一种低emi电机驱动器结构的制作方法

文档序号:8458961阅读:169来源:国知局
一种低emi电机驱动器结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电机驱动器技术领域,具体为一种低EMI电机驱动器结构。
【背景技术】
[0002]电机的驱动器在工作时会产生EMI (电磁干扰),对周围的电子设备和人员产生一定的危害,特别是电机在工作中的不稳定性,极容易形成超强的EMI (电磁干扰)并对设备和人员的造成极大的损伤,现有电机驱动器均存在上述的问题,需要一种运行更加稳定,可以维持较低的EMI的电机驱动器。

【发明内容】

[0003]本发明的一个目的是提供一种运行稳定、耗能少且危害小的低EMI电机驱动器结构。
[0004]本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种低EMI电机驱动器结构,包括驱动电路,驱动电路包括H桥电路、置于电机驱动器靠H桥电路部分的EMI传感器,所述EMI传感器的传感器电路的输出端连接至一时域频域转换电路的输入端,所述时域频域转换电路的输出端连接至一减法电路的输入端,所述减法电路的输入端还与一预设频谱电路的输出端相连接,所述减法电路的输出端连接至一积分电路的输入端,所述积分电路的输出端连接至一频率抖动电路的输入端,所述频率抖动电路的输入端还与一 PWM电路的输出端相连接,所述频率抖动电路的输出端连接至一 H桥驱动电路的输入端,所述H桥驱动电路的输出端连接至所述H桥电路的输入端,所述H桥电路的输出端连接至电机线圈,
H桥驱动电路为两相H桥驱动电路,H桥电路为两相H桥电路,电机线圈为两相电机线圈。
[0005]上述技术方案中,利用EMI传感器检测到的电磁干扰信号并通过传感器电路输出模拟电路信号给时域频域转换电路,然后将时域频域转换电路各个频点的频率电路信号和预设频谱电路的预设的频率电路信号通过减法电路得到一个差值频率电路信号,再通过积分电路放大输出一个频率控制信号,通过频率抖动电路的作用控制来自于PWM (脉冲宽度调制)电路的信号,对PWM电路的工作频率进行抖动,把集中的频谱通过抖频分散打平可以维持在一个较为稳定的状态,在一个抖频周期内,通过积分电路输出的频率控制信号控制各频点的占用时间长度,通过频率抖动电路输出一个H桥驱动电路的电路控制信号,再由H桥驱动电路驱动H桥电路工作,并使得电机线圈也工作,该电路可以使得系统可以较快稳定,且电机产生的EMI在关心的频点内能量将被控制在一定范围内,降低了电机驱动EMI的频谱能量密度,维持在一个较低的状态,整个电路相比于传统电路稳定性更高,能耗少,散热少,预设频谱电路的频率电路信号的频率预设一个较小的值,是一个类似于较为安全的EMI的值,当其与时域频域转换电路的信号频率差值是较大的正数值时,通过频率抖动电路延长该频点的频率停留的时间,反之则相反,当等于O的时候,使其保持停留时间不变,这样更好地发挥该电路的功能,电机线圈可以采用现有的电机线圈,EMI传感器可以采用现有的传感器,时域频域转换电路、减法电路、预设频谱电路、积分电路、频率抖动电路、PWM电路、频率抖动电路、H桥驱动电路、H桥电路均可以采用现有的电路,通过合理的选择进一步提高电路的运行的稳定性,减少能耗,散热少,可以更好地降低电机驱动EMI的频谱能量密度,减少强EMI的出现。
[0006]作为对本发明的优选,H桥电路包括电源端和接地端,所述电源端和接地端之间并联有两条支路,每条支路上均串联有两个MOS场效应管,分别为第一 MOS管和第二 MOS管,每个MOS场效应管的栅极作为H桥电路输入端的输入端点与H桥驱动电路输出端的输出端点相连,第一 MOS管的源极与电源端相连,第二 MOS管的源极与接地端相连,同一支路上的第一 MOS管的漏极与第二 MOS管的漏极相连接且在该连接处连接引出电线作为H桥电路的输出端点。进一步提高电路的运行的稳定性,减少能耗,散热少,可以更好地降低电机驱动EMI的频谱能量密度,减少强EMI的出现。
[0007]作为对本发明的优选,预设频谱电路的输出信号的频率小于电机所产生的电磁干扰最高频率的二分之一并大于电机所产生的电磁干扰最高频率的十分之一。更进一步提高电路的运行的稳定性,减少能耗,散热少,可以更好地降低电机驱动EMI的频谱能量密度,减少强EMI的出现。
[0008]本发明的有益效果:结构稳定,运行安全可靠、耗能少且危害小,散热少,不易老损,降低电机驱动EMI的频谱能量密度。
【附图说明】
[0009]图1是本发明实施例的电路原理图;
图2是本发明实施例的H桥电路不意图;
图3是本发明实施例的电机线圈示意图。
[0010]图中:1、电机线圈,2、EMI传感器,3、时域频域转换电路,4、减法电路,5、预设频谱电路,6、积分电路,7、频率抖动电路,8、PWM电路,9、H桥驱动电路,10、H桥电路,101、电源端,102、接地端,103、第一 MOS管,104、第二 MOS管。
【具体实施方式】
[0011]以下具体实施例仅仅是对本发明的解释,其并不是对本发明的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
[0012]实施例,如图1、2、3所示,一种低EMI电机驱动器结构,包括驱动电路,驱动电路包括H桥电路10、置于电机驱动器靠H桥电路10部分的EMI传感器2,所述EMI传感器2的传感器电路的输出端连接至一时域频域转换电路3的输入端,所述时域频域转换电路3的输出端连接至一减法电路4的输入端,所述减法电路4的输入端还与一预设频谱电路5的输出端相连接,所述减法电路4的输出端连接至一积分电路6的输入端,所述积分电路6的输出端连接至一频率抖动电路7的输入端,所述频率抖动电路7的输入端还与一 PWM电路8的输出端相连接,所述频率抖动电路7的输出端连接至一 H桥驱动电路9的输入端,所述H桥驱动电路9的输出端连接至所述H桥电路10的输入端,所述H桥电路10的输出端连接至电机线圈1,H桥驱动电路9为两相H桥驱动电路,H桥电路10为两相H桥电路,电机线圈I为两相电机线圈。
[0013]H桥电路10包括电源端101和接地端102,所述电源端101和接地端102之间并联有两条支路,每条支路上均串联有两个MOS场效应管,分别为第一 MOS管103和第二 MOS管104,每个MOS场效应管的栅极作为H桥电路10输入端的输入端点与H桥驱动电路9输出端的输出端点相连,第一 MOS管103的源极与电源端101相连,第二 MOS管104的源极与接地端102相连,同一支路上的第一 MOS管103的漏极与第二 MOS管104的漏极相连接且在该连接处连接引出电线作为H桥电路10的输出端点。预设频谱电路5的输出信号的频率小于电机所产生的电磁干扰最高频率的二分之一并大于电机所产生的电磁干扰最高频率的十分之一。
【主权项】
1.一种低EMI电机驱动器结构,包括驱动电路,其特征在于:驱动电路包括H桥电路(10)、置于电机驱动器靠H桥电路(10)部分的EMI传感器(2),所述EMI传感器(2)的传感器电路的输出端连接至一时域频域转换电路(3)的输入端,所述时域频域转换电路(3)的输出端连接至一减法电路(4)的输入端,所述减法电路(4)的输入端还与一预设频谱电路(5)的输出端相连接,所述减法电路(4)的输出端连接至一积分电路(6)的输入端,所述积分电路(6)的输出端连接至一频率抖动电路(7)的输入端,所述频率抖动电路(7)的输入端还与一 PWM电路(8)的输出端相连接,所述频率抖动电路(7)的输出端连接至一 H桥驱动电路(9)的输入端,所述H桥驱动电路(9)的输出端连接至所述H桥电路(10)的输入端,所述H桥电路(10)的输出端连接至电机线圈(1),H桥驱动电路(9)为两相H桥驱动电路,H桥电路(10 )为两相H桥电路,电机线圈(I)为两相电机线圈。
2.根据权利要求1所述的一种低EMI电机驱动器结构,其特征在于:H桥电路(10)包括电源端(101)和接地端(102),所述电源端(101)和接地端(102)之间并联有两条支路,每条支路上均串联有两个MOS场效应管,分别为第一 MOS管(103)和第二 MOS管(104),每个MOS场效应管的栅极作为H桥电路(10)输入端的输入端点与H桥驱动电路(9)输出端的输出端点相连,第一 MOS管(103)的源极与电源端(101)相连,第二 MOS管(104)的源极与接地端(102)相连,同一支路上的第一 MOS管(103)的漏极与第二 MOS管(104)的漏极相连接且在该连接处连接引出电线作为H桥电路(10)的输出端点。
3.根据权利要求2所述的一种低EMI电机驱动器结构,其特征在于:预设频谱电路(5)的输出信号的频率小于电机所产生的电磁干扰最高频率的二分之一并大于电机所产生的电磁干扰最高频率的十分之一。
【专利摘要】本发明涉及电机驱动器技术领域,具体为一种低EMI电机驱动器结构,包括驱动电路,驱动电路包括H桥电路、置于电机驱动器靠H桥电路部分的EMI传感器,EMI传感器的传感器电路的输出端连接至一时域频域转换电路的输入端,时域频域转换电路的输出端连接至一减法电路的输入端,减法电路的输入端还与一预设频谱电路的输出端相连,减法电路的输出端连接至一积分电路的输入端,积分电路的输出端连接至一频率抖动电路的输入端,频率抖动电路的输入端还与一PWM电路的输出端相连,频率抖动电路的输出端连接至一H桥驱动电路的输入端,H桥驱动电路的输出端连接至H桥电路的输入端,H桥电路的输出端连接至电机线圈,运行稳定,耗能少危害小。
【IPC分类】H02P25-02
【公开号】CN104779888
【申请号】CN201510207154
【发明人】奚剑雄, 杨少东
【申请人】浙江格兰菲德电子科技有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月28日
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