专利名称：消除半导体压降和漏电流装置的制作方法
技术领域：
半导体开关电器导通电路有压降，使开关元件发热浪费电能，如不能有效散热，会造成失控；半导体开关电器阻断电路后有漏电流，浪费电能，如电源中有高于开关元件额定耐压的过电压，还会损坏开关元件，甚至造成电器和其它设备的烧毁。
本实用新型目的为提供一种消除半导体压降和漏电流装置形式。连接半导体开关电器的开关元件输出极和控制极，能使半导体开关电器导通电路后消除压降，阻断电路后消除漏电流，输出端绝缘电阻值和试验电压值与同等容量的接触器一样，与纯粹机械式接触器或半导体开关电器相比安全可靠，节约能源，节约有色金属，提高生产效率。
本实用新型消除半导体压降和漏电流装置1是由接触器2的动触点3和静触点4、5，直流电磁线圈6；电容器7，二极管8、9，按钮常分开关10的触点11、12，接触器16的动触点17、20，静触点18、19、21、22，电磁线圈23，按钮常合开关13的触点1415组成。
以下结合附图对本实用新型进行阐述，
图1为消除半导体压降和漏电流装置电路图形式的描述。
1是实用新型消除半导体压降和漏电流装置。
27是公知的一种半导体开关电器，由触发电路变压器28的初级29、次级30，开关元件31，阻容保护电路的电容器32和电阻33组成。
按钮常分开关10动合触点11、12使电源25、26经二极管9整流和并联在直流电磁线圈6的电容器7滤波后使直流电磁线圈6有额定直流电压，接触器2的动触点3导通静触点4、5，使电磁线圈23有工作电压；接触器16的动触点20与静触点21、22的开距最佳4～10mm，大于动触点17与静触点18、19的开距最佳1～3mm，为此先由动触点17导通静触点18、19的控制极G触发电流，使开关元件31T1T2导通；负载24有工作电压；直流电磁线圈6的二端串联二极管8并联在负载24两端，二极管8、9同极连接在直流线圈6，按钮开关10如果关断触点11、12，由二极管8提供直流电磁线圈6的工作电流；后由动触点20导通并联在静触点21、22开关元件31的T1T2极，消除开关元件31输出端压降。
按钮常合开关13动断触点14、15，电磁线圈23无电流通过，先由动触点20关断静触点21、22，静触点18和19仍处在导通状态时，负载24仍有工作电压，为此直流线圈6仍有工作电流，静触点4和5仍处在导通状态；后由动触点17关断静触点18、19的触发电流，阻断开关元件31T1、T2电流，负载24无工作电压，直流电磁线圈6无工作电压，接触器2的动触点3关断静触点4、5，消除半导体开关电器27输出端漏电流。
本实用新型接触器2，16的多个动触点2，17、20，及其对应的静触点4、5，18、19、21、22可以组合多相消除半导体压降和漏电流装置。
权利要求1.消除半导体压降和漏电流装置，其特征在于按钮常分开关10动合触点11、12使直流电磁线圈6工作，接触器2的动触点3导通静触点4、5，使电磁线圈23有工作电压，先由动触点17导通静触点18、19的控制极G触发电流，使开关元件31T1T2导通，负载24有工作电压，二极管8提供直流电磁线圈6的工作电流后由动触点20导通并联在静触点21、22开关元件31的T1T2极消除开关元件31输出端压降。按钮常合开关13动断触点14、15，使电磁线圈23无电流通过，先由动触点20关断静触点21、22，后由动触点17关断静触点18、19的触发电流，阻断开关元件31T1T2电流，负载24无工作电压，直流电磁线圈6无工作电压，动触点3关断静触点4、5，消除半导体开关电器27输出端漏电流。
2.按权利要求1所述的装置其特征在于直流电磁线圈6的二端串联二极管8并联在负载24两端，二极管8、9同极连接在直流电磁线圈6。
3.按权利要求1所述的装置其特征在于动触点20与静触点21、22的开距最佳4～10mm，大于动触点17与静触点18、19的最佳开距1～3mm。
4.按权利要求1所述的装置其特征在于接触器2、16的多个动触点2，17、20及对应的静触点4、5，18、19、21、22可以组合多相消除半导体压降和漏电流装置。
专利摘要本实用新型消除半导体压降和漏电流装置由接触器和半导体组合；与半导体开关电路连接，使半导体开关输出端接通电路后消除压降，关断电路后输出端消除漏电流，并且绝缘电阻值及试验电压值与同等容量的纯粹机械式接触器——继电器一样；尤其200A以上大电流，电寿命和操作频率比电磁接触器开关提高50倍以上，机械噪声小，功耗低；节约有色金属，提高生产效率。
文档编号H03K17/06GK2092833SQ91200849
公开日1992年1月8日 申请日期1991年1月14日 优先权日1991年1月14日
发明者于兴根 申请人:于兴根