技术特征：
技术总结
本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管的漏极和栅极，第一NMOS晶体管的源极接地；第一PMOS晶体管的源极接电源，漏极接第二隔离器件的一端，并作为电路的输出端；第二隔离器件的另一端接地。该电路将电源电压与第一PMOS晶体管的阈值电压和第一NMOS晶体管晶体的阈值电压之和进行比较，当电源电压超过两者之和时，输出一个复位信号。该电路无需复杂的电路结构，实现了对芯片上电过程的检测，简化了电路结构，从而降低了芯片成本。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：长沙方星腾电子科技有限公司
技术研发日：2017.05.30
技术公布日：2017.09.29