向是倾斜的方向的突起21b，21c伴随接触面4的变形，其朝向向按压方向发生变化。由此，突起21b，21c在刮去所述被覆膜的同时贯穿该被覆膜，从而与表面电极22a接触。这时，如图7所示，设置在接触面4周缘部的突起2 Ib，21 c伴随其顶端沿四角形的对角线方向从位置PI移动到P2，刮去突起21b，21c的顶端接触的区域部分的被覆膜，因此表面电极22a较大地外露。另外，如图7所示，突起21b，21c伴随其顶端沿四角形对角线方向的移动，四角形的底面变化成沿对角线方向延展的形状。
[0062]如上所述，本实施方式的电流施加装置I与现有技术中的电流施加装置相比，由于半导体元件22的表面电极22a较大地外露，在对半导体元件22施加检查电流时，接触体2的突起21的顶端与半导体元件22的表面电极22a的电接触性得到提高。由此能够准确地检查半导体元件22的电力特性。
[0063]特别是由于突起21越离开接触面4的中心部从而靠近周缘部，按压前相对按压方向的倾斜越大，因而在被按压后朝向变化时的变位越大，突起21顶端的移动距离变大。例如，突起21离开接触体2中心部的距离分别是0、0，3(cm)、0.5(cm) ,0.6 (cm)时，被按压后的突起21的顶端的移动距离分别是0、1 ( μπι)、7( μπι)、9( μπι)。其结果，突起21越离开接触面4的中心部从而靠近周缘部，越能够刮去半导体元件22的被覆膜，即使在半导体元件22的周缘部也能够提高接触体2的突起21与表面电极22a的电接触性。
[0064]例如，现有技术中具有平面状的接触体的电流施加装置中，接触面中心部的突起和周缘部的突起的接触电阻(contact resistance)是20?200 ( Ω )范围，特别是在周缘部的突起处会产生接触不良。然而，采用本实施方式的电流施加装置I时，所述接触电阻能够被控制在20?40(Ω)的范围，消除了周缘部的突起21处的接触不良，能够从整体上降低接触电阻。
[0065]在本实施方式的电流施加装置I中，突起21形成为四角锥形状。但是，突起21优选是如图8Α及图8Β所示的顶部呈平坦的四角锥台形。而且，当突起21是四角锥形时，顶端面的一边的长度比半导体元件22的凹凸表面的算术平均粗糙度(arithmetic averageroughness) Ra 大。
[0066]当突起21c是四角锥形时，如图7所述，四角锥形的顶端的顶点从位置Pl移动到位置P2，半导体元件22的被覆膜因此被刮去。另外，当突起21c具有四角锥台形状时，如图SC所示，四角形顶端面沿对角线方向从位置P3向位置P4移动。半导体元件22的被覆膜因所述顶端面的移动而被刮去，因此与突起21是四角锥形的情形相比，表面电极22a的外露面积进一步变大，电接触性进一步得到提高。
[0067]另外，当突起21的顶端面的一边具有比半导体元件22的凹凸表面的算术平均粗糙度Ra大的尺寸时，突起21的顶端面跨越半导体元件22的凹部，从而能够让突起21的顶端面与半导体元件22的表面电极22a接触，所以能够进一步提高电接触性。
[0068]另外，突起21的形状只要是以上述方式来进行良好的接触从而能够确保导通的形状即可，并不限定为多角锥形或多角锥台形，也可以是圆锥形或圆锥台形。
[0069]最后，说明本发明的半导体元件的制造方法。
[0070]如图9所示，实施方式的制造方法具备:步骤ST1，形成半导体元件；试验步骤ST2，为了判定通过步骤STl形成的半导体元件的优良与否，利用上述电流施加装置I施加检查电流进行试验；步骤ST3，判别在所述试验步骤ST2中被施加了检查电流的半导体元件是否被破坏；步骤ST4，根据所述步骤ST3的判别结果判定优良品；以及，步骤ST5，判定为不良品。
[0071]这里，试验步骤ST2相当于本发明的制造方法中的电流施加步骤，判别步骤ST3至ST5相当于本发明的制造方法中判定半导体元件是否满足规定性能的判定步骤。
[0072]在上述实施方式中，在形成步骤STl中，以通过公知的制造技术制造的半导体元件为检查对象，在步骤ST2中进行电流施加试验。该试验例如是在日本特开2006 - 284490号公报中披露的IGBT (绝缘栅双极型晶体管)的RBSOA (反向偏置安全运行区)耐量评价中所使用的试验方法。RBSOA表示IGBT的关闭伴随的集电极-发射极(collector-emitter)间电压和集极电流(collector current)的非破坏运行范围。该范围越大，相对反向偏置的非破坏性能越高。
[0073]所以，在试验步骤ST2中，利用电流施加装置I对作为检查对象的半导体元件施加大电流。例如，在RBSOA的设计值(额定电流)是500安培时，施加1000安培的电流。并通过验证被施加了检查电流的半导体元件是否满足规定性能，来判别该半导体元件是否被破坏(步骤ST3)。其结果，半导体元件未被破坏时则判定为优良品(步骤ST4)，半导体元件被破坏时则判定为不良品(步骤ST5)。
[0074]根据本实施方式的方法，能够制造如上所述的利用下述电流施加装置适当地进行了检查的半导体元件。该电流施加装置在接触体的突起与半导体元件的表面电极22a之间具有优异的电接触性。
【主权项】
1.一种电流施加装置，其对半导体元件施加检查电流，所述半导体元件的表面电极的至少一部分被电气绝缘的被覆膜包覆，该电流施加装置的特征在于，具有接触体和按压体， 所述接触体具有多个突起，为了对所述半导体元件施加检查电流，所述多个突起贯穿所述被覆膜而与所述表面电极接触， 所述按压体将所述接触体按压到所述半导体元件上，使得所述突起贯穿所述被覆膜，从而与所述表面电极接触， 所述接触体在形成为弯曲形状的面上具有所述多个突起，通过所述按压体的按压，所述弯曲形状的面变形成平面状。
2.根据权利要求1所述的电流施加装置，其特征在于， 所述接触体的具有所述多个突起的面弯曲成:中心部向与所述半导体元件相反的一侧突出，同时周缘部向所述半导体元件的一侧突出。
3.根据权利要求1所述的电流施加装置，其特征在于，所述突起构成为锥体形。
4.根据权利要求1所述的电流施加装置，其特征在于，所述突起构成为锥台形。
5.根据权利要求4所述的电流施加装置，其特征在于，所述突起构成为四角锥台形，所述四角锥台形的一边的长度比所述半导体元件的凹凸表面的算术平均粗糙度大。
6.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备: 形成步骤，形成半导体元件，该半导体元件的表面电极的至少一部分被电气绝缘的被覆膜包覆； 电流施加步骤，通过将在形成为弯曲形状的面上具有多个突起的接触体按压到通过所述形成步骤形成的半导体元件上，使所述接触体的弯曲形状的面变形成平面状，由所述突起刮去所述被覆膜的同时，让所述突起贯穿所述被覆膜而与所述表面电极接触，从而施加检查电流；以及 判定步骤，基于所述检查电流判定在所述电流施加步骤中被施加了检查电流的半导体元件是否满足规定的性能。
7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个突起设置于所述接触体上的位置越离开所述接触体的中心部而靠近周缘部，刮去所述被覆膜的距离就越大。
【专利摘要】本发明提供电流施加装置以及半导体元件的制造方法。该电流施加装置在对半导体元件施加检查电流时能够提高接触体的突起与表面电极的电接触性。在该半导体元件的制造方法中，利用该电流施加装置适当地进行了检查。电流施加装置(1)具备接触体(2)和按压体(3)。接触体(2)具有多个突起(21)，用于与半导体元件(22)的表面电极(22a)接触从而施加检查电流。按压体(3)将接触体(2)按压到半导体元件(22)上，以使各突起(21)贯穿被覆膜并与表面电极(22a)接触。接触体(2)具有设置在形成为弯曲形状的面(4)上的多个突起(21)，通过按压体(3)的按压，弯曲形状的面(4)变形成平面状。
【IPC分类】G01R1-067, H01L21-66
【公开号】CN104777335
【申请号】CN201510005076
【发明人】赤堀重人, 齐藤仁, 山岸弘幸, 平山心祐, 长谷川聪志, 山路阳子, 佐藤浩一郎, 斋藤真知绘
【申请人】本田技研工业株式会社
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年1月6日
【公告号】US20150194353