一种延迟复位电路的制作方法

文档序号:12863355阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种延迟复位电路,包括高电平端电源VDD、电阻R23、电阻R31、电阻R32、电容C32、MOS管Q1、二极管D3、二极管D4、开关机键K2和复位接口;其特征在于,所述高电平端电源VDD与电阻R23的一端、电阻R31的一端、电阻R32的一端、二极管D4的一端连接,电阻R23的另一端与电容C32的一端、二极管D4的另一端、MOS管Q1的G极连接,电容C32的另一端和电阻R31的另一端、MOS管Q1的S极连接、二极管D3的一端连接,电阻R32的另一端与MOS管Q1的D极连接,二极管D3的另一端与开关机键K2一端连接,所述开关机键K2的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于,所述MOS管Q1为2SK3541型。

3.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于,所述二极管D3 D4为RB520S-30TE61型号。

4.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于,所述电容C32为10uF。

5.根据权利要求1所述的一种延迟复位电路其特征在于,所述电阻R23为2M,所述电阻R31为1K,所述电阻R32为100K。

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