绝缘材料层上设有一用于安装所述铜凸台的第一通孔,所述铜凸台的上表面与铜箔线路层的上表面齐平。2.如权利要求1所述的新型复合金属材料基板,其特征在于:所述铜部分的厚度为所述铝铜复合金属板厚度的10% -15%。3.如权利要求1所述的新型复合金属材料基板,其特征在于:所述铜凸台的上表面还设有用于固定LED芯片的金属锡层。
【专利摘要】本实用新型涉及一种新型复合金属材料基板,包括依次粘合的铜箔线路层、绝缘材料层以及铝铜复合金属板,其中所述铝铜复合金属板的铜部分与绝缘材料层相粘合;所述铜部分的上表面设有一铜凸台,粘合在一起的铜箔线路层以及绝缘材料层上设有一用于安装所述铜凸台的第一通孔,所述铜凸台的上表面与铜箔线路层的上表面齐平。本实用新型具有更好的导热散热效果。
【IPC分类】H01L33/64
【公开号】CN204966543
【申请号】CN201520669668
【发明人】李锋
【申请人】深圳市可瑞电子实业有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年8月31日
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