技术特征：
技术总结
本发明提供了一种异或门电路及抗核辐射芯片，其中该异或门电路包括：第一阈值增强型反相器、第二阈值增强型反相器以及异或门本体，其中，第一阈值增强型反相器的输入端与异或门本体的第一输入端连接，第一阈值增强型反相器的输出端与异或门本体的第二输入端连接，第二阈值增强型反相器的输入端与异或门本体的第三输入端连接，第二阈值增强型反相器的输出端与异或门本体的第四输入端连接，能够使异或门电路具有较强的抗核辐射能力。
技术研发人员：胡封林;李剑川;罗恒;张圣君;刘森
受保护的技术使用者：长沙中部芯空微电子研究所有限公司
技术研发日：2017.05.09
技术公布日：2017.09.29