本发明涉及一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路。
背景技术：
功率器件IGBT是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，是目前最引人注目的功率器件。近年来IGBT在高、中频电源，电机调速，不间断电源，焊接电源等电力变换装置中得到广泛的应用。
IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力及dVce/dt电流等参数，决定了IGBT的静态与动态特性。当电路发生故障时，必须采取适当措施保护IGBT。其驱动和保护电路的性能直接影响到IGBT性能的发挥和整个系统的可靠，因此，在使用IGBT时，最重要的工作是要设计好驱动与故障保护电路。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明设计了一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是。
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路。所述驱动电路以EXB为核心，采用EAR43-10快速恢复二极管，RS触发器采用CD4043构成，与门采用74LS09构成，TLP52为快速光耦；所述保护电路中TLP521的信号延迟时间为2-3个μs，CD4043的信号延迟时间最大为几百个ns，而74LS09的信号延迟时间最大为几十个ns。因此，保护电路在信号响应上是足够快的。当IGBT发生过流时，EXB841的5脚电平收高为低，RS触发器S端变为高电平，输出端Q输出高电平，经过三极管，加到与门上的电平为低电平，封锁EXB841的输入信号，达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。在RS触发器的R端加复位按扭，发生故障时，RS触发器将Q端输出的高电平锁住，当排除故障后，可以按动复位按钮，解除对栅极控制信号的封锁。
本发明的有益效果是：基于EXB841的IGBT驱动与保护电路以EXB841为核心，打打简化了IGBT驱动和保护电路的设计，同时提高了可靠性，可靠的过流保护电路，能够避免故障时器件的损坏。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是用EXB841构成的驱动和保护电路。
具体实施方式
在图1中，基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路驱动电路以EXB为核心，采用EAR43-10快速恢复二极管，RS触发器采用CD4043构成，与门采用74LS09构成，TLP52为快速光耦；所述保护电路中，TLP521的信号延迟时间为2-3个μs，CD4043的信号延迟时间最大为几百个ns，而74LS09的信号延迟时间最大为几十个ns。因此，保护电路在信号响应上是足够快的。当IGBT发生过流时，EXB841的5脚电平收高为低，RS触发器S端变为高电平，输出端Q输出高电平，经过三极管，加到与门上的电平为低电平，封锁EXB841的输入信号，达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。在RS触发器的R端加复位按扭，发生故障时，RS触发器将Q端输出的高电平锁住，当排除故障后，可以按动复位按钮，解除对栅极控制信号的封锁。