加热控制电路和烹饪器具的制作方法

本实用新型涉及家用电器领域，具体而言，涉及一种加热控制电路和一种烹饪器具。

背景技术：

相关技术中，养生壶等加热电器利用继电器控制加热负载模块的通断，以实现加热功能，具体地，如图1所示，通过在ACL与ACN之间设置电源模块，电源模块用于对水壶操作模块、控制模块以及继电器供电，由于继电器在导通时不能实现功率的变化，在需要调节加热负载模块的输出功率时，需要采用开通T1时间，关闭T2时间的方法来实现等效的加热功率调节，主要存在以下缺陷：

在单次烹饪过程中继电器会不停的开与停，由于继电器属于有触点接触的器件，触点频繁开断会使继电器的触点间的接触面氧化，氧化层达到一定的厚度后会导致接触不良，以致降低产品的使用寿命。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题至少之一，本实用新型的一个目的在于提供一种加热控制电路。

本实用新型的另一个目的在于提供一种烹饪器具。

为了实现上述目的，本实用新型第一方面的实施例提供了一种加热控制电路，包括：继电器模块，与加热负载模块串联设置，继电器模块用于使加热负载模块输出恒定功率；可控硅模块，与继电器模块并联设置，可控硅模块用于调节加热负载模块输出可变功率。

在该技术方案中，通过与继电器模块并联可控硅模块，由于继电器模块能够控制加热负载模块输出恒定功率，而可控硅模块能够控制加热负载模块输出可变功率，在需要采用恒定功率执行加热操作时，可以接通继电器模块的电路，以使继电器模块工作，在需要采用可变功率执行加热操作时，可以切断继电器模块，接入可控硅模块，控制调节加热模块的输出功率，由于可控硅模块与继电器模块并联设置，因此根据可控硅模块具有多种，一方面，能够减少高电压与低电压之间的功率差异，降低溢出风险，另一方面，由于可控硅属于无触点的开关器件，通过配合散热器使用，不需要担心使用寿命，提升了用户的使用体验。

具体地，可控硅也称作晶闸管，由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G，可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，通过与散热器配合使用，与继电器相比，在控制时不会产生火花，因而使用寿命长。

另外，本实用新型提供的上述实施例中的加热控制电路装置还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，优选地，还包括：控制芯片，分别连接至继电器模块与可控硅模块；温度检测模块，连接至控制芯片，温度检测模块用于检测加热温度，其中，在温度检测模块检测到加热温度达到预设温度阈值时，控制芯片控制由继电器模块切换至可控硅模块工作。

在该技术方案中，通过分别设置控制芯片与温度检测模块，在温度检测模块检测到加热温度达到预设温度阈值时，由控制芯片控制切断继电器模块加热控制，并开始由可控硅模块进行加热控制，实现了根据实时温度对加热控制模块执行工作转换的功能，一方面，通过控制芯片实现对可控硅模块与继电器模块的控制，不需要用户手动调节，可靠性高，另一方面，通过在检测到加热温度达到预设温度阈值时执行切换，在达到预设温度阈值之前采用继电器模块控制加热，降低了继电器频繁开闭的频率，延长了继电器的使用寿命，再一方面，不需要可控硅模块控制加热负载模块执行大功率加热，降低了可控硅的发热温度，从而能够降低可控硅模块上散热器的配置成本，从而降低了整机产品的成本。

具体地，以养生壶中的加热控制电路为例，在加热温度低于80°时，采用继电器模块控制加热，在加热至80℃时，为了减少溢出，可以采取输出可变功率的加热方式，因此该加热阶段采用可控硅进行输出功率调节，可以降低由于高低电压之间的功率差异导致的溢出风险，并且由于可控硅属于无触点的开关器件，配合合适散热器，不影响使用寿命。

控制芯片可以是MCU(微控制单元，Microcontroller Unit)，也可以是PLC(可编程逻辑控制器，Programmable Logic Controller)。

另外，将可控硅模块与继电器模块同时处于工作状态，也可以实现加热功率的可调节。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：电源模块，设置于ACN端与ACL端之间，电源模块的输出端输出工作电压，控制芯片连接至电源模块的输出端。

在该技术方案中，通过设置电源模块，将ACN端的市电转换为低压直流电，以对控制芯片提供工作电压。

另外，电源模块还用于对养生壶等烹饪设备中的显示装置进行直流供电。

在上述任一技术方案中，优选地，可控硅模块包括可控硅，可控硅的阳极通过第一电阻连接至电源模块的输出端，可控硅的阴极连接至加热负载模块，可控硅的阳极还连接至控制芯片的第一引脚。

在该技术方案中，通过设置可控硅，可控硅的阳极连接至电源模的输出端，实现了通过直流电压对可控硅供电，以满足可控硅运行需求，可控硅的阴极连接至加热负载模块，实现了可控硅对加热负载模块的控制，可控硅的阳极还连接至控制芯片的第一引脚，通过控制芯片对可控硅输出高电平或低电平以及输出延时，实现了可控硅对加热负载模块输出可变功率的控制，通过可控硅控制加热过程，一方面能够单独调节输出功率值，另一方面，也可以通过配合加热时间与关闭实现加热负载模块的输出功率的调节。

具体地，采用可控硅控制加热过程，比如采用300W的功率加热T1时间，关闭T2时间的方式进行熬煮食材，减少溢出的风险，提高产品的制作效果，并且由于不用担心可控硅的寿命问题，配合合适的散热器，可以根据食材确定熬煮时间，最长可以达到5、6小时之久，从而提升了用户的使用体验。

采用可控硅加热控制主要具有两种工作方式：(1)移相触发加热，通过调整可控硅的导通角，使电压变化，从而调整加热功率，采用移相加热为动态降低电压，有益于延长加热元件的寿命；(2)过零触发加热，在加热时，电压不变化，实际上表现为一种脉冲通断信号，采用过零触发加热简单并且稳定，并且能够节省触发板，可控硅的触发信号一般为0至5V或1至5V脉冲，控制芯片与温度检测模块，先将热电偶或热敏电阻的温度信号转入PLC，在PLC内经pid调节，通过控制芯片的第一引脚输出控制信号，通过控制信号控制可控硅的触发板，以通过可控硅的触发板控制可控硅的加热功率。

进一步地，移相触发加热，包括以下三种模式：(1)全功率工作模式，可控硅在整个波形内导通，加热负载模块为全功率工作；(2)非全功率工作模式，可控硅在非整个波形内导通，加热负载模块以合适的小功率工作；(3)间歇工作模式，通过输出低电平使可控硅间歇性导通，从而使加热负载模块间歇性发热。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：过零检测模块，过零检测模块分别连接至电源模块的输出端与ACL端，过零检测模块包括：保险丝，保险丝的一端连接至ACL端；三极管，三极管的发射极通过第二电阻连接至保险丝的另一端，三极管的基极通过第三电阻连接至ACN端，三极管的集电极接地，三极管的发射极连接至控制芯片的第二引脚；二极管，二极管的正极连接至述三极管的基极，二极管的负极连接至保险丝的另一端，其中，通过过零检测模块检测过零点，以作为可控硅在过零触发加热时的基准计时点。

在该技术方案中，通过分别设置保险丝、三极管与二极管，三极管与第二电阻、第三电阻以及二极管组成过零检测回路，ACL在输出正正半周波形时，三极管导通，其发射极输出低电平，ACL在输出负半周波形时，三极管截止，其发射极输出高电平，三极管的集电极的电平高低转换时即市电的过零点，单片机的I/O口检测到过零点作为可控硅的导通角的延时基准点，以控制加热负载模块的输出功率,实现了精准控温的过程。

具体地，通过设置过零检测模块，实现移相触发加热功能，以一个交流正弦波周期为例，改变正弦波每个正半波和负半波的导通角来控制电压的大小，进而可以调节输出电压和功率的大小。

另外，针对过零触发加热，在设定的时间周期内，触发信号使控制回路接通几个周波(几个完整的正弦波)，再断开几个周波(几个完全的正弦波)，改变可控硅在设定周期内的通断时间比例，以调节加热负载模块上交流电的平均功率，即可达到调节负载功率的目的。

在上述任一技术方案中，优选地，继电器模块包括单刀双掷继电器，单刀双掷继电器的线圈通过第四电阻连接至控制芯片的第三引脚。

在该技术方案中，通过将继电器设置为单刀双掷继电器，并且单刀双掷继电器的线圈通过第四电阻连接至控制芯片的第三引脚，以通过控制芯片输出高电平或低电平，控制单刀双掷继电器的触点的开合。

具体地，在采用三极管控制时，具体电路为：在输入高电平时，三极管导通，继电器线圈通电，触点吸合，在输入低电平时，三极管介质，继电器线圈断电，触点断开。

在上述任一技术方案中，优选地，温度检测模块包括温度传感器，温度传感器连接至控制芯片的第四引脚，其中，在温度传感器检测到加热温度达到预设温度阈值时，第一引脚控制可控硅运行，第三引脚控制继电器停止运行。

在该技术方案中，通过设置温度传感器，并将温度传感器连接至控制芯片的第四引脚，在温度传感器检测到加热温度达到预设温度阈值时，通过控制芯片控制可控硅运行，同时控制继电器停止运行。

具体地，温度传感器可以为热敏电阻，通过热敏电阻感受到的温度变化而产生阻值的变化，确定加热温度的值。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：按键操作模块，按键操作模块包括多个并联的开关，多个并联的开关分别对应连接至控制芯片的多个开关引脚。

在该技术方案中，通过分别把多个并联的开关连接至控制芯片的多个开关引脚，多个并联的开关分别对应多个控制面板上的按键，以实现多个功能的手动控制，包括开关、模式切换、预约功能等。

在上述任一技术方案中，优选地，防溢检测模块，连接至控制芯片，防溢检测模块在接收到来自控制芯片的防溢检测指令时，检测是否发生溢出，以在检测到发生溢出时，通过控制芯片控制可控硅模块使加热负载模块降低输出功率。

在该技术方案中，通过设置防溢检测模块，以在接收到控制芯片发送的防溢检测指令时，检测在加热过程中是否发生溢出，以在检测到发生溢出时，通过控制芯片控制可控硅模块调节负载加热模块降低输出功率，降低了溢出的概率，进一步提升了用户的使用体验。

在上述任一技术方案中，优选地，防溢检测模块包括防溢电极，防溢电极的一端连接至ACN端，防溢电极的另一端连接至控制芯片的第五引脚，控制芯片根据防溢电极的输出信号，确定是否发送溢出。

在该技术方案中，通过设置防溢电极，防溢电极设置为加热液体容器的端口处，防溢电极的一端连接至电源模块的输出端，以实现供电，防溢电极的另一端连接至控制芯片的第五引脚，以实现与控制芯片的通信功能，从而检测是否发生溢出。

具体地，以养生壶为例，防溢电极为金属棒外包一层绝缘橡胶，并将金属棒的头部区域暴露在外部，防溢电极可以包括检测端和输出端，检测端为暴露在外部的头部区域，延伸至养生壶内，输出端设置于养生壶的内壁上，并连接至耦合器(在加热控制电路与壶身可分离时)，在养生壶内的物料上升至检测端并与检测端接触时，形成通路，此时触发产生防溢信号，以进行相应的防溢处理，通过设置防溢电极，简化了防溢检测的电路设置，提高了防溢检测的功能性，提升了用户的使用体验。

本实用新型第二方面的实施例提供了一种烹饪器具，包括如上述任一项技术方案所述的加热控制电路。

在上述任一技术方案中，优选地，烹饪器具为养生壶、豆浆机或电炖锅。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了相关技术中加热控制电路的示意图；

图2示出了根据本实用新型的一个实施例的加热控制电路的示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

下面参照图2描述根据本实用新型一些实施例的加热控制电路装置。

如图2所示，根据本实用新型的一个实施例的加热控制电路，包括：继电器模块104，与加热负载模块102串联设置，继电器模块104用于使加热负载模块102输出恒定功率；可控硅模块106，与继电器模块104并联设置，可控硅模块106用于调节加热负载模块102输出可变功率。

在该技术方案中，通过与继电器模块104并联可控硅模块106，由于继电器模块104能够控制加热负载模块102输出恒定功率，而可控硅模块106能够控制加热负载模块102输出可变功率，在需要采用恒定功率执行加热操作时，可以接通继电器模块104的电路，以使继电器模块104工作，在需要采用可变功率执行加热操作时，可以切断继电器模块104，接入可控硅模块106，控制调节加热模块的输出功率，由于可控硅模块106与继电器模块104并联设置，因此根据可控硅模块106具有多种，一方面，能够减少高电压与低电压之间的功率差异，降低溢出风险，另一方面，由于可控硅属于无触点的开关器件，通过配合散热器使用，不需要担心使用寿命，提升了用户的使用体验。

具体地，可控硅也称作晶闸管，由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G，可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，通过与散热器配合使用，与继电器相比，在控制时不会产生火花，因而使用寿命长。

另外，本实用新型提供的上述实施例中的加热控制电路装置还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，优选地，还包括：控制芯片108，分别连接至继电器模块104与可控硅模块106；温度检测模块，连接至控制芯片108，温度检测模块用于检测加热温度，其中，在温度检测模块检测到加热温度达到预设温度阈值时，控制芯片108控制由继电器模块104切换至可控硅模块106工作。

在该技术方案中，通过分别设置控制芯片108与温度检测模块，在温度检测模块检测到加热温度达到预设温度阈值时，由控制芯片108控制切断继电器模块104加热控制，并开始由可控硅模块106进行加热控制，实现了根据实时温度对加热控制模块执行工作转换的功能，一方面，通过控制芯片108实现对可控硅模块106与继电器模块104的控制，不需要用户手动调节，可靠性高，另一方面，通过在检测到加热温度达到预设温度阈值时执行切换，在达到预设温度阈值之前采用继电器模块104控制加热，降低了继电器频繁开闭的频率，延长了继电器的使用寿命，再一方面，不需要可控硅模块106控制加热负载模块102执行大功率加热，降低了可控硅的发热温度，从而能够降低可控硅模块106上散热器的配置成本，从而降低了整机产品的成本。

具体地，以养生壶中的加热控制电路为例，在加热温度低于80°时，采用继电器模块104控制加热，在加热至80℃时，为了减少溢出，可以采取输出可变功率的加热方式，因此该加热阶段采用可控硅进行输出功率调节，可以降低由于高低电压之间的功率差异导致的溢出风险，并且由于可控硅属于无触点的开关器件，配合合适散热器，不影响使用寿命。

控制芯片108可以是MCU(微控制单元，Microcontroller Unit)，也可以是PLC(可编程逻辑控制器，Programmable Logic Controller)。

另外，将可控硅模块106与继电器模块104同时处于工作状态，也可以实现加热功率的可调节。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：电源模块110，设置于ACN端与ACL端之间，电源模块110的输出端输出工作电压，控制芯片108连接至电源模块110的输出端。

在该技术方案中，通过设置电源模块110，将ACN端的市电转换为低压直流电，以对控制芯片108提供工作电压。

另外，电源模块110还用于对养生壶等烹饪设备中的显示装置进行直流供电。

在上述任一技术方案中，优选地，可控硅模块106包括可控硅，可控硅的阳极通过第一电阻连接至电源模块110的输出端，可控硅的阴极连接至加热负载模块102，可控硅的阳极还连接至控制芯片108的第一引脚。

在该技术方案中，通过设置可控硅，可控硅的阳极连接至电源模的输出端，实现了通过直流电压对可控硅供电，以满足可控硅运行需求，可控硅的阴极连接至加热负载模块102，实现了可控硅对加热负载模块102的控制，可控硅的阳极还连接至控制芯片108的第一引脚，通过控制芯片108对可控硅输出高电平或低电平以及输出延时，实现了可控硅对加热负载模块102输出可变功率的控制，通过可控硅控制加热过程，一方面能够单独调节输出功率值，另一方面，也可以通过配合加热时间与关闭实现加热负载模块102的输出功率的调节。

具体地，采用可控硅控制加热过程，比如采用300W的功率加热T1时间，关闭T2时间的方式进行熬煮食材，减少溢出的风险，提高产品的制作效果，并且由于不用担心可控硅的寿命问题，配合合适的散热器，可以根据食材确定熬煮时间，最长可以达到5、6小时之久，从而提升了用户的使用体验。

采用可控硅加热控制主要具有两种工作方式：(1)移相触发加热，通过调整可控硅的导通角，使电压变化，从而调整加热功率，采用移相加热为动态降低电压，有益于延长加热元件的寿命；(2)过零触发加热，在加热时，电压不变化，实际上表现为一种脉冲通断信号，采用过零触发加热简单并且稳定，并且能够节省触发板，可控硅的触发信号一般为0至5V或1至5V脉冲，控制芯片108与温度检测模块，先将热电偶或热敏电阻的温度信号转入PLC，在PLC内经pid调节，通过控制芯片108的第一引脚输出控制信号，通过控制信号控制可控硅的触发板，以通过可控硅的触发板控制可控硅的加热功率。

采用可控硅控制加热，包括但不限于以下实施方式：

实施例一：

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：过零检测模块，过零检测模块分别连接至电源模块110的输出端与ACL端，过零检测模块包括：保险丝，保险丝的一端连接至ACL端；三极管，三极管的发射极通过第二电阻连接至保险丝的另一端，三极管的基极通过第三电阻连接至ACN端，三极管的集电极接地，三极管的发射极连接至控制芯片108的第二引脚；二极管，二极管的正极连接至述三极管的基极，二极管的负极连接至保险丝的另一端，其中，通过过零检测模块检测过零点，以作为可控硅在过零触发加热时的基准计时点。

在该技术方案中，通过分别设置保险丝、三极管与二极管，三极管与第二电阻、第三电阻以及二极管组成过零检测回路，ACL在输出正正半周波形时，三极管导通，其发射极输出低电平，ACL在输出负半周波形时，三极管截止，其发射极输出高电平，三极管的集电极的电平高低转换时即市电的过零点，单片机的I/O口检测到过零点作为可控硅的导通角的延时基准点，以控制加热负载模块102的输出功率,实现了精准控温的过程。

具体地，通过设置过零检测模块，实现移相触发加热功能，以一个交流正弦波周期为例，改变正弦波每个正半波和负半波的导通角来控制电压的大小，进而可以调节输出电压和功率的大小。

实施例二：

另外，针对过零触发加热，在设定的时间周期内，触发信号使控制回路接通几个周波(几个完整的正弦波)，再断开几个周波(几个完全的正弦波)，改变可控硅在设定周期内的通断时间比例，以调节加热负载模块102上交流电的平均功率，即可达到调节负载功率的目的。

采用移相触发加热功能，包括但不限于以下三种控制模式的实施例：

实施例一：

全功率工作模式，即可控硅在整个波形内均导通，加热负载模块102为全功率工作。

实施例二：

非全功率工作模式，可控硅在非整个波形内导通，加热负载模块102以合适的小功率工作。

实施例三：

间歇工作模式，通过输出低电平使可控硅间歇性导通，从而使加热负载模块102间歇性发热。

在上述任一技术方案中，优选地，继电器模块104包括单刀双掷继电器，单刀双掷继电器的线圈通过第四电阻连接至控制芯片108的第三引脚。

在该技术方案中，通过将继电器设置为单刀双掷继电器，并且单刀双掷继电器的线圈通过第四电阻连接至控制芯片108的第三引脚，以通过控制芯片108输出高电平或低电平，控制单刀双掷继电器的触点的开合。

具体地，在采用三极管控制时，具体电路为：在输入高电平时，三极管导通，继电器线圈通电，触点吸合，在输入低电平时，三极管介质，继电器线圈断电，触点断开。

在上述任一技术方案中，优选地，温度检测模块包括温度传感器，温度传感器连接至控制芯片108的第四引脚，其中，在温度传感器检测到加热温度达到预设温度阈值时，第一引脚控制可控硅运行，第三引脚控制继电器停止运行。

在该技术方案中，通过设置温度传感器，并将温度传感器连接至控制芯片108的第四引脚，在温度传感器检测到加热温度达到预设温度阈值时，通过控制芯片108控制可控硅运行，同时控制继电器停止运行。

具体地，温度传感器可以为热敏电阻，通过热敏电阻感受到的温度变化而产生阻值的变化，确定加热温度的值。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：按键操作模块112，按键操作模块112包括多个并联的开关，多个并联的开关分别对应连接至控制芯片108的多个开关引脚。

在该技术方案中，通过分别把多个并联的开关连接至控制芯片108的多个开关引脚，多个并联的开关分别对应多个控制面板上的按键，以实现多个功能的手动控制，包括开关、模式切换、预约功能等。

在上述任一技术方案中，优选地，防溢检测模块，连接至控制芯片108，防溢检测模块在接收到来自控制芯片108的防溢检测指令时，检测是否发生溢出，以在检测到发生溢出时，通过控制芯片108控制可控硅模块106使加热负载模块102降低输出功率。

在该技术方案中，通过设置防溢检测模块，以在接收到控制芯片108发送的防溢检测指令时，检测在加热过程中是否发生溢出，以在检测到发生溢出时，通过控制芯片108控制可控硅模块106调节负载加热模块降低输出功率，降低了溢出的概率，进一步提升了用户的使用体验。

在上述任一技术方案中，优选地，防溢检测模块包括防溢电极，防溢电极的一端连接至ACN端，防溢电极的另一端连接至控制芯片108的第五引脚，控制芯片108根据防溢电极的输出信号，确定是否发送溢出。

在该技术方案中，通过设置防溢电极，防溢电极设置为加热液体容器的端口处，防溢电极的一端连接至电源模块110的输出端，以实现供电，防溢电极的另一端连接至控制芯片108的第五引脚，以实现与控制芯片108的通信功能，从而检测是否发生溢出。

具体地，以养生壶为例，防溢电极为金属棒外包一层绝缘橡胶，并将金属棒的头部区域暴露在外部，防溢电极可以包括检测端和输出端，检测端为暴露在外部的头部区域，延伸至养生壶内，输出端设置于养生壶的内壁上，并连接至耦合器(在加热控制电路与壶身可分离时)，在养生壶内的物料上升至检测端并与检测端接触时，形成通路，此时触发产生防溢信号，以进行相应的防溢处理，通过设置防溢电极，简化了防溢检测的电路设置，提高了防溢检测的功能性，提升了用户的使用体验。

根据本实用新型的实施例的烹饪器具，包括如上述任一项技术方案所述的加热控制电路。

具体地，烹饪器具为养生壶、豆浆机或电炖锅。

在本实用新型中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本实用新型的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。