本发明属于PCB加工技术领域，具体涉及一种线路板孔金属化的方法。
背景技术：
多层线路板如 HDI、多层刚挠结合板，需要通过通孔、盲孔或者叠孔的孔金属 化在层间实现电气连接，进而实现电路板高密度高布局效率的性能。孔金属化是在电路板 铜箔之间的介电材料如聚酰亚胺、环氧树脂浸渍玻璃布等材料上钻孔，并在这些绝缘材料 孔壁镀上一层金属，实现两层或多层铜箔线路之间的导通。基于化学镀工艺的孔金属化是 一种比较传统的孔金属化方法。
化学镀是一种在材料表面形成均匀金属镀层的方法，特别是当材料是树脂、陶瓷 等非金属时，这些材料无法直接电镀得到想要的金属涂层，化学镀则是非常好的选择。化学 镀不仅操作简单，而且得到的金属镀层质量也比较高，镀层均匀性好，孔隙率低。化学镀的 应用范围很广，在线路板领域，用于通孔、盲孔或者叠孔的孔金属化，还有化学镍金，浸 银等工序。
通常孔化学镀要经过前处理（粗化）、吸附、还原这三个主要过程，其中前处理对镀 层是否上镀，镀层质量有极大的影响。特别是在孔壁表面非常光滑的情况，这个时候表面预 处理就显得十分重要。一般情况下，孔壁表面粗化可以使用化学微蚀处理，以达到表面改 性，增加表面接触面积，提高附着性。但是这种方法有较多局限性，在应用的材料不同时要 调整不同的配方，并且处理程度不易控制，容易降低材料表面平整度，影响后续镀层质量 ； 对材料进行蚀刻粗化，容易导致材料老化，寿命减少 ；另外，化学药品的引入也带来了环境 健康等问题。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种线路板孔金属化的方法，在线路板钻孔的同时对孔壁附导电高分子膜以及进一步活化的新工艺，通过这种工艺可以较为方便的实现线路钻孔和孔壁金属 化，对基材本身的破坏很小，加工精度高，结合磁控溅射的方式，镀层附着性能好，工艺简单环保，适用表面非常光滑的材料。
本发明的技术方案为：一种线路板孔金属化的方法，包括以下具体步骤：
S1.激光定位钻孔，并调节激光照射处理，使孔壁形成通孔 ；
S2. 在需要金属化的孔壁上覆盖导电高分子膜，并将活化粒子渗透入导电高分子膜表面，形成活化层 ；
S3. 进行微蚀处理后再将活化粒子钝化，金属通过磁控溅射的方式在通孔表面形成镀层。
进一步的，所述激光定位钻孔的条件是：使用激光钻孔的同时，调节激光照射，激光的脉冲能量控制在 108mJ，聚焦高度控制在 52mm，激光频率控制 在 30kHz，激光脉冲宽度控制在 5um，光束直径控制在 12mm。
进一步的，所述活化层的厚度为10-15um。所述活化层可通过现有技术中的任一活化粒子形成。
进一步的，所述导电高分子膜由以下重量计原料组成：聚乙烯基吡咯烷酮 37.4、二甲基丙烯酸二缩乙二醇酯 2.7、聚丙烯酸酯 3.1、丙烯酸二甲胺基乙酯 1.8、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺 5.2、ZnO 7.6，BeO 12.4、BeO 2.9，Al2O3 4.2、磷酸三丁酯 5.4、二乙二醇二醋酸酯 3.5、肉豆蔻酰两性基乙酸钠 2.9、月桂酰胺丙基甜菜碱 3.2、5-氨基酮戊酸 2.3、间-四羟基苯基二氢卟酚 1.7。通过导电高分子膜各组分的复配增效作用，能够进一步提高镀层与通孔的结合力以及导电性能。
进一步的，所述磁控溅射的工艺条件为：使用靶材为纯度99 .99wt％以上的金属溅射靶，真空室的本底真空度为8×10-2Pa，Ar的流量为18sccm，He的流量为18sccm， N2的流量为18sccm，工作气压为8Pa，溅射靶的溅射功率为400W，沉积温度为50℃，沉积时间为50s，厚度为 200um；所述磁控溅射采用的金属为钨,钼,钽,铪,铌中的任一种。
本发明在线路板钻孔的同时对孔壁附导电高分子膜以及进一步活化的新工艺，通过这种工艺可以较为方便的实现线路钻孔和孔壁金属 化，对基材本身的破坏很小，加工精度高，结合磁控溅射的方式，镀层附着性能好，工艺简单环保，适用表面非常光滑的材料。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
一种线路板孔金属化的方法，包括以下具体步骤：
S1.激光定位钻孔，并调节激光照射处理，使孔壁形成通孔 ；
S2. 在需要金属化的孔壁上覆盖导电高分子膜，并将活化粒子渗透入导电高分子膜表面，形成活化层 ；
S3. 进行微蚀处理后再将活化粒子钝化，金属通过磁控溅射的方式在通孔表面形成镀层。
进一步的，所述激光定位钻孔的条件是：使用激光钻孔的同时，调节激光照射，激光的脉冲能量控制在 108mJ，聚焦高度控制在 52mm，激光频率控制 在 30kHz，激光脉冲宽度控制在 5um，光束直径控制在 12mm。
进一步的，所述活化层的厚度为10-15um。所述活化层可通过现有技术中的任一活化粒子形成。
进一步的，所述导电高分子膜由以下重量计原料组成：聚乙烯基吡咯烷酮 37.4、二甲基丙烯酸二缩乙二醇酯 2.7、聚丙烯酸酯 3.1、丙烯酸二甲胺基乙酯 1.8、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺 5.2、ZnO 7.6，BeO 12.4、BeO 2.9，Al2O3 4.2、磷酸三丁酯 5.4、二乙二醇二醋酸酯 3.5、肉豆蔻酰两性基乙酸钠 2.9、月桂酰胺丙基甜菜碱 3.2、5-氨基酮戊酸 2.3、间-四羟基苯基二氢卟酚 1.7。
进一步的，所述磁控溅射的工艺条件为：使用靶材为纯度99 .99wt％以上的金属溅射靶，真空室的本底真空度为8×10-2Pa，Ar的流量为18sccm，He的流量为18sccm， N2的流量为18sccm，工作气压为8Pa，溅射靶的溅射功率为400W，沉积温度为50℃，沉积时间为50s，厚度为 200um；所述磁控溅射采用的金属为钨,钼,钽,铪,铌中的任一种。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本发明中所未详细描述的技术细节，均可通过本领域中的任一现有技术实现。特别的，本发明中所有未详细描述的技术特点均可通过任一现有技术实现。