电流施加装置以及半导体元件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对半导体元件施加检查电流的电流施加装置以及利用该电流施加装置进行检查的半导体元件的制造方法。
【背景技术】
[0002]一般来讲，用于半导体元件检查的半导体元件检查装置具备电流施加装置。该电流施加装置对半导体元件施加用于检查半导体元件电力特性的检查电流。在现有技术中，作为这种电流施加装置已知有经由具有突起群的接触体(探测体)施加检查电流的一种装置，所述突起群由以固定间隔配置的多个突起构成(例如，参照专利文献I)。
[0003]在这种电流施加装置中，利用弹簧将接触体按压到半导体元件上，使得构成突起群的各突起与半导体元件的主动区(active area)内的接触区接触，并同时施加检查电流。这时，各突起的顶端贯穿包覆半导体元件的表面电极的电气绝缘膜与该表面电极接触，由此能够对半导体元件施加检查电流。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2007 - 218675号公报
[0007]发明要解决的课题
[0008]在按照上述方法进行上述检查时，为了更为准确地检查半导体元件的电力特性，接触体的突起需要很好地与表面电极接触。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提供一种在对半导体元件施加检查电流时能够提高接触体的突起与表面电极的电接触性的电流施加装置以及一种b利用该电流施加装置适当地进行了检查的半导体元件的制造方法。
[0010]本发明的电流施加装置是对半导体元件施加检查电流的电流施加装置，该半导体元件的表面电极的至少一部分被电气绝缘的被覆膜包覆，该电流施加装置的特征在于具有:接触体和按压体，所述接触体具有多个突起，为了对所述半导体元件施加检查电流，所述多个突起贯穿所述被覆膜与所述表面电极接触，所述按压体将所述接触体按压到所述半导体元件上，使得所述突起贯穿所述被覆膜从而与所述表面电极接触，所述接触体在形成为弯曲形状的面上具有所述多个突起，通过所述按压体的按压，所述弯曲形状的面变形成平面状。
[0011]在本发明的电流施加装置中，由于多个突起形成于接触体的弯曲形状的面上，多个突起当中，在弯曲形状面上的与半导体元件的表面大致平行的区域上设置的突起朝向由按压体进行按压的方向，在弯曲形状的面上的相对半导体元件表面倾斜的区域上设置的突起朝向相对所述按压方向倾斜的方向。这里，突起的朝向是指突起基端的中心位置向顶端的方向。
[0012]于是，在对构成检查对象的半导体元件施加检查电流时，当通过按压体将接触体的弯曲面按压到半导体元件的表面上，接触体的面从弯曲形状变形到平面状。设置在接触面的弯曲形状的面上的、相对半导体元件的表面是倾斜的区域上的突起由于其朝向向按压方向上变化，突起在刮去半导体元件的被覆膜的同时贯穿该被覆膜从而与表面电极接触。这时，由于半导体元件上的与突起顶端接触的区域部分的被覆膜被突起顶端刮去，对应于该被刮去部分，表面电极较大地外露。
[0013]所以，本发明的电流施加装置与现有技术中的电流施加装置相比，由于半导体元件的表面电极较大地外露，在对半导体元件施加检查电流时，接触体的突起与该表面电极的电接触性得到提高。由此，本发明的电流施加装置能够准确地检查半导体元件的电力特性。
[0014]另外，在对半导体元件施加检查电流时，由于在半导体元件周边部份会产生电流集中，所以，期望在所述周边部提高电接触性从而降低接触电阻。
[0015]因此，在本发明的电流施加装置中，优选是所述接触体的具有所述多个突起的面弯曲成:中心部向与所述半导体元件的相反一侧突出，同时周缘部向所述半导体元件一侧突出。
[0016]在这种情况下，在接触体保持为弯曲形状这一通常状态下，设置在所述接触部周缘部的突起朝向相对按压体的按压方向倾斜的方向倾斜，突起越离开所述接触体中心部从而靠近周缘部，相对所述按压方向倾斜越大。
[0017]因此，在进行检查时，当将所述接触体按压到半导体元件上从而使得接触体的面从弯曲形状变形成平面状时，由于越是靠近接触体的周缘部的位置设置的突起，朝向变化成按压方向时的变位越大，这些突起顶端的移动距离变大。因此，半导体元件越靠近周缘部的区域被突起顶端刮去的被覆膜越多，接触区外露得较大。
[0018]所以，即使在半导体元件的周缘部也能够提高接触体的突起与表面电极的电接触性，从而降低接触电阻。
[0019]另外，在本发明的电流施加装置中，所述突起可以构成为锥体形，更优选是构成为锥台形。突起构成为锥体形时，半导体元件的被覆膜因锥体形的顶端的顶点的移动而被刮去。另一方面，突起构成为锥台形时，所述被覆膜因锥体形上端面的移动而被刮去，因而相比锥体形的情形，被刮去的被覆膜更多。所以，在突起构成为锥台形时，表面电极的外露面积进一步增大，能够进一步提高电接触性，从而降低接触电阻。
[0020]此外，优选是所述突起构成为四角锥台形，所述四角锥台形的一边的长度比所述半导体元件的凹凸表面的算术平均粗糙度大。在这种情况下，突起的顶端面跨越半导体元件的凹部，从而能够让突起的顶端面与半导体元件的表面电极接触，所以能够进一步提高电接触性。
[0021]另外，本发明的半导体元件的制造方法的特征在于具备:形成步骤，形成半导体元件，该半导体元件的表面电极的至少一部分被电气绝缘被覆膜包覆；电流施加步骤，通过将在形成为弯曲形状的面上具有多个突起的接触体按压到通过所述形成步骤形成的半导体元件上，使所述接触体的弯曲形状的面变形成平面状，由所述突起刮去所述被覆膜的同时，让所述突起贯穿所述被覆膜并与所述表面电极接触，从而施加检查电流；以及，判定步骤，基于所述检查电流判定在所述电流施加步骤中被施加了检查电流的半导体元件是否满足规定性能。
[0022]在本发明的半导体元件的制造方法中，首先在形成步骤中形成表面电极的至少一部分被电气绝缘被覆膜包覆的半导体元件。
[0023]接着，在电流施加步骤中，通过将接触体按压到在形成步骤中形成的半导体元件上，让突起贯穿半导体元件的被覆膜并与表面电极接触，从而施加检查电流。
[0024]在将接触体按压到半导体元件上时，接触体的弯曲形状的面变形成平面状。伴随该变形，在接触体的弯曲形状的面上的与半导体元件的表面大致平行的区域上设置的突起的朝向向按压方向改变，从而让该突起刮去半导体元件的被覆膜的同时贯穿该被覆膜，并与表面电极接触。这时，由于半导体元件上的与突起顶端接触的区域部分的被覆膜被突起顶端刮去，对应于该被刮去部分，表面电极较大地外露。其结果，在对半导体元件施加检查电流时，能够提高接触体的突起与该表面电极的电接触性，从而能够更为准确地检查半导体元件的电力特性。
[0025]并且，在判定步骤中，基于该检查电流判定通过所述电流施加步骤被施加了检查电流的半导体元件是否满足规定性能。
[0026]所以，根据本发明的半导体元件的制造方法，在所述电流施加步骤中，由于能够更为准确地检查半导体元件的电力特性，能够制造适当地进行了检查的半导体元件。
[0027]另外，在本发明的半导体元件的制造方法中，优选是所述多个突起设置于所述接触体上的位置越离开所述接触体中心部从而靠近周缘部，刮去所述被覆膜的距离越大。由此，半导体元件越靠近周缘部，被覆膜被突起的顶端刮去的越多，从而接触区域外露得较多。所以，即使在半导体元件的周缘部也能够提高接触体的突起与表面电极的电接触性，从而能够降低接触电阻。
【附图说明】
[0028]图1是本发明一实施方式的电流施加装置的斜视图。
[0029]图2是图1的电流施加装置的分解斜视图。
[0030]图3是图1的电流施加装置上的接触体和被施加检查电流的半导体元件的截面图。
[0031]图4是图1的电流施加装置的一部分接触体的放大图。
[0032]图5A和图5B是表示图3的接触体上设置的突起的一例的图，图5A是正视图，图5B是平面图。
[0033]图6表示由图1的电流施加装置施加检查电流的半导体元件的平面图。
[0034]图7表示图3的接触体上设置的突起的顶点在半导体元件表面上移动的图。
[0035]图8A-8C是表示突起的变形例的图，图8A是正视图，图8B是平面图，图8C是表示突起的顶端面在半导体元件表面上移动的图。
[0036]图9是表示通过图1的电流