一种可控硅控制的振荡电路的制作方法

本发明涉及一种振荡电路，具体是一种可控硅控制的振荡电路。

背景技术：

振荡电路是一种大小和方向都随周期发生变化的电流，能产生振荡电流的电路就叫做振荡电路，NE555作为模拟电路技术领域常用的芯片，使用范围非常广泛，然而一般的NE555多谐振荡器，充放电时间的调节会相互影响，只能通过外围电子元件调节振荡的高低电平时间比值，使用过程中非常不方便，另外使用NE555等芯片元件还会导致电路的抗干扰能力较低；另外现有的一下采用可控硅控制的振荡电路都是通过电容控制可控硅的G极通断来产生振荡，这种方式容易损坏可控硅。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种可控硅控制的振荡电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种可控硅控制的振荡电路，包括电阻R1、二极管D1、单向可控硅VS、电容C1和二极管D2，其特征在于，所述电阻R1一端分别连接二极管D2正极和电源VCC，二极管D2负极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接单向可控硅VS的A极、电容C1和输出端Vo一端，输出端Vo另一端分别连接单向可控硅VS的K极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、二极管D1正极和电阻R2并接地，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端、二极管D1负极和单向可控硅VS的G极；所述电阻R1和电阻R2组成分压采样电路。

作为本发明进一步的方案：所述二极管D1为稳压二极管，所述二极管D2为整流二极管。

作为本发明进一步的方案：所述单向可控硅VS采用TL431，所述电源VCC电压为12V。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明可控硅控制的振荡电路采用单向可控硅VS控制，在VS的A极巧妙设置电容C1进行充放电，从而产生振荡，安全性高，电路结构简单，成本低，体积小，而且没有使用任何芯片元件，抗干扰能力强。

附图说明

图1为可控硅控制的振荡电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明实施例中，一种可控硅控制的振荡电路，包括电阻R1、二极管D1、单向可控硅VS、电容C1和二极管D2，所述电阻R1一端分别连接二极管D2正极和电源VCC，二极管D2负极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接单向可控硅VS的A极、电容C1和输出端Vo一端，输出端Vo另一端分别连接单向可控硅VS的K极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、二极管D1正极和电阻R2并接地，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端、二极管D1负极和单向可控硅VS的G极；所述二极管D1为稳压二极管；所述单向可控硅VS采用TL431；所述电源VCC电压为12V；所述电阻R1和电阻R2组成分压采样电路；所述二极管D2为整流二极管。

本发明的工作原理是：请参阅图1，电阻R1、R2时刻为VS的G极提供触发电压，但电源VCC刚接通时电容C1通过电阻R4充电，VS的A极电压从0伏逐渐上升，当电压上升到能满足VS导通条件时，VS立刻导通，VS经过电阻R3放电，由于R3阻值太小，VS的A极电压瞬间变成0伏，VS截止，C1继续充电，重复上一过程，电阻R3、电阻R4、电容C1的值同时决定振荡频率。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。