1.一种基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器电连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间，所述第二反相器电连接于所述第二输入端与所述第二输出端之间，所述第一输入端与所述第二输出端之间还依次电性连接有第三反相器和第四反相器，所述第二输入端与所述第一输出端之间还依次电性连接有第五反相器和第六反相器。
2.根据权利要求1所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第一反相器包括第一N型MOS晶体管和第一P型MOS晶体管，所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极连接，所述第一输入端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极连接，所述第一N型MOS晶体管的源极与电源连接，所述第一P型MOS晶体管的源极接地。
3.根据权利要求2所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第一反相器还包括第一电容和第一电阻，所述第一电容的一端与所述第一输入端连接，所述第一电容的另一端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一电阻的一端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一电阻的另一端连接于所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极之间。
4.根据权利要求2所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极连接后，与所述第一输出端连接。
5.根据权利要求1所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第二反相器包括第二N型MOS晶体管和第二P型MOS晶体管，所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极连接，所述第二输入端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极连接，所述第二N型MOS晶体管的源极与电源连接，所述第二P型MOS晶体管的源极接地，所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极连接后，与所述第二输出端连接。
6.根据权利要求5所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第二反相器还包括第二电容和第二电阻，所述第二电容的一端与所述第二输入端连接，所述第二电容的另一端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二电阻的一端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二电阻的另一端连接于所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极之间。
7.根据权利要求1所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第三反相器包括第三P型MOS晶体管和第七P型MOS晶体管，第三P型MOS晶体管的栅极和漏极均与电源连接，所述第三P型MOS晶体管的源极与所述第七P型MOS晶体管的漏极连接，所述第七P型MOS晶体管的栅极与所述第一输入端连接，所述第七P型MOS晶体管的源极接地。
8.根据权利要求7所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第四反相器包括第四N型MOS晶体管和第四P型MOS晶体管，所述第四N型MOS晶体管的栅极和所述第四P型MOS晶体管的栅极均与所述第三P型MOS晶体管的源极连接，所述第四N型MOS晶体管的漏极和所述第四P型MOS晶体管的漏极连接，所述第二输出端连接于所述第四N型MOS晶体管的漏极和所述第四P型MOS晶体管的漏极之间，所述第四N型MOS晶体管的源极与所述电源连接，所述第四P型MOS晶体管的源极接地。
9.根据权利要求1所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第五反相器包括第五P型MOS晶体管和第八P型MOS晶体管，第五P型MOS晶体管的栅极和漏极均与电源连接，所述第五P型MOS晶体管的源极与所述第八P型MOS晶体管的漏极连接，所述第八P型MOS晶体管的栅极与所述第二输入端连接，所述第八P型MOS晶体管的源极接地。
10.根据权利要求9所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第六反相器包括第六N型MOS晶体管和第六P型MOS晶体管，所述第六N型MOS晶体管的栅极和所述第六P型MOS晶体管的栅极均与所述第五P型MOS晶体管的源极连接，所述第六N型MOS晶体管的漏极和所述第六P型MOS晶体管的漏极连接，所述第一输出端连接于所述第六N型MOS晶体管的漏极和所述第六P型MOS晶体管的漏极之间，所述第六N型MOS晶体管的源极与所述电源连接，所述第六P型MOS晶体管的源极接地。