可挠式基板的制作方法

本发明有关一种封装基板，特别涉及一种可挠式基板。

背景技术：

软硬结合电路板目前广泛应用于智能手机板、光电板、互补式金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，cmos)、电池模块和穿戴装置。

传统软硬结合板是将软板结构包覆于硬板结构内，仅露出需挠折的部分，并以层间互连取代传统的表面焊接，故不仅能节省机构空间与简化组装流程，也能有效降低信号从软板结构传递到硬板结构的噪声问题。

因此，借由其良好的可靠性、组装方便性、噪声抑制等优点，使得软硬结合板在目前电子产品的使用比例上快速地成长，并特别适用于需要轻、薄、短、小的移动装置与穿戴式装置。

图1a至图1d为悉知软硬结合型封装基板1的第一制法的剖面示意图。

如图1a至图1b所示，于一具有挠折段a的软板10的相对两侧上分别贴合一具有穿孔110的硬板11，且该些穿孔110对应该挠折段a，使该挠折段a对应外露于该些穿孔110。

所述的软板10具有一核心层10a、设于该核心层10a相对两侧的第一线路层10b、包覆该第一线路层10b的覆盖胶层(coverlyadhesives)10c、及遮盖该覆盖胶层10c的覆盖保护膜10d。例如，以铜箔基板(coppercladlaminate，简称ccl)制作该核心层10a与该第一线路层10b。

所述的硬板11具有一硬质基材11a、设于该硬质基材11a其中一侧的金属层11b及设于该硬质基材11a另一侧的纯胶材11c，且该硬板11以机械钻孔方式贯穿该硬质基材11a、金属层11b与纯胶材11c而形成该穿孔110，再以其纯胶材11c黏贴于该软板10的覆盖保护膜10d上。

如图1c所示，以机械钻孔或激光烧灼方式贯穿该软板10与该硬板11，以形成多个通孔100。

如图1d所示，借由该金属层11b电镀导电材12a于整层该金属层11b上及该些通孔100的孔壁上，再经图案化蚀刻该金属层11b与该导电材12a，以于该硬质基材11a上形成第二线路层12，且于该些通孔100中形成中空型导电通孔13，以令该导电通孔13电性连接该些第一线路层10b的电性接触垫101与第二线路层12。之后，于该硬质基材11a与该第二线路层12上及于该导电通孔13中形成外露部分该第二线路层12的防焊层14(如油墨或绿漆)，但该防焊层14未形成于该穿孔110中。

因此，悉知软硬结合型封装基板1借由该挠折段a与该穿孔110的设计以进行挠曲动作。

然而，悉知软硬结合型封装基板1中，因该软板10的层间尺寸变异较大，且受到贴合制程限制，导致该软板10与该硬板11的层间对位精度不佳(该纯胶材11c容易使该硬板11偏位，致使该软板10与该硬板11的层间对位精度约+/-100um)，故需增加该软板10的电性接触垫101的面积，以避免孔位偏移而使该导电通孔13无法连接该电性接触垫101，但也因此减少该第一线路层10b的其它功能线路的布线面积，导致需增大该软板10的宽度或减少该软板10的线路功能。然而，若不增加该电性接触垫101的面积，则需增加该电性接触垫101与其周围线路之间的距离t，以避免因孔位偏移而错接所导致的电路短路的问题，但也因此无法符合细间距的需求。

此外，由于该硬板11以其纯胶材11c黏贴于该软板10上，致使该软板10与该硬板11的交接处会产生溢胶e(如图1b所示的穿孔110角落处受该硬质基材11a的压迫)、缺胶、板边凹陷等问题，进而影响后续组装贴合与挠折能力。

又，该封装基板1受限于该软板10的核心层10a、该硬板11的厚度(一定的厚度才能提供所需的硬度)与双面增层(上下两侧的第二线路层12)的设计，故该封装基板1的厚度h难以降到0.3㎜以下，因而难以符合薄化的需求。

图2a至图2d为悉知软硬结合型封装基板2的第二制法的剖面示意图。

如图2a至图2b所示，于一具有挠折段a的软板20的相对两侧上分别压合一具有穿孔210的介电层21，且该些穿孔210对应该挠折段a，使该挠折段a对应外露于该些穿孔210。接着，于该些介电层21、该穿孔210的孔壁与该挠折段a上形成如铜材的金属层21b。

所述的软板20具有一核心层20a、设于该核心层20a相对两侧的第一线路层20b、形成于该挠折段a上的覆盖胶层20c、及遮盖该覆盖胶层20c的覆盖保护膜20d。例如，以铜箔基板(ccl)制作该核心层20a与该第一线路层20b。

所述的介电层21为预浸材(prepreg，简称pp)，并以机械钻孔方式贯穿该介电层21而形成该穿孔210，且该介电层21结合该软板20的核心层20a、第一线路层20b与部分覆盖保护膜20d。

如图2c所示，以机械钻孔或激光烧灼方式贯穿该软板20、该介电层21与该金属层21b，以形成多个通孔200。

如图2d所示，借由该金属层21b电镀导电材22a于该金属层21b上及该些通孔200的孔壁上，再经图案化蚀刻该金属层21b与该导电材22a，以于该介电层21上形成第二线路层22，且于该些通孔200中形成中空型导电通孔23，以令该导电通孔23电性连接该第一线路层20b的电性接触垫201与该第二线路层22。之后，于该介电层21与该第二线路层22上及于该导电通孔23中形成外露部分该第二线路层22的防焊层24(如油墨或绿漆)，但该防焊层24未形成于该穿孔210中。

因此，悉知软硬结合型封装基板2借由该挠折段a与该穿孔210的设计以进行挠曲动作。

而，悉知软硬结合型封装基板2中，因该软板20的层间尺寸变异较大，且于压合制程中，需以高温高压结合不同材料的介电层21，导致该封装基板2容易产生不规则变形，且该软板20与该介电层21的层间对位精度不佳(约+/-100um)，故需增加该软板20的电性接触垫201的面积，以避免孔位偏移而使该导电通孔23无法连接该电性接触垫201，但也因此减少该第一线路层20b的其它功能线路的布线面积，导致需增大该软板20的宽度或减少该软板20的线路功能。然而，若不增加该电性接触垫201的面积，则需增加该电性接触垫201与其周围线路之间的距离t，以避免因孔位偏移而错接所导致的电路短路的问题，但也因此无法符合细间距的需求。

此外，因该封装基板2的软硬交接处同时有如预浸材(pp)的介电层21与该覆盖保护膜20d等两种材质，故于压合该介电层21后，此处容易发生隆起，进而影响后续组装贴合与挠折能力。

又，该封装基板2受限于该软板20的核心层20a与该覆盖保护膜20d的厚度(一定的厚度才不会因挠曲而碎裂)、该介电层21的厚度(一定的厚度才能提供所需的硬度)及双面增层(上下两侧的第二线路层22)的设计，故该封装基板2的厚度h难以降到0.25㎜以下，因而难以符合薄化的需求。

图3a至图3e为悉知软硬结合型封装基板3的第三制法的剖面示意图。

如图3a所示，提供一具有开口311的硬板31，其包含一硬质基材31a及设于该硬质基材31a相对两侧上的内部线路层31c。例如，以铜箔基板(ccl)制作该硬质基材31a与该内部线路层31c，并以机械钻孔方式贯穿该硬质基材31a而形成该开口311。

如图3b所示，于该开口311中设置一具有挠折段a的软板30，其具有一核心层30a、设于该核心层30a相对两侧的第一线路层30b、形成于该挠折段a上的覆盖胶层30c、及遮盖该覆盖胶层30c的覆盖保护膜30d。

如图3c所示，于该硬板31与该软板30的相对两侧上分别压合一具有穿孔310的介电层31d，且该些穿孔310对应该挠折段a，使该挠折段a对应外露于该些穿孔310。接着，于该些介电层31d、该穿孔310的孔壁与该挠折段a上形成如铜材的金属层31b。之后，贯穿该硬板31、该介电层31d与该金属层31b以形成多个通孔300，且贯穿该介电层31d与该金属层31b以形成多个外露部分该第一线路层30b的盲孔301。

所述的介电层31d为预浸材(prepreg，简称pp)，且该介电层31d结合该硬板31、该软板30的部分第一线路层30b与部分覆盖保护膜30d。

如图3d所示，借由该金属层31b电镀导电材32a于整层该金属层31b上、该些通孔300的孔壁上及该些盲孔300中，再经图案化蚀刻该金属层31b与该导电材32a，以于该介电层31d上形成第二线路层32，且于该些通孔300中形成用以电性连接该些内部线路层31c与第二线路层32的导电通孔33，并于该些盲孔301中形成用以电性连接该些第一与第二线路层30b,32的导电盲孔320。之后，于该介电层31d上形成一用以电性连接该第二线路层32的增层线路结构35，且该增层线路结构35上形成有一外露部分该增层线路结构35的防焊层34(如油墨或绿漆)。

如图3e所示，以机械切除方式移除对应该穿孔310上方的材质(即该增层线路结构35、该导电材32a与该金属层31b)，以外露该挠折段a(即外露该覆盖保护膜30d)。

因此，悉知软硬结合型封装基板3借由该挠折段a的设计以进行挠曲动作。

而，悉知软硬结合型封装基板3中，因该第二线路层32使用减层法制作(即经由蚀刻该金属层31b与该导电材32a)，故受限于线路制程的能力，该第二线路层32的线宽/线距(l/s)仅能呈现大于或等于40/40um，并无法小于40/40um。

此外，因该封装基板3的软硬交接处同时有介电层31d与该覆盖保护膜30d等两种材质，故于压合该介电层31d后，此处容易发生该软板30的边缘突起、pp溢胶等问题，进而影响后续组装贴合与挠折能力。

又，由于该硬板31的厚度需配合该软板30的厚度(该软板30需具有一定的厚度，才不会因挠曲而碎裂)，故该封装基板3的厚度l难以降到0.25㎜以下，因而难以符合薄化的需求。

图4为悉知软硬结合型封装基板4的第四制法的剖面示意图。

如图4所示，于一核心板9的相对两侧上压合具有挠折段a的线路板40，其具有线路层40b、软质部40c及第一介电层40d，且该线路层40b压合于该核心板9上，并使该第一介电层40d具有对应该挠折段a的开口400，以令该软质部40c外露于该开口400。接着，依需求压合一具有穿孔410的第二介电层41及保护膜90。

因此，悉知软硬结合型封装基板4借由该开口400、穿孔410与挠折段a的设计以进行挠曲动作，且该线路层40b不受限减层法的线路制作能力。

而，悉知软硬结合型封装基板4中，因该封装基板4的软硬交接处同时有软质部40c及第一介电层40d等两种材质，故于压合该第二介电层41后，此处容易因应力分布不均而发生该开口400(或该穿孔410)的角落边缘突起的问题，进而影响后续组装贴合与挠折能力。

此外，该封装基板4需设有该核心板9，使其厚度能够缩减的幅度有限，因而不利于薄化需求。

因此，如何克服悉知技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现要素：

鉴于上述悉知技术的缺失，本发明提供一种可挠式基板，可降低该可挠式基板的总厚度，符合薄化的需求。

本发明的可挠式基板，包括：基板本体，其为无核心形式，并具有挠折段及至少一介电层，且形成该介电层的材料为铸模化合物或底层涂料；以及增设件，其形成于该基板本体上，且具有穿孔，以令该挠折段外露于该穿孔。

本发明还提供一种可挠式基板的制法，包括：提供一基板本体，其中，该基板本体为无核心形式且具有挠折段，并包含至少一介电层，且形成该介电层的材料为铸模化合物或底层涂料；于该基板本体上形成增设件，其中，该增设件包含绝缘层、嵌埋于该绝缘层中的导电柱及贯通该增层结构的挡块；以及移除该挡块，使该增设件形成有穿孔，以供该挠折段外露于该穿孔。

前述的可挠式基板及制法中，该增设件包含绝缘层及嵌埋于该绝缘层中的导电柱。例如，形成该绝缘层的材质为介电材料，其为铸模化合物或底层涂料。

本发明还提供一种可挠式基板的制法，包括：于一承载板上形成基板本体，其中，该基板本体为无核心形式，并具有挠折段及至少一介电层，且形成该介电层的材料为铸模化合物或底层涂料；以及移除该承载板的部分材质，以形成贯通该承载板的穿孔而令该具有穿孔的承载板作为增设件，并供该挠折段外露于该穿孔。

前述的可挠式基板及制法中，该增设件为金属板材。

前述的可挠式基板及两种制法中，该基板本体还包含结合该介电层的线路结构。

由上可知，本发明的可挠式基板及两种制法中，采用不同于悉知技术的增层材料与产品结构，以大幅提高软硬结合板结构的电路密度与降低整体基板的厚度，特别适用于需超薄化与电路复杂化(或多功能)的高阶移动装置产品。

附图说明

图1a至图1d为悉知软硬结合型封装基板的第一制法的剖面示意图；

图2a至图2d为悉知软硬结合型封装基板的第二制法的剖面示意图；

图3a至图3e为悉知软硬结合型封装基板的第三制法的剖面示意图；

图4为悉知软硬结合型封装基板的第四制法的剖面示意图；

图5a至图5f为本发明的可挠式基板的制法的第一实施例的剖视示意图；

图6a至图6c为本发明的可挠式基板的制法的第二实施例的剖视示意图；以及

图7a至图7b为本发明的可挠式基板的制法的第三实施例的剖视示意图。

符号说明

1,2,3,4封装基板

10,20,30软板

10a,20a,30a核心层

10b,20b,30b第一线路层

10c,20c,30c覆盖胶层

10d,20d,30d覆盖保护膜

100,200,300通孔

101,201电性接触垫

11,31硬板

11a,31a硬质基材

11b,21b,31b金属层

11c纯胶材

110,210,310,410,640,700穿孔

12,22,32第二线路层

12a,22a,32a导电材

13,23,33导电通孔

14,24,34防焊层

21,31d,550介电层

301盲孔

31c内部线路层

311,400开口

320导电盲孔

35增层线路结构

40线路板

40b,551线路层

40c软质部

40d第一介电层

41第二介电层

5,6,7可挠式基板

5a,5b,60,70增设件

50承载板

51第一导电柱

52第二导电柱

53第一绝缘层

530第一穿孔

54第二绝缘层

540第二穿孔

55基板本体

552导电体

56表面处理层

59a,59b,69挡块

62导电柱

64绝缘层

651电磁屏蔽层

77绝缘保护层

770开口区

771开孔

9核心板

90保护膜

a,f挠折段

h,h,l,d,d,r厚度

e距离

t溢胶。

具体实施方式

以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所公开的内容轻易地了解本发明的其他优点及技术效果。

须知，本说明书附图说明书附图所示出的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所公开的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的技术效果及所能实现的目的下，均应仍落在本发明所公开的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的实施方式。

图5a至图5f为本发明的可挠式基板5的制法的第一实施例的剖视示意图。

如图5a所示，借由图案化制程形成多个第一导电柱51与挡块59a于一承载板50上。

于本实施例中，该承载板50为金属基材、半导体基材或绝缘基材，并无特别限制。

此外，该第一导电柱51与该挡块59a为金属材，如铜材，且两者的材质可相同或不相同。

如图5b所示，形成一第一绝缘层53于该承载板50上以包覆该些第一导电柱51与挡块59a，且该些第一导电柱51的表面与该挡块59a的表面齐平于该第一绝缘层53的表面，使该些第一导电柱51与该挡块59a外露于该第一绝缘层53，且该挡块59a贯通该第一绝缘层53。

于本实施例中，该第一绝缘层53作为硬质部，其以铸模方式、涂布方式或压合方式形成于该承载板50上，且形成该第一绝缘层53的材质为介电材料，其可为环氧树脂(epoxy)，且该环氧树脂还包含铸模化合物

(moldingcompound)或底层涂料(primer)，如环氧模压树脂(epoxymoldingcompound，简称emc)，其中，该环氧模压树脂含有充填物(filler)，且该充填物的含量为70至90wt％。

如图5c所示，形成一基板本体55于该第一绝缘层53上，且该基板本体55电性连接该些第一导电柱51。

于本实施例中，该基板本体55为无核心(coreless)形式，其可采用线路增层制程方式制作，故该基板本体55包含至少一以涂布方式制作的介电层550、结合该介电层550的线路层551、及多个设于该介电层550中并电性连接该线路层551的盲孔型导电体552。

此外，于其它实施例中，该基板本体55也可采用铸模制程方式制作，例如，先形成一线路层551于该第一绝缘层53上，再形成导电柱于该线路层551上，之后以铸模方式形成该介电层550以包覆该线路层551与该导电柱，使该导电柱作为该导电体552，且可依上述步骤增加层数。

又，该介电层550为软质部，但该介电层550的材质与该第一绝缘层53的材质可相同或不相同，例如，该介电层550可为环氧树脂的其中一种类型，而该第一绝缘层53可为环氧树脂的另一种类型或同类型。

如图5d所示，形成多个第二导电柱52与挡块59b于该基板本体55上，且形成一第二绝缘层54于该基板本体55上以包覆该些第二导电柱52与挡块59b，且该些第二导电柱52的表面与该挡块59b的表面齐平于该第二绝缘层54的表面，使该些第二导电柱52与该挡块59b外露于该第二绝缘层54，且该挡块59b贯通该第二绝缘层54。

于本实施例中，该第二导电柱52与该挡块59b为金属材，如铜材，且两者的材质可相同或不相同。

此外，该第二绝缘层54作为硬质部，其以铸模方式、涂布方式或压合方式形成者，且形成该第二绝缘层54的材质为介电材料，其可为环氧树脂，且该环氧树脂还包括铸模化合物或底层涂料，如环氧模压树脂，其中，该环氧模压树脂含有充填物，其中，该充填物的含量为70～90wt％。

另外，该第二绝缘层54的材质与该第一绝缘层53的材质可相同或不相同，且该第二绝缘层54的材质与该介电层550的材质可相同或不相同。

如图5e及图5f所示，以剥离方式移除该承载板50，再以蚀刻方式移除该些挡块59a,59b，以于该第一绝缘层53上形成第一穿孔530，且于该第二绝缘层54上形成第二穿孔540，使该基板本体55外露于该第一与第二穿孔530,540，以作为挠折段f，且该些第一导电柱51与该第一绝缘层53可视为一增设件5a，而该些第二导电柱52与该第二绝缘层54可视为另一增设件5b。

于本实施例中，当移除该挡块59a时，可依需求一并移除该基板本体55的部分材质，使该第一穿孔530延伸至该基板本体55中。同理地，该第二穿孔540也可依需求延伸至该基板本体55中。

此外，于后续制程中，该增设件5a,5b可依需求于该第一与第二导电柱51,52上形成表面处理层56。

因此，本发明的可挠式基板5直接于该第一绝缘层53上制作该基板本体55(即涂布该介电层550)，以取代悉知压合或贴合增层材，故本发明的软硬交接处为介电材直接结合(例如，两层环氧树脂直接结合)，因而可完全消除悉知软硬结合板在软硬交接区所产生的缺点，也就是本发明的软硬交接区没有如悉知技术的溢胶、缺胶、突起等问题，且可将层间对位精度提高至+/-25um(悉知软硬结合板的层间对位精度为+/-100um)。

此外，该基板本体55为无核心形式，故可大幅降低该可挠式基板5的总厚度，例如，四层板形式的厚度d可小于0.2㎜，如0.16㎜，其小于悉知技术的四层板形式的厚度(约0.25㎜)。

又，该基板本体55因其线路层551使用半加成法制作(即直接电镀出该线路层551)而无需蚀刻金属材，故该线路层551的边缘呈平直状，而无蚀刻制程所产生的残足问题，因而利于阻抗控制，且该线路层551的线宽/线距可降至20/20um(悉知减层法所制作的线路的线宽/线距最小为

40/40um)。

另外，本发明的连结位置(即该挠折段f)以影像转移方式配合图案化电镀厚铜(该些挡块59a,59b)及蚀刻移除厚铜(该些挡块59a,59b)等方式制作，故该挠折段f的形状、尺寸与精度不受悉知机械加工的限制，因而可提高机构设计的自由度(例如，可同时制作多组任意形状的挠折段f)，且因该些挡块59a,59b可与该第一与第二导电柱51,52一起制作而能减少加工成本。

此外，本发明的可挠式基板5的最外侧(即硬板区的外层)接触垫是制作成铜柱形式(即该第一与第二导电柱51,52)，并借由介电材(该第一与第二绝缘层53,54)取代悉知防焊层，故本发明能强化接触垫(该第一与第二导电柱51,52)与介电材(该第一与第二绝缘层53,54)之间的结合力，并提高后续打线制程的打线强度，因而可提高产品可靠度与封装能力。

图6a至图6c为本发明的可挠式基板6的制法的第二实施例的剖视示意图。本实施例与第一实施例的差异在于穿孔的数量，其它制程大致相同，故以下仅说明相异处，而不再赘述相同处。

如图6a所示，形成该基板本体55于该承载板50上，且该些介电层550作为软质部，并以涂布方式将该介电层550形成于该承载板50上。

如图6b所示，形成多个导电柱62与挡块69于该基板本体55上，且形成一绝缘层64于该基板本体55上以包覆该些导电柱62与挡块69，且该些导电柱62的表面与该挡块69的表面齐平于该绝缘层64的表面，使该些导电柱62与该挡块69外露于该绝缘层64。

于本实施例中，该导电柱62与该挡块69为金属材，如铜材，且两者的材质可相同或不相同。

此外，该绝缘层64作为硬质部，其以铸模方式、涂布方式或压合方式形成者，且形成该绝缘层64的材质为介电材料，其可为环氧树脂，且该环氧树脂还包括铸模化合物或底层涂料，如环氧模压树脂，其中，该环氧模压树脂含有充填物，其中，该充填物的含量为70～90wt％。

又，该介电层550的材质与该绝缘层64的材质可相同或不相同，例如，该介电层550可为环氧树脂(epoxy)的其中一种类型，而该绝缘层64可为环氧树脂(epoxy)的另一种类型或同类型。

如图6c所示，蚀刻移除该挡块69，以于该绝缘层64上形成穿孔640，使该基板本体55外露于该穿孔640，以令该基板本体55外露于该穿孔640的部分作为挠折段f。之后，移除该承载板50，且该些导电柱62与该绝缘层64可视为增设件60。

于本实施例中，当蚀刻移除该挡块69时，会一并移除部分该导电柱62的外露材质，使该导电柱62的端面高度低于该绝缘层64的表面，且可依需求一并移除该基板本体55的部分金属材质，以增加该穿孔640的深度。

此外，当移除该承载板50时，可保留软板部(该基板本体55)于外露侧的电镀铜层(部分该线路层551)，以作为电磁屏蔽层651，而无须额外贴覆银胶导电膜作为电磁屏蔽。

又，于后续制程中，可依需求形成表面处理层(图略)于该些导电柱62上。

因此，本发明的可挠式基板6于该承载板50的单一侧上直接制作该基板本体55，使软板部(该介电层550)或硬板部(该绝缘层64)的层数可任意选择，而不受如悉知技术的核心层两侧设计的对称式增层限制。

此外，本发明的可挠式基板6仅于该基板本体55的单一侧具有软硬交接处，且该处为两层环氧树脂(该介电层550与该绝缘层64)直接结合，因而可完全消除悉知软硬结合板在软硬交接区所产生的缺点，也就是本发明的软硬交接区没有如悉知技术的溢胶、缺胶、突起等问题，且可减少挠折变异。

又，该基板本体55为无核心形式，故可大幅降低该可挠式基板6的总厚度，例如，四层板形式的厚度d可小于0.2㎜，其远小于悉知四层板形式的厚度。

另外，本发明的可挠式基板6的最外侧(即硬板区的外层)接触垫为制作成铜柱形式(即该导电柱62)，并借由介电材(该绝缘层64)取代悉知防焊层，故本发明能强化接触垫(该导电柱62)与介电材(该绝缘层64)之间的结合力，并提高后续打线制程的打线强度，因而可提高产品可靠度与封装能力。

此外，本发明的连结位置(即该挠折段f)以影像转移方式配合图案化电镀厚铜(该挡块69)及蚀刻移除厚铜(该挡块69)等方式制作，故该挠折段f的形状、尺寸与精度不受悉知机械加工的限制，因而可提高机构设计的自由度(例如，可同时制作多组任意形状的挠折段f)，且因该些挡块69可与该导电柱62一起制作而能减少加工成本。

图7a至图7b为本发明的可挠式基板7的制法的第三实施例的剖视示意图。本实施例与第二实施例的差异在于穿孔的制作方式，其它制程大致相同，故以下仅说明相异处，而不再赘述相同处。

如图7a所示，接续图6a的制程，于该基板本体55上形成一绝缘保护层77，其具有多个外露该线路层551的开孔771与至少一外露该介电层550的开口区770，且于本实施例中，该承载板50为金属板。

如图7b所示，对应该开口区770的位置蚀刻移除该承载板50的部分材质，以于该承载板50上对应该开口区770的处形成一贯通该承载板50的穿孔700，使该基板本体55外露于该穿孔700，以令该具有该穿孔700的承载板50作为增设件70(可视为硬质部)，且令该基板本体55外露于该穿孔700的部分作为挠折段f。

因此，本发明的可挠式基板7采用金属板材作为该承载板50以于其上进行增层制程，并保留部分该承载板50以作为该增设件70，俾供作为硬板区的支撑与散热之用。

此外，本发明的可挠式基板7仅于该基板本体55的单一侧具有软硬交接处，且该处为介电材(该介电层550)与金属材(该承载板50)直接结合，再蚀刻移除该承载板50的部分材质，以形成该贯通该承载板50的穿孔700，因而可完全消除悉知软硬结合板在软硬交接区所产生的缺点，也就是本发明的软硬交接区没有如悉知技术的溢胶、缺胶、突起等问题。

又，本发明的连结位置(即该挠折段f)以蚀刻金属(该承载板50的部分材质)的方式制作，故该挠折段f的形状、尺寸与精度不受悉知机械加工的限制，因而可提高机构设计的自由度，例如，可同时制作多组任意形状的挠折段f。

另外，该基板本体55为无核心形式，故可大幅降低该可挠式基板7的总厚度，例如，四层板形式的厚度r可小于0.2㎜，其远小于悉知四层板形式的厚度。

本发明提供一种可挠式基板5,6,7，包括：一基板本体55以及至少一增设件5a,5b,60,70。

所述的基板本体55为无核心形式且具有至少一挠折段f。

所述的增设件5a,5b,60,70形成于该基板本体55上，且该增设件5a,5b,60,70具有穿孔640,700(该第一与第二穿孔530,540)，以令该挠折段f外露于该穿孔640,700(该第一与第二穿孔530,540)。

于一实施例中，该基板本体55包含至少一介电层550及结合该介电层550的线路结构(例如，该线路层551及/或该导电体552)。

于一实施例中，该增设件5a,5b,60包含绝缘层64(该第一与第二绝缘层53,54)及嵌埋于该绝缘层64中的导电柱62(该第一与第二导电柱51,52)。例如，形成该绝缘层64(该第一与第二绝缘层53,54)的材质为介电材料，其为铸模化合物或底层涂料。

于一实施例中，该增设件70为金属板材。

综上所述，本发明的可挠式基板及其制法，借由该基板本体为无核心形式，以降低该可挠式基板的总厚度，故能符合薄化的需求。

此外，借由软硬交接处为介电材直接结合增设件，以于软硬交接区不会产生如溢胶、缺胶、突起等悉知问题，且能提升层间对位精度提高。

又，该基板本体因其线路层使用半加成法制作而无需蚀刻金属材，以利于阻抗控制，且能缩小线宽/线距，故能符合细间距/细线路的需求。

另外，借由蚀刻金属材的方式定义出该挠折段，故该挠折段的形状、尺寸与精度不受悉知机械加工的限制，因而能提高机构设计的自由度。

上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其技术效果，而非用于限制本发明。任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的构思及实施方式下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。