一种阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。其中，阵列基板包括：在衬底基板上依次形成的半导体层和电极图形，所述电极图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底基板的正投影；所述阵列基板还包括：设置在所述半导体层与所述电极图形之间的吸光图形，所述吸光图形在衬底基板上的正投影的至少一部分与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影重合。本实用新型在半导体层的上方设置了吸光图形，该吸光图形可以吸收来自上方电极图形反射过来的光线，从而避免半导体层受到光照后影响薄膜晶体管的阈值电压。
【专利说明】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，显示面板的薄膜晶体管的半导体层主要是由IGZO材料形成，IGZO即铟镓锌氧化物，是一种光敏材料，一旦受到照射就会导致薄膜晶体管阈值电压Vth发生变化，致使显示画面会上出现不正常的亮度。
[0003]在如图1所示的现有AMOLED显示面板中，衬底基板上I的底栅G正对半导体层3下方设置，可以起到部分遮光效果。但是光源5从侧面反射光线会通过上面的金属层6反射到半导体层，因此现有的AMOLED结构或多或少地影响到了薄膜晶体管的阈值电压。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是解决现有的阵列基板中的半导体层容易受到光照，致使薄膜晶体管的阈值电压不稳定的问题。
[0005]为实现上述目的，一方面，本实用新型提供一种阵列基板，包括:在衬底基板上依次形成的半导体层和电极图形，所述电极图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的正投影；
[0006]其中所述阵列基板还包括:
[0007]设置在所述半导体层与所述电极图形之间的吸光图形，所述吸光图形在所衬底基板上的正投影的至少一部分与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影重合。
[0008]可选地，所述吸光图形由遮光性的树脂材料形成。
[0009]可选地，所述阵列基板还包括:
[0010]设置在所述半导体层上的源极和漏极。
[0011]可选地，所述阵列基板还包括:
[0012]设置在所述半导体层与所述源极、漏极之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有第一过孔和第二过孔；
[0013]其中，所述源极通过所述第一过孔与所述半导体层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述半导体层连接。
[0014]可选地，所述阵列基板还包括:
[0015]设置在所述源极、漏极与所述吸光图形之间的第二绝缘层。
[0016]可选地，所述阵列基板还包括:
[0017]设置在所述第二绝缘层与所述电极图形之间的树脂图形，所述树脂图形与所述吸光图形共同构成平坦层。
[0018]可选地，所述阵列基板还包括:
[0019]设置在所述吸光图形与所述电极图形之间的平坦层。
[0020]可选地，所述电极图形为阴极。
[0021]另一方面，本实用新型还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
[0022]此外，本实用新型还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0023]本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:
[0024]本实用新型，在半导体层的上方设置了吸光图形，可以阻挡电极图形反射过来的光线照射到半导体层上，从而保证薄膜晶体管阈值电压的稳定性，进而使显示画面能够稳定维持在正常亮度。
【附图说明】
[0025]图1为现有的阵列基板的结构示意图；
[0026]图2为本实用新型的阵列基板的结构示意图；
[0027]图3和图4分别为本实用新型的阵列基板在不同实现方式下的具体结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0029]针对现有的阵列基板中的半导体层容易受到光照，致使薄膜晶体管的阈值电压不稳定的问题，本实用新型提供一种解决方案。
[0030]—方面，本实用新型的实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括:在衬底基板I上依次形成的半导体层3和电极图形6。该电极图形6在衬底基板I上的正投影覆盖半导体层3在衬底基板I上的正投影，该结构设计或多或少会将光源5的光线反射到半导体层3上。但与现有技术不同的是，本实施例阵列基板还包括:
[0031]设置在半导体层3与电极图形6之间的吸光图形7，该吸光图形7在衬底基板I上的正投影的至少一部分与半导体层3在衬底基板I上的正投影重合(作为优选方案，吸光图形7在衬底基板I上的正投影完全涵盖半导体层3在衬底基板I上的正投影)。
[0032]显然，根据图2所示的结构可以看出，本实施例的吸光图形7可以阻挡上方电极图形6反射过来的光线照射到半导体层上，从而保证薄膜晶体管阈值电压的稳定性，进而使显示画面能够稳定维持在正常亮度。
[0033]具体地，在实际应用中，本实施例的吸光图形可以由遮光性的树脂材料形成，该遮光性的树脂材料不仅具有很好的吸光性能，且本身也是显示装置上的黑矩阵的形成材料。因此采用遮光性的树脂材料制作吸光图，在制作工艺具有很高的成熟度，使得本实施例的方案更易于实施。
[0034]下面结合实际的实现方式，对本实施例阵列基板的具体结构进行介绍。
[0035]实现方式一
[0036]如图3所示，本实施例的阵列基板包括:
[0037]衬底基板I;
[0038]设置在衬底基板上I的栅极G;
[0039]设置在栅极G上方的半导体层3，该半导体层3与栅极之间可相隔有栅绝缘层(未在图中示出)；
[0040]设置在半导体层3上方的源极S、漏极D;
[0041]设置在半导体层3与所述源极S、漏极D之间的第一绝缘层OCl，该第一绝缘层OCl具有第一过孔dl和第二过孔d2;其中，源极S通过第一过孔dl与半导体层3连接，漏极D通过第二过孔d2与半导体层3连接；
[0042]覆盖源极S、漏极D的第二绝缘层0C2，该第二绝缘层可以是由硅的氧化物材料形成；
[0043]设置在第二绝缘层0C2上方的树脂图形8和吸光图形7。其中，树脂图形8与吸光图形7共同构成一个平坦层，在该平坦层上方形成有电极图形6。作为示例性介绍，本实施例中，电极图形6可以是阵列基板的阴极。
[0044]可见，在本实现方式一中，将额外制作的吸光图形7作为平坦层的一部分，该平坦层的厚度可以与原有厚度保持一致，使得吸光图形7不会增加阵列基板的图层厚度。
[0045]实现方式二
[0046]如图4所示，本实施例的阵列基板包括:
[0047]衬底基板I;
[0048]设置在衬底基板上I的栅极G;
[0049]设置在栅极G上方的半导体层3，该半导体层3与栅极之间可相隔有栅绝缘层(未在图中示出)；
[0050]设置在半导体层3上方的源极S、漏极D;
[0051]设置在半导体层3与所述源极S、漏极D之间的第一绝缘层OCl，该第一绝缘层OCl具有第一过孔dl和第二过孔d2;其中，源极S通过第一过孔dl与半导体层3连接，漏极D通过第二过孔d2与半导体层3连接；
[0052]覆盖源极S、漏极D的第二绝缘层0C2，该第二绝缘层可以是由硅的氧化物材料形成；
[0053]设置在第二绝缘层0C2上方的吸光图形7，该吸光图形7由黑矩阵材料形成，并在竖直方向上完全覆盖半导体层3的设置区域；
[0054]覆盖吸光图形7的平坦层8，该平坦层由树脂材料形成；
[0055]形成在平坦层8上的电极图形6。
[0056]通过与实现方式一对比可以知道，实现方式二中，吸光图形7不再作为平坦层8的一部分，虽然增加了阵列基板的图层厚度，但在制作工艺上要比实现方式一简单，因此更易于实施。
[0057]另一方面，本实用新型还提供一种显示面板，包括有上述的阵列基板。显然基于该阵列基板的结构设计，本实用新型的显示面板的薄膜晶体管具有稳定的阈值电压。
[0058]此外，本用新型还提供一种显示装置，包括上述的显示面板，基于该显示面板的结构设计，本实用新型的显示装置稳定呈现正常亮度的显示画面，从而提升了用户的体验。
[0059]以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括:在衬底基板上依次形成的半导体层和电极图形，所述电极图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底基板上的正投影； 其特征在于，所述阵列基板还包括: 设置在所述半导体层与所述电极图形之间的吸光图形，所述吸光图形在所衬底基板上的正投影的至少一部分与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影重合。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述吸光图形由遮光性的树脂材料形成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置在所述半导体层上的源极和漏极。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置在所述半导体层与所述源极、漏极之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有第一过孔和第二过孔； 其中，所述源极通过所述第一过孔与所述半导体层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述半导体层连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置在所述源极、漏极与所述吸光图形之间的第二绝缘层。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置在所述第二绝缘层与所述电极图形之间的树脂图形，所述树脂图形与所述吸光图形共同构成平坦层。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置在所述吸光图形与所述电极图形之间的平坦层。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述电极图形为阴极。9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
【文档编号】H01L27/12GK205680683SQ201620607690
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月20日 公开号201620607690.1, CN 201620607690, CN 205680683 U, CN 205680683U, CN-U-205680683, CN201620607690, CN201620607690.1, CN205680683 U, CN205680683U
【发明人】徐攀, 李永谦
【申请人】京东方科技集团股份有限公司