1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括分别与预设电源相连的等效反相放大器偏置电路和至少一个反相器，所述晶体振荡器还包括：
预设偏置电压提供端，所述预设偏置电压提供端用于提供预设偏置电压；
第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极与所述预设偏置电压提供端相连，所述第一PMOS管的源极与所述预设电源相连；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极之间具有节点，所述节点与所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连，所述第一NMOS管的源极接地；
当所述晶体振荡器与预设无源晶体相连时，所述第一NMOS管的栅极与所述预设无源晶体的输入引脚相连，所述节点和所述等效反相放大器偏置电路的输入端分别与所述预设无源晶体的输出引脚相连。
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括：
第一电阻模块，所述第一电阻模块的一端与所述第一NMOS管的栅极相连，当所述晶体振荡器与所述预设无源晶体相连时，所述第一电阻模块的另一端与所述预设无源晶体的输入引脚相连；
第二电阻模块，所述第二电阻模块分别与所述第一PMOS管的漏极和所述节点相连；
第三电阻模块，所述第三电阻模块分别与所述第一NMOS管的漏极和所述节点相连；
第四电阻模块，当所述晶体振荡器与所述预设无源晶体相连时，所述第四电阻模块分别与所述预设无源晶体的输出引脚和所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连。
3.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括：
高通滤波模块，所述高通滤波模块分别与所述第四电阻模块和所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连。
4.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述至少一个反相器的尺寸比例互不相同。
5.一种晶体振荡器，其特征在于，包括分别与预设电源相连的等效反相放大器偏置电路和至少一个反相器，所述晶体振荡器还包括：
预设偏置电压提供端，所述预设偏置电压提供端用于提供预设偏置电压；
第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极与所述预设偏置电压提供端相连，所述第一PMOS管的源极与所述预设电源相连；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极之间具有节点，所述第一NMOS管的源极接地；
第一开关模块，所述第一开关模块的一端与所述节点相连，所述第一开关模块的另一端与所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连；
当所述晶体振荡器与预设无源晶体相连时，所述第一NMOS管的栅极与所述预设无源晶体的输入引脚相连，所述第一开关模块的另一端和所述等效反相放大器偏置电路的输入端分别与所述预设无源晶体的输出引脚相连，所述第一开关模块闭合，以及当所述晶体振荡器与预设有源晶体相连时，所述第一开关模块的另一端和所述等效反相放大器偏置电路的输入端分别与所述预设有源晶体的输出引脚相连，所述第一开关模块断开。
6.根据权利要求5所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括：
第一电阻模块，所述第一电阻模块的一端与所述第一NMOS管的栅极相连，当所述晶体振荡器与所述预设无源晶体相连时，所述第一电阻模块的另一端与所述预设无源晶体的输入引脚相连；
第二电阻模块，所述第二电阻模块分别与所述第一PMOS管的漏极和所述节点相连；
第三电阻模块，所述第三电阻模块分别与所述第一NMOS管的漏极和所述节点相连；
第四电阻模块，当所述晶体振荡器与预设无源晶体相连时，所述第四电阻模块分别与所述预设无源晶体的输出引脚和所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连，以及当所述晶体振荡器与预设有源晶体相连时，所述第四电阻模块分别与所述预设有源晶体的输出引脚和所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连。
7.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括：
高通滤波模块，所述高通滤波模块分别与所述第四电阻模块和所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连；
第二开关模块，所述第二开关模块的一端与所述高通滤波模块的一端相连，所述第二开关模块的另一端与所述高通滤波模块的另一端相连，当所述晶体振荡器与所述预设无源晶体相连时，所述第二开关模块断开，以及当所述晶体振荡器与所述预设有源晶体相连时，所述第二开关模块闭合。
8.根据权利要求5所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第一开关模块为第一MOS管开关。
9.根据权利要求7所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第二开关模块为第二MOS管开关。
10.根据权利要求5所述的晶体振荡器，其特征在于，所述至少一个反相器的尺寸比例互不相同。