1.一种低成本IGBT驱动电路，包括光耦合器U1、施密特触发器U2和反相器U3，其特征是：
光耦合器U1的2脚通过电阻R3连接5V公共电源VEE，光耦合器U1的2脚依次通过三极管Q1的3脚-2脚、电阻R2和反向连接的二极管D1连接5V公共电源VEE，光耦合器U1的2脚和3脚之间并联有电容C2和电阻R4，光耦合器U1的脚3依次通过R5和反相器U3的2脚-1脚连接驱动信号Q2；光耦合器U1的脚8连接15V电源，且光耦合器U1的脚8还通过电容C1连接光耦合器U1的脚5；光耦合器U1的脚5连接GND；光耦合器U1的脚6和脚7连接，且光耦合器U1的脚7通过电阻R6连接施密特触发器U2的脚1；
施密特触发器U2的脚1通过电容C3接地；施密特触发器U2的脚2和脚3连接；施密特触发器U2的脚4依次通过电阻R7和电阻R8连接GND，且在电阻R7和R8之间设置有测试点TP1；施密特触发器U2的脚7直接连接GND；施密特触发器U2的脚14直接连接15V电源；
三极管Q1的1脚通过电阻R1与三极管Q1的2脚连接，三极管Q1的1脚直接与5V电源连接。
2.一种如权利要求1所述的低成本IGBT驱动电路，其特征是光耦合器U1的型号为TLP250，施密特触发器U2的型号为CD40106，反相器U3的型号为7406，三极管Q1的型号为8550，二极管D1的型号为BZX84C3V9，电阻R1为300欧姆，电阻R2为20欧姆，电阻R3为5.1k欧姆，电阻R4为5.1k欧姆，电阻R5为300欧姆，电阻R6为220k欧姆，电阻R7为3.3k欧姆，电阻R8为4.7欧姆，电容C1的规格为100nF/50V，电容C2为6800pF/50V，电容C3为22pF/50V。