半导体装置以及测量设备的制造方法

文档序号:11412430阅读:来源:国知局
半导体装置以及测量设备的制造方法

技术特征:
1.一种半导体装置,其中,具有:振荡器,在一个面上具备沿着第一方向隔开规定距离配置的多个外部端子;集成电路,具备沿着矩形的面上的一边形成有多个第一电极焊盘的第一区域和夹着所述第一区域形成有多个第二电极焊盘的第二区域;引线框,以所述外部端子和所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘朝向大致同一方向并且所述第一方向和所述集成电路的一边大致平行的方式装载所述振荡器和所述集成电路,并且,在周围具备端子;第一接合线,连接所述外部端子和所述第一电极焊盘;第二接合线,连接所述引线框的端子和所述第二电极焊盘;以及密封构件,将所述振荡器、所述集成电路、所述引线框、所述第一接合线、以及所述第二接合线密封。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一区域在所述第一方向上的宽度比所述外部端子间的距离窄。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述第一区域包含所述一边的中央区域。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一区域和所述第二区域之间具备未连接所述接合线的第三区域,该第三区域在所述第一方向上的宽度比相邻的所述第二电极焊盘间的距离宽。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一接合线的顶点的高度与所述第二接合线的顶点的高度不同。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一接合线的顶点的高度比所...
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