钛酸铅等的压电陶瓷等的压电材料或者硅半导体材料等。此外，作为振动片2的激励方法，可以使用利用压电效应的激励，也可以进行利用库仑力的静电驱动。此外，作为振动片2，也可以是检测物理量的元件，例如惯性传感器(加速度传感器、陀螺仪传感器等)、力传感器(倾斜传感器等)。
[0064]振荡用电路3是如下电路:与振动片2的两端连接，用于通过对从振动片输出的信号进行放大并反馈到振动片2，使振动片2进行振荡。
[0065]由振动片2和振荡用电路3构成的电路例如也可以是皮尔斯振荡电路、反相器型振荡电路、考毕兹振荡电路、哈特来振荡电路等各种振荡电路。
[0066]发热电路4是通过在电阻中流过电流而发热的电路。在本实施方式中，发热电路4配置于振动片2的附近，以对振动片2进行加热。
[0067]温度传感器5配置于振动片2的附近，输出与温度对应的信号(例如具有与温度对应的电压的信号)。
[0068]温度控制用电路6是如下电路:用于根据温度传感器5的输出信号(温度信息)，对流过发热电路4的电阻的电流量进行控制，从而将振动片2保持为恒定温度。例如，温度控制用电路6控制成在根据温度传感器5的输出信号判定的当前温度低于所设定的基准温度的情况下，使得在发热电路4的电阻中流过期望的电流，在当前的温度高于基准温度的情况下，使得在发热电路4的电阻中不流过电流。此外，例如温度控制用电路6可以控制成根据当前温度与基准温度之差，使流过发热电路4的电阻的电流量增减。
[0069]图2是示出本实施方式的恒温槽型石英振荡器I (OCXO)的构造的剖视图。如图2所示，本实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO) I构成为包含振动片2、封装10、盖11、发热用IC 20和振荡用IC 30。
[0070]封装10例如是陶瓷封装等层叠封装，用于将振动片2、发热用IC 20和振荡用IC30收纳到同一空间内。具体而言，在封装10的上部设置有开口部，通过用盖11覆盖该开口部，形成收纳室，在该收纳室中收纳有振动片2、发热用IC 20和振荡用IC30。
[0071]振荡用IC 30的下表面被粘接固定到从封装10的下方起第2层的上表面，设置于振荡用IC 30的上表面的各电极(焊盘)与设置于从封装10的下方起第3层的上表面的各电极通过引线12进行接合。在本实施方式中，振荡用IC中包含图1所示的振荡用电路3和温度控制用电路6。
[0072]发热用IC 20 (发热体的一例)的下表面的一部分被粘接固定到从封装10的下方起第4层的上表面，设置于发热用IC 20的上表面的各电极(焊盘)与设置于从封装10的下方起第5层的上表面的各电极通过引线12进行接合。在本实施方式中，发热用IC中包含图1所示的发热电路4和温度传感器5。
[0073]设置于振动片2的下表面的一部分的电极与设置于发热用IC 20的上表面的电极(焊盘)通过导电性部件13进行粘接固定，设置于振动片2的上表面的电极(焊盘)与设置于从封装10的下方起第5层的上表面的电极通过引线12进行接合。
[0074]此外，在封装10的内部或表面，设置有未图示的布线，该未图示的布线用于对与振动片2的上表面电极引线接合的电极、与发热用IC 20的各电极引线接合的各电极、以及与振荡用IC 30的各电极引线接合的各电极进行电连接。
[0075]并且，在封装10的下表面，设置有未图示的电源端子、接地端子以及其它外部端子(振荡信号的输出端子等)，在封装10的内部或表面，还设置有用于对电源端子和接地端子与发热用IC 20和振荡用IC 30进行电连接的布线、以及用于对其它外部端子和振荡用IC 30进行电连接的布线。
[0076]图3的(A)是示出图2所示的发热用IC 20的电路结构的一例的图。如图3的
(A)所示，发热用IC20构成为具有电源端子VD、接地端子VS、发热控制信号的输入端子G和温度信息信号的输出端子TS，并包含发热电路4和温度传感器5。
[0077]发热电路4在电源端子与接地端子之间串联连接电阻14和MOS晶体管15而构成，经由输入端子G，向MOS晶体管15的栅极输入图1所示的温度控制用电路6输出的发热控制信号。通过该发热控制信号，控制流过电阻14的电流，由此控制电阻14的发热量。
[0078]温度传感器5在输出端子TS与接地端子之间正向地串联连接I个或多个二极管16而构成。通过设置于图1所示的温度控制用电路6的恒流源，向该输出端子TS供给恒定的电流，由此，在二极管16中流过恒定的正向电流。在二极管16中流过恒定的正向电流时，二极管16的两端电压相对于温度变化大致线性地变化(例如以大约一 6mV/°C的比例发生变化)，因此输出端子TS的电压成为相对于温度的线性电压。因此，能够将从该输出端子TS输出的信号用作温度信息信号。
[0079]此外，图3的(B)是示出图2所示的发热用IC 20的电路结构的另一例的图。在图3的⑶中，相对于图3的㈧的电路，在输出端子TS与接地端子之间，替代二极管16而串联连接有I个或多个双极晶体管17。各双极晶体管17的基极与集电极相连接，在双极晶体管17的集电极一发射极间流过恒定的正向电流时，基极一发射极间的电压相对于温度变化大致线性地变化，因此输出端子TS的电压成为相对于温度的线性电压。因此，能够将从该输出端子TS输出的信号用作温度信息信号。
[0080]图4是概略示出图2和图3所示的发热用IC 20的布局图案的图。此外，图5是图4的矩形区域A的放大图，图6是从箭头B的方向观察到的图4的矩形区域A的侧视图。另外，图4仅图示了一部分层，在图6中，省略了配置于图4的MOS晶体管配置区域中的MOS晶体管的图示。
[0081]如图4?图6所不，在发热用IC 20中，形成有在半导体基板(晶片基板)21的表面掺入有杂质的扩散层22。在本实施方式中，半导体基板21是在硅基板中混入硼(B)等杂质而形成的P型的半导体基板，扩散层22是通过在P型的半导体基板21的表面掺入磷(P)等杂质而形成的N型的扩散层。该扩散层22 (扩散电阻层的一例)作为图3的(A)和图3的(B)所示的电阻14发挥功能。但也可以是，半导体基板21是在硅基板中混入磷(P)等杂质而形成的N型的半导体基板，扩散层22是通过在N型的半导体基板21的表面掺入硼
(B)等杂质而形成的P型的扩散层。此外，扩散层22例如能够通过由多晶硅或光抗蚀剂等在半导体基板21上形成仅将想掺入杂质的区域开口而得到的图案后，用离子注入法等向半导体基板21掺入杂质而形成，因此能够容易地将扩散层22形成为期望的形状。
[0082]在扩散层22上形成有绝缘层24。作为绝缘层24，例如能够使用将氧化硅(S12)作为材料的绝缘膜。
[0083]在绝缘层24上形成有绝缘体的表面保护膜27。作为表面保护膜27，例如能够使用将氧化硅(S12)或聚酰亚胺作为材料的保护膜。
[0084]在表面保护膜27的一部分形成有开口部(焊盘开口部)，在该开口部中，在绝缘层24的表面形成有矩形的焊盘26a?261。
[0085]焊盘26a是作为图3的㈧和图3的⑶所示的电源端子VD发挥功能的焊盘，焊盘26a经由形成于绝缘层24的开口部的多个通孔25a与扩散层22电连接。焊盘26a和多个通孔25a作为用于向扩散层22施加电源电压(第I电压的一例)的电极(第I电极的一例)发挥功能。同样，焊盘26i是作为电源端子VD发挥功能的焊盘，经由形成于绝缘层24的开口部的未图示的多个通孔与扩散层22电连接，焊盘26i和未图示的多个通孔作为用于向扩散层22施加电源电压(第I电压的一例)的电极(第I电极的一例)发挥功能。
[0086]焊盘26b是作为图3的㈧和图3的⑶所示的接地端子VS发挥功能的焊盘，并经由形成于绝缘层24的开口部的多个通孔25b与扩散层22电连接。焊盘26b和多个通孔25b作为用于向扩散层22施加接地电压(第2电压的一例)的电极(第2电极的一例)发挥功能。同样，焊盘26c、26d、26f、26g、26h是作为接地端子VS发挥功能的焊盘，分别经由形成于绝缘层24的开口部的未图示的通孔与扩散层22电连接，各个焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h和未图示的多个通孔作为用于向扩散层22施加接地电压(第2电压的一例)的电极(第2电极的一例)发挥功能。
[0087]焊盘26j和焊盘26k分别是作为图3的(A)和图3的⑶所示的输出端子TS和输入端子G发挥功能的焊盘。
[0088]呈纵4列、横8列地排列的32个焊盘261是与设置于振动片2的下表面的下表面电极电连接的焊盘，形成为在俯视发热用IC 20(从Z轴的+侧俯视观察一侧时)时，与图4中虚线所示的振动片2的安装区域重叠。
[0089]焊盘26e通过未图示的布线图案与32个焊盘261电连接，在将振动片2粘接固定到焊盘261时，焊盘26e与振动片2的下表面电极电连接。
[0090]焊盘26a?261例如是铝或以铝为主要成分的合金。焊盘26a?26k通过引线接合与设置于封装10的各电极连接，焊盘261经由导电性部件13与振动片2的下表面电极连接。
[0091]此外，在本实施方式中，俯视发热用IC 20时，相对于焊盘26b、26c、26d、26e、26f、26g、26h，在Y轴的+方向侧的附近区域配置有MOS晶体管15。
[0092]此外，在本实施方式中，俯视发热用IC 20时，在与振动片2的安装区域重叠的位置配置有温度传感器5。即，在本实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)I中，温度传感器5 (温敏元件的一例)在俯视发热用IC时与振动片2重叠，温度传感器5被配置在极接近振动片2的位置处。即，温度传感器5能够高精度地检测振动片2的温度。
[0093]此外，在本实施方式中，在半导体基板21的表面，以俯视发热用IC时与连接焊盘26a和焊盘26b的假想直线(连接焊盘26a的重心和焊盘26b的重心的直线)相交的方式，形成有狭缝23a。并且，以与连接焊盘26i和焊盘26h的假想直线(连接焊盘26i的重心和焊盘26h的重心的直线)相交的方式，形成有狭缝23b。该狭缝23a、23b是未形成扩散层22的区域，狭缝23a、23b是电阻率比扩散层22高的区域。
[0094]在这样构成的本实施方式的发热用IC 20中，为了抑制电迀移引起的布线损坏，对成为从焊盘26a、26i向扩散层22的电流路径的布线图案，以及成为从扩散层22向焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h的电流路径的布线图案进行了设计。铝或以铝为主要成分的布线对电迀移的耐量(EM耐量)较低，因此在使该布线在与Z轴垂直的方向上延伸时，需要几mm级的布线宽度，这是不现实的。因此，在本实施方式中，如图5和图6所示，形成为俯视时，对焊盘26a和扩散层22进行电连接的多个通孔25a与焊盘26a的开口部(作为第I电极的第I面的背面的第2面的一例)重叠。即，由被输入电流的焊盘26a和多个通孔25a构成的电流输入电极(第I电极和输入单元的一例)在俯视时，处于形成有扩散层22的区域内，经由该电流输入电极流向扩散层22的电流在焊盘26a的开口部的上表面(作为第I电极的第I面的背面的第2面的一例)和与扩散层22接触的通孔25a的下表面(第I电极的第I面的一例)之间流过。
[0095]同样，对焊盘26i和扩散层22进行电连接的未图示的多个通孔形成为与焊盘26i的开口部(作为第I电极的第I面的背面的第2面的一例)重叠。S卩，由焊盘26i和未图示的多个通孔构成的电流输入电极(第I电极和输入单元的一例)在俯视时，处于形成有扩散层22的区域内，经由焊盘26i和该多个通孔构成的电流输入电极流向扩散层22的电流在焊盘26i的开