其他形状。在此情况下，第一延伸部51b的宽度是与第一延伸部51b延伸的方向正交的方向上的第一延伸部51b的最大宽度。
[0093]第一延伸部51b的直径例如为20 μ m0也就是说，第一延伸部51b的直径小于第一至第四孔41c、43b、44b、45b的最小直径。进而，第一延伸部51b的直径小于第一至第四通孔47a?47d的最小直径。此外，第一延伸部51b的直径并不限定于此。
[0094]第一连接部51a的宽度宽于第一延伸部51b的直径(宽度)。第一连接部51a的宽度是与第一连接部51a的厚度方向(沿Z轴的方向)正交的方向(XY平面)上的第一连接部51a的最大宽度。第一连接部51a形成为较第一延伸部51b更接近扁平。第一连接部51a与存储器元件48的电极48c之间的接触面积宽于相对于第一延伸部51b延伸的方向正交的该第一延伸部51b的截面面积。
[0095]第二导线52埋入至第二绝缘层42。因此，第二导线52设置在存储零件32的内部。第二导线52的一端部电连接于对应的第一导体图案46a。第二导线52的另一端部电连接于对应的第三导体图案46c。也就是说，第二导线52将第一导体图案46a与对应的第三导体图案46c之间电连接。
[0096]第二导线52具有第二连接部52a与第二延伸部52b。第二连接部52a是第二连接部及连接部的一例，也可被称为例如端部、接合部、粘合部、焊接部、及扁平部。第二延伸部52b是第二延伸部及延伸部的一例，也可被称为例如线部、突出部、及介置部。
[0097]第二连接部52a设置在第二导线52的一端部。第二连接部52a例如是利用所谓的第二接合(针脚式接合)而形成，且呈扁平的形状。第二连接部52a例如是通过熔接于第一导体图案46a而接合于该第一导体图案46a。由此，第二连接部52a电连接于第一导体图案46a。
[0098]第二延伸部52b介置在第二连接部52a与第三导体图案46c之间。第二延伸部52b从第二连接部52a向第三导体图案46c延伸。作为第二导线52的另一端部的第二延伸部52b的端部电连接于第三导体图案46c。
[0099]第二延伸部52b沿相对于第一绝缘层41的第一表面41a的法线方向交叉的方向延伸。换句话说，第二延伸部52b相对于第一绝缘层41的第一表面41a的法线方向倾斜地延伸。第二延伸部52b弯曲成曲线状。此外，第二延伸部52b既可在至少一处弯曲，也能以直线状延伸。
[0100]第二延伸部52b形成为直径大致固定的圆柱状。此外，第二延伸部52b也可形成为其他形状。在此情况下，第二延伸部52b的宽度是与第二延伸部52b延伸的方向正交的方向上的第二延伸部52b的最大宽度。
[0101]第二延伸部52b的直径例如为20 μ m。也就是说，第二延伸部52b的直径小于第一至第四孔41c、43b、44b、45b的最小直径。进而，第二延伸部52b的直径小于第一至第四通孔47a?47d的最小直径。此外，第二延伸部52b的直径并不限定于此。
[0102]第二连接部52a的宽度宽于第二延伸部52b的直径(宽度)。第二连接部52a的宽度是与第二连接部52a的厚度方向(沿Z轴的方向)正交的方向(XY平面)上的第二连接部52a的最大宽度。第二连接部52a形成为较第二延伸部52b更接近扁平。第二连接部52a与第一导体图案46a之间的接触面积宽于相对于第二延伸部52b延伸的方向正交的该第二延伸部52b的截面面积。
[0103]存储器元件48的连接面48b与第二绝缘层42的第三表面42a之间的沿着Z轴的方向上的距离长于第一导线51的第一延伸部51b的最大宽度(直径)。同样地，第一绝缘层41的第一表面41a与第二绝缘层42的第三表面42a之间的沿着Z轴的方向上的距离长于第二导线52的第二延伸部52b的最大宽度(直径)。
[0104]另一方面，第一、第三、第四、第五绝缘层41、43、44、45的厚度与各自的通孔47的最大宽度相同或短于各自的通孔47。第一绝缘层41的厚度是第一表面41a与第二表面41b之间的沿着Z轴的方向上的距离。通孔47的最大宽度是与通孔47的深度方向(沿着Z轴的方向)正交的方向(XY平面)上的通孔47的最大宽度。
[0105]下面，参考图4至图10，例示所述存储零件32的制造方法的一部分。此外，存储零件32并不限定于下面所说明的方法，也可通过其他方法制造。
[0106]图5是概略性表示第一实施方式的芯片接合有存储器元件48的第一绝缘层41的剖视图。如图5所示，首先，在第一绝缘层41的第一表面41a形成第一导体图案46a，并且安装存储器元件48。第一绝缘层41也可被称为基底衬底。
[0107]第一导体图案46a例如是通过利用蚀刻局部地去除由电解镀敷或无电镀敷而形成在第一表面41a的铜膜而形成。此外，第一导体图案46a也可利用其他方法形成。如上所述，存储器元件48例如是通过芯片接合而安装于第一导体图案46a。
[0108]图6是概略性表示第一实施方式的经打线接合的存储器元件48及第一绝缘层41的剖视图。通过打线接合，使存储器元件48的电极48c与形成在第一绝缘层41的第一导体图案46a电连接。
[0109]如图6所示，利用打线接合装置80的毛细管81使电极48c与第一导体图案46a之间打线接合。毛细管81具有前端部8la与在前端部8la开口的插通孔8lb。插通孔81b供接合线82穿过。接合线82是由铜制作而成，且如下所述形成第一导线51及第二导线52。
[0110]首先，例如通过放电使从毛细管81的前端部81a突出的接合线82的前端熔融而形成球。该球的最大宽度大于接合线82的直径。
[0111]毛细管81例如一边对接合线82的球施加热、超声波、及压力，一边将该球按压至存储器元件48的电极48c。由此，接合线82的球被压扁，并且接合于电极48c。接合于电极48c的接合线82的球形成第一导线51的第一连接部51a。如上所述，通过第一接合(球形接合)而将接合线82接合于电极48c。图6中利用双点划线表示进行第一接合的毛细管
81ο
[0112]接下来，毛细管81通过一边将接合线82陆续送出一边移动而使接合线82弯曲。打线接合装置80例如是根据程序使毛细管81移动而使接合线82弯曲成所需的形状。
[0113]接下来，毛细管81 —边对接合线82施加热、超声波、及压力，一边将该接合线82按压至第一导体图案46a。由此，接合线82被压扁，并且接合于第一导体图案46a。接合线82的接合于第一导体图案46a的部分形成第二导线52的第二连接部52a。如上所述，通过第二接合(针脚式接合)而将接合线82接合于第一导体图案46a。图6中利用实线表示进行第二接合的毛细管81。毛细管81 —边进行针脚式接合一边进行拉尾线(tail bonding)而使接合线82从前端部81a突出。
[0114]接合线82也可第一接合于第一导电图案46a，第二接合于电极48c。而且，接合线82也可针脚式接合于第一导体图案46a，并且也针脚式接合于电极48c。
[0115]图7是概略性表示第一实施方式的埋入至第二绝缘层42的存储器元件48及接合线82的剖视图。如图7所示，通过形成第二绝缘层42从而利用该第二绝缘层42供存储器元件48及接合线82埋入。
[0116]首先，通过加热而软化的作为第二绝缘层42的材料的环氧树脂(下面，称为树脂材料)被供给至第一绝缘层41的第一表面41a。树脂材料是绝缘体的一例。通过供给软化的树脂材料而使第一表面41a、存储器元件48、及接合线82由树脂材料覆盖。
[0117]树脂材料是在接合于电极48c的接合线82从安装于第一绝缘层41的第一表面41a的存储器元件48的电极48c延伸的状态下被供给至第一表面41a。树脂材料软化时的粘度相对较低。因此，利用所供给的树脂材料能抑制接合线82弯曲。
[0118]此外，树脂材料的供给方法并不限定于此。例如，也可通过在将经软化前的树脂材料的薄片载置在第一绝缘层41的第一表面41a的状态下对该树脂材料的薄片进行加热而使其软化。
[0119]树脂材料是在覆盖第一绝缘层41的第一表面41a、存储器元件48、及接合线82的状态下被硬化。由此，利用该树脂材料形成第二绝缘层42。此外，接合线82的一部分也可露出。
[0120]图8是概略性表示第一实施方式的经研磨后的第二绝缘层42与接合线82的剖视图。如图8所示，在存储器元件48与接合线82由第二绝缘层42覆盖的状态下例如通过研磨去除第二绝缘层42的一部分。
[0121]接合线82的连接在电极48c的部分与连接在第一导体图案46a的部分之间的一部分(中间部分)与第二绝缘层42 —起通过研磨被去除。由此，接合线82被分成第一导线51与第二导线52。换句话说，通过去除接合线82的一部分而利用该接合线82形成第一导线51与第二导线52。图8中以双点划线表示第二绝缘层42及接合线82的经去除的部分。
[0122]通过研磨第二绝缘层42，而在第二绝缘层42形成第三表面42a。换句话说，通过去除经硬化的树脂材料的一部分而利用该树脂材料形成具有第三表面42a的第二绝缘层42。第一导线51的第一延伸部51b的端部与第二导线52的第二延伸部52b的端部在第三表面42a露出。
[0123]接下来，去除在第三表面42a露出的第一导线51的第一延伸部51b的端部与第二导线52的第二延伸部52b的端部所产生的氧化层。该氧化层例如是通过快速蚀刻而去除。
[0124]图9是表示第一实施方式的形成在第二绝缘层42的第三表面42a的导体膜85的剖视图。如图9所示，导体膜85例如是通过电解镀敷或无电镀敷形成在第二绝缘层42的第三表面42a。此外，导体膜85并不限定于此，例如也可通过如溅镀的其他方法形成。导体膜85例如为铜膜，且形成第三导体图案46c。
[0125]导体膜85于在第二绝缘层42的第三表面42a露出的第一导线51的第一延伸部51b的端部与第二导线52的第二延伸部52b的端部析出。因此，导体膜85电连接于第一延伸部51b与第二延伸部52b。
[0126]图10是表示第一实施方式的形成在第二绝缘层42的第三表面42a的第三导体图案46c的剖视图。如图10所示，导体膜85例如是通过蚀刻而被局部地去除。通过局部地去除导体膜85而利用该导体膜85形成第三导体图案46c。
[0127]接下来，依序进行第三至第五绝缘层43?45的形成、第二、第四、第五、及第六导体图案46b、46d、46e、46f的形成、第一至第四孔41c、43b、44b、45b的形成、及各通孔47的形成。第三至第五绝缘层43?45例如是通过供给经软化的含二氧化硅填料的环氧树脂而形成。第二、第四、第五、及第六导体图案46b、46d、46e