成为大致平坦。第二表面41b位于第一表面41a的相反侧。
[0056]在第一绝缘层41设置有多个第一孔41c。第一孔41c沿第一绝缘层41的厚度方向(沿Z轴的方向)延伸。第一孔41c是随着从第二表面41b向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状的孔。第一孔41c的最小直径例如为50 μ m，但并不限定于此。
[0057]第二绝缘层42例如是由含二氧化硅填料的环氧树脂制作而成。作为第二绝缘层42的材料的该环氧树脂具有与作为第一绝缘层41的材料的环氧树脂不同的成分及特征。例如，作为第二绝缘层42的材料的环氧树脂的软化时的粘度低于作为第一绝缘层41的材料的环氧树脂。此外，第一绝缘层41的材料与第二绝缘层42的材料也可相同。
[0058]第二绝缘层42附着在第一绝缘层41的第一表面41a，并覆盖第一表面41a。换句话说，第二绝缘层42与第一绝缘层41的第一表面41a重叠。
[0059]第二绝缘层42具有大致平坦的第三表面42a。第三表面42a是第二面的一例。第三表面42a位于第二绝缘层42的与第一绝缘层41的第一表面41a接触的面的相反侧。换句话说，第三表面42a位于第一绝缘层41的第一表面41a的相反侧。
[0060]第三至第五绝缘层43?45例如是由含二氧化硅填料的环氧树脂制作而成。作为第三至第五绝缘层43?45的材料的环氧树脂既可与作为第一或第二绝缘层41、42的材料的环氧树脂相同，也可不同。
[0061]第三绝缘层43附着在第二绝缘层42的第三表面42a，并覆盖第三表面42a。第三绝缘层43具有大致平坦的第四表面43a。第三绝缘层43的第四表面43a位于第二绝缘层42的第三表面42a的相反侧。
[0062]在第三绝缘层43设置有多个第二孔43b。第二孔43b是随着从第四表面43a向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状的孔。第二孔43b的最小直径例如为50 μ m，但并不限定于此。
[0063]第四绝缘层44附着在第三绝缘层43的第四表面43a，并覆盖第四表面43a。第四绝缘层44具有大致平坦的第五表面44a。第四绝缘层44的第五表面44a位于第三绝缘层43的第四表面43a的相反侧。
[0064]在第四绝缘层44设置有多个第三孔44b。第三孔44b是随着从第五表面44a向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状的孔。第三孔44b的最小直径例如为50 μ m，但并不限定于此。
[0065]第五绝缘层45附着在第一绝缘层41的第二表面41b，并覆盖第二表面41b。第五绝缘层45具有大致平坦的第六表面45a。第五绝缘层45的第六表面45a位于第一绝缘层41的第二表面41b的相反侧。
[0066]在第五绝缘层45设置有多个第四孔45b。第四孔45b是随着从第六表面45a向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状的孔。第四孔45b的最小直径例如为50 μ m，但并不限定于此。
[0067]多个导体图案46例如是由铜制作而成。铜是包含铜的金属的一例。此外，导体图案46也可由其他材料制作而成。多个导体图案46具有多个第一导体图案46a、多个第二导体图案46b、多个第三导体图案46c、多个第四导体图案46d、多个第五导体图案46e、及多个第六导体图案46f。第一至第六导体图案46a?46f形成设置在存储零件32的电路的至少一部分，且可具有例如焊垫、焊盘、及配线的各种图案。
[0068]第一导体图案46a是第三导体部的一例。多个第一导体图案46a是在与第一孔41c重叠的位置设置在第一绝缘层41的第一表面41a。第一导体图案46a由第二绝缘层42覆盖。因此，第一导体图案46a设置在存储零件32的内部。
[0069]第二导体图案46b是第五导体部的一例。多个第二导体图案46b是在与第一孔41c重叠的位置设置在第一绝缘层41的第二表面41b。第二导体图案46b由第五绝缘层45覆盖。因此，第二导体图案46b设置在存储零件32的内部。
[0070]第三导体图案46c是第二及第四导体部的一例。多个第三导体图案46c是在与第二孔43b重叠的位置设置在第二绝缘层42的第三表面42a。第三导体图案46c由第三绝缘层43覆盖。因此，第三导体图案46c设置在存储零件32的内部。
[0071]多个第四导体图案46d是在与第二孔43b重叠的位置设置在第三绝缘层43的第四表面43a。第四导体图案46d由第四绝缘层44覆盖。因此，第四导体图案46d设置在存储零件32的内部。
[0072]多个第五导体图案46e是在与第三孔44b重叠的位置设置在第四绝缘层44的第五表面44a。多个第六导体图案46f是在与第四孔45b重叠的位置设置在第五绝缘层45的第六表面45a。第五及第六导体图案46e、46f可用作设置在存储零件32的表面的焊垫。
[0073]多个通孔47例如是由铜制作而成。此外，通孔47也可由其他材料制作而成。多个通孔47具有多个第一通孔47a、多个第二通孔47b、多个第三通孔47c、及多个第四通孔47d0第一通孔47a是通孔的一例。
[0074]第一通孔47a设置在第一绝缘层41。第一通孔47a例如为填充在第一孔41c的导体或形成在第一孔41c的内表面的导体的膜。因此，第一通孔47a形成为随着从第二表面41b向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状。第一通孔47a将第一导体图案46a与第二导体图案46b之间电连接。
[0075]第二通孔47b设置在第三绝缘层43。第二通孔47b例如为填充在第二孔43b的导体或形成在第二孔43b的内表面的导体的膜。因此，第二通孔47b形成为随着从第四表面43a向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状。第二通孔47b将第三导体图案46c与第四导体图案46d之间电连接。
[0076]第三通孔47c设置在第四绝缘层44。第三通孔47c例如为填充在第三孔44b的导体或形成在第三孔44b的内表面的导体的膜。因此，第三通孔47c形成为随着从第五表面44a向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状。第三通孔47c将第四导体图案46d与第五导体图案46e之间电连接。
[0077]第四通孔47d设置在第五绝缘层45。第四通孔47d例如为填充在第四孔45b的导体或形成在第四孔45b的内表面的导体的膜。因此，第四通孔47d形成为随着从第六表面45a向沿着Z轴的方向前进而宽度缩小的锥状。第四通孔47d将第二导体图案46b与第六导体图案46f之间电连接。
[0078]存储器元件48是电子零件的一例，也可被称为例如内置零件、半导体零件、元件、芯片、及零件。此外，电子零件并不限定于存储器元件48，例如也可为被称为集成电路、LSI (Large Scale Integrat1n，大规模集成电路)、及裸芯片的各种零件。
[0079]存储器元件48例如为NAND (Not AND，与非)型闪存存储器的元件。存储器元件48并不限定于NAND型闪存存储器，例如也可为如随机存取存储器(Resistance RandomAccess Memory, Re RAM)或铁电随机存取存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeRAM)的其他存储器。
[0080]存储器元件48是在安装于第一绝缘层41的第一表面41a的状态下埋入至第二绝缘层42。因此，存储器元件48由第二绝缘层42覆盖。存储器元件48具有安装面48a、连接面48b、及多个电极48c。
[0081]安装面48a是第三面的一例。安装面48a例如是通过芯片接合而粘合在形成在第一绝缘层41的一个第一导体图案46a。换句话说，安装面48a安装于第一绝缘层41的第一表面41a。此外，安装面48a既可直接安装于第一表面41a，也可通过其他方法安装。
[0082]连接面48b是第四面的一例。连接面48b位于安装面48a的相反侧。在连接面48b设置有多个电极48c。电极48c是第一导体部的一例，也可被称为例如端子部、导电部、及焊垫。连接面48b及电极48c由第二绝缘层42覆盖。因此，电极48c设置在存储零件32的内部。
[0083]第一导线51是第一导线及导电部件的一例。第二导线52是第二导线及导电部件的一例。第一及第二导线51、52也可被称为例如导体部、连接部、导电部、接合线、线材、及配线。
[0084]第一及第二导线51、52是由铜制作的接合线。铜是包含铜的金属的一例。此外，第一及第二导线51、52也可由如包含铜的合金或金、银合金、及铝合金的其他导体制作。第一及第二导线51、52具有可烧性。
[0085]在本实施方式中，第一及第二导线51、52的材料与导体图案46的材料及通孔47的材料相同。但是，第一及第二导线51、52的结晶构造与导体图案46及通孔47的结晶构造不同。
[0086]第一及第二导线51、52例如是通过对作为原料的铜进行熔解、利用铸造的铸锭化、压延、拉拔、热处理、及卷绕而形成。另一方面，导体图案46及通孔47例如是由电解镀敷或无电镀敷而形成。因此，第一及第二导线51、52的结晶构造与导体图案46及通孔47的结晶构造互不相同。
[0087]第一导线51埋入至第二绝缘层42。因此，第一导线51设置在存储零件32的内部。第一导线51的一端部电连接于对应的存储器元件48的电极48c。第一导线51的另一端部电连接于对应的第三导体图案46c。也就是说，第一导线51将存储器元件48的电极48c与对应的第三导体图案46c之间电连接。
[0088]第一导线51具有第一连接部51a与第一延伸部51b。第一连接部51a是第一连接部及连接部的一例，也可被称为例如端部、接合部、粘合部、焊接部、及扁平部。第一延伸部51b是第一延伸部及延伸部的一例，也可被称为例如线部、突出部、及介置部。
[0089]第一连接部51a设置在第一导线51的一端部。第一连接部51a例如是由所谓的第一接合(球形接合)而形成，且呈大致圆盘状。第一连接部51a例如是利用熔接于存储器元件48的电极48c而接合于该电极48c。由此，第一连接部51a电连接于电极48c。
[0090]第一延伸部51b介置在第一连接部51a与第三导体图案46c之间。第一延伸部51b从第一连接部51a向第三导体图案46c延伸。作为第一导线51的另一端部的第一延伸部51b的端部电连接于第三导体图案46c。
[0091]第一延伸部51b沿相对于第一绝缘层41的第一表面41a的法线方向交叉的方向延伸。换句话说，第一延伸部51b相对于第一绝缘层41的第一表面41a的法线方向倾斜地延伸。第一延伸部51b弯曲成曲线状。此外，第一延伸部51b既可在至少一处弯曲，也能以直线状延伸。
[0092]第一延伸部51b形成为直径大致固定的圆柱状。第一延伸部51b的直径是第一延伸部的宽度的一例。此外，第一延伸部51b也可形成为