、46f例如是通过利用蚀刻局部地去除由电解镀敷或无电镀敷形成的铜膜而形成。第一至第四孔41c、43b、44b、45b例如是通过如C02激光及YAG激光(Yttrium Aluminum Garnet laser，掺乾-招-石植石激光)的激光光束或钻头而形成。各通孔47例如是通过电解镀敷或无电镀敷而形成。通过以上方式，形成图4的存储零件32。
[0128]在第一实施方式的便携式计算机10中，第一导线51将存储器元件48的电极48c与设置在第二绝缘层42的第三表面42a的第三导体图案46c电连接。如上所述，由于是利用第一导线51而将不同层的导体部间连接，因此与形成有例如用于层间连接的通孔或螺柱的情况相比，能减少存储零件32的制造时间及制造成本。
[0129]进而，第一导线51的第一延伸部51b的直径小于通孔47的直径。因此，通过利用第一导线51形成存储零件32的配线，从而容易使存储零件32的配线成为更高密度。
[0130]进而，第一导线51是由埋入至第二绝缘层42的接合线82形成。因此，与通过例如镀敷而形成的通孔或螺柱相比，成品率容易变得良好。
[0131]进而，第一导线51的第一连接部51a是通过球形接合而接合于存储器元件48的电极48c。因此，与形成通过例如镀敷而连接至电极48c的通孔或螺柱的情况相比，能抑制电极48c损伤。
[0132]进而，通过将存储器元件48内置在存储零件32，容易使存储零件32的安装为更高密度，容易对存储器元件48进行电磁屏蔽，存储器元件48变得更耐受冲击，存储器元件48对热的耐受性变得更好，存储器元件48的冷却变得更容易。
[0133]第二导线52将第一表面41a的第一导体图案46a与第三表面42a的第三导体图案46c电连接。如上所述，由于是利用第二导线52而将不同层的导体部间连接，因此与形成有例如用于层间连接的通孔或螺柱的情况相比，能减少存储零件32的制造时间及制造成本。
[0134]利用第一导线51将电极48c与第三导体图案46c连接。由此，与形成例如用于层间连接的通孔或螺柱的情况相比，导体部(第一导线51的第一延伸部51b)例如可利用相对简单的构成而获得或可相对容易地获得，该导体部的最大宽度短于存储器元件48的连接面48b与第二绝缘层42的第三表面42a之间的距离。
[0135]由于形成有用于层间连接的通孔47的第一至第四孔41c、43b、44b、45b是由激光光束或钻头而形成，因此是沿顺着Z轴的方向延伸。但是，像本实施方式那样，通过利用第一导线51将电极48c与第三导体图案46c连接，可相对简单地形成沿相对于法线方向交叉的方向延伸的导体部(第一导线51的第一延伸部51b)。由此，与形成有例如用于层间连接的通孔或螺柱的情况相比，存储零件32的配线的自由度增大。
[0136]作为第二绝缘层42的材料的环氧树脂软化时的粘度低于作为第一绝缘层41的材料的环氧树脂。由此，在形成第二绝缘层42时，能抑制形成第一导线51的接合线82弯曲。
[0137]第三导体图案46c与第一导线51分别是由铜形成。由此第一导线51的第一延伸部51b的端部与第三导体图案46c容易确实地电连接。
[0138]此外，在所述第一实施方式中，第一导线51是由将存储器元件48的电极48c与第一导体图案46之间连接的接合线82形成。但是，第一导线51并不限定于此，例如也可由将一个存储器元件48的电极48c与另一存储器元件48的电极48c之间连接的接合线82形成。
[0139]下面，参照图11至图14对第二实施方式进行说明。此外，在下面的多个实施方式的说明中，存在对与已说明的构成要素具有相同功能的构成要素标注与该已叙述的构成要素相同的符号，而且省略说明的情况。而且，标注有相同符号的多个构成要素不仅限于所有功能及性质共通，也可具有对应于各实施方式而有所不同的功能及性质。
[0140]图11是概略性表示第二实施方式的存储零件32的剖视图。如图11所示，第二实施方式的存储零件32具有第一导线51。
[0141]在第二实施方式中，第一导线51的第一延伸部51b沿第一绝缘层41的第一表面41a的法线方向(沿着Z轴的方向)从第一连接部51a以直线状延伸。此外，第一延伸部51b并不限定于此。
[0142]下面，例示第二实施方式的存储零件32的制造方法的一部分。此外，存储零件32并不限定于下面所说明的方法，也可通过其他方法制造。
[0143]图12是概略性表示第二实施方式的形成有柱形凸块91的存储器元件48的剖视图。如图12所示，在存储器元件48的电极48c形成有柱形凸块91。
[0144]柱形凸块91例如是通过将利用打线接合装置80的毛细管81球形接合于电极48c的接合线82扯断而形成。因此，柱形凸块91是接合线82的一例。此外，柱形凸块91并不限定于此，也可通过其他方法形成。
[0145]柱形凸块91具有接合部91a与突出部91b。接合部91a是球形接合于电极48c的柱形凸块91的端部，且形成第一导线51的第一连接部51a。突出部91b是从接合部91a沿顺着Z轴的方向延伸的部分，且形成第一导线51的第一延伸部51b。
[0146]图13是概略性表示第二实施方式的经研磨后的第二绝缘层42与柱形凸块91的剖视图。与第一实施方式同样地，经软化的树脂材料是在接合于电极48c的柱形凸块91从安装于第一绝缘层41的第一表面41a的存储器元件48的电极48c延伸的状态下被供给至第一表面41a。通过使该树脂材料硬化，而形成图13中以双点划线表示的第二绝缘层42。如双点划线所示，所形成的第二绝缘层42覆盖第一表面41a、存储器元件48、及柱形凸块91ο
[0147]接下来，在存储器元件48与柱形凸块91由第二绝缘层42覆盖的状态下例如通过蚀刻去除第二绝缘层42的一部分。通过研磨第二绝缘层42，而在第二绝缘层42形成第三表面42a。
[0148]通过研磨一并去除第二绝缘层42及柱形凸块91的突出部91b的一部分。图13中以双点划线表示第二绝缘层42及柱形凸块91的突出部91b的经去除的部分。
[0149]通过去除突出部91b的一部分而利用该突出部91b形成第一导线51的第一延伸部51b。第一延伸部51b的端部在所形成的第三表面42a露出。在所露出的第一延伸部51b的端部产生的氧化层例如是通过快速蚀刻而被去除。
[0150]图14是表示第二实施方式的形成在第二绝缘层42的第三表面42a的第三导体图案46c的剖视图。如图14中双点划线所示，在第二绝缘层42的第三表面42a例如通过电解镀敷或无电镀敷而形成有导体膜85。例如通过利用蚀刻局部地去除该导体膜85而形成第三导体图案46c。
[0151]接下来，依序进行第三至第五绝缘层43?45的形成、第二、第四、第五、及第六导体图案46b、46d、46e、46f的形成、第一至第四孔41c、43b、44b、45b的形成、及各通孔47的形成。通过以上方式，形成图11的存储零件32。
[0152]像第二实施方式所说明那样，第一导线51并不限定于将两个导电部(电极48c与第一导体图案46a)电连接的接合线82，也可由电连接于一个导电部(电极48c)的柱形凸块91形成。此外，也可通过电连接于第一导体图案46a的柱形凸块91形成第二导线52。
[0153]下面，参照图15至图18对第三实施方式进行说明。图15是概略性表示第三实施方式的存储零件32的剖视图。如图15所示，第三实施方式的存储零件32具有第二导线52、第三导线101、及第四导线102。
[0154]第三及第四导线101、102是导电部件的一例，也可被称为例如连接部、导电部、接合线、线材、及配线。第三及第四导线101、102与第一及第二导线51、52相同，是由铜制作的接合线。
[0155]第三导线101埋入至第二绝缘层42。因此，第三导线101设置在存储零件32的内部。第三导线101的一端部电连接于对应的第一导体图案46a。第三导线101的另一端部电连接于对应的第三导体图案46c。也就是说，第三导线101将第一导体图案46a与对应的第三导体图案46c之间电连接。
[0156]第三导线101具有第三连接部101a与第三延伸部101b。第三连接部101a是连接部的一例，也可被称为例如端部、接合部、粘合部、焊接部、及扁平部。第三延伸部101b是延伸部的一例，也可被称为例如线部、突出部、及介置部。
[0157]第三连接部101a设置在第三导线101的一端部。第三连接部101a例如是通过所谓的第一接合(球形接合)而形成，且呈大致圆盘状。第三连接部101a例如是通过熔接于第一导体图案46a而接合于该第一导体图案46a。由此，第三连接部101a电连接于第一导体图案46a。
[0158]第三延伸部101b介置在第三连接部101a与第三导体图案46c之间。第三延伸部101b从第三连接部101a向第三导体图案46c延伸。作为第三导线101的另一端部的第三延伸部101b的端部电连接于第三导体图案46c。
[0159]第三延伸部101b沿相对于第一绝缘层41的第一表面41a的法线方向交叉的方向延伸。第三延伸部101b以曲线状弯曲。此外，第三延伸部101b既可在至少一处弯曲，也能以直线状延伸。
[0160]第三延伸部101b形成为直径大致固定的圆柱状。此外，第三延伸部101b也可形成为其他形状。在此情况下，第三延伸部101b的宽度是与第三延伸部101b延伸的方向正交的方向上的第三延伸部101b的最大宽度。
[0161]第三延伸部101b的直径例如为20 μ m。也就是说，第三延伸部101b的直径小于第一至第四孔41c、43b、44b、45b的最小直径。进而，第三延伸部101b的直径小于第一至第四通孔47a?47d的最小直径。此外，第三延伸部101b的直径并不限定于此。
[0162]第三连接部101a的宽度宽于第三延伸部101b的直径(宽度)。第三连接部101a的宽度是与第三连接部101a的厚度方向(沿着Z轴的方向)正交的方向(XY平面)上的第三连接部101a的最大宽度。第三连接部101a形成为较第三延伸部101b更接近扁平。第三连接部101a与第一导体图案46a之间的接触面积宽于相对于第三延伸部101b延伸的方向正交的该第三延伸部101b的截面面积。
[0163]第四导线102埋入至第二绝缘层42。因此，第四导线102设置在存储零件32的内部。第四导线102的一端部电连接于对应的第一导体图案46a。第四导线102的另一端部电连接于对应的另一第一导体图案46a。也就是说，第四导线102将两个第一导体图案46a之间电连接。利用第四导线102而电连接的其中一个第一导体图案46a是第一导体部的一例，另一个第二导体图案46b是