口部的上表面(作为第I电极的第I面的背面的第2面的一例)和与扩散层22接触的未图示的通孔的下表面(第I电极的第I面的一例)之间流过。
[0096]即，不存在分别对焊盘26a的开口部以及焊盘26i的开口部与扩散层22进行电连接的、在与Z轴垂直的方向上延伸的布线，因此从焊盘26a的开口部的上表面和26i的开口部的上表面流向扩散层22的电流从Z轴的+方向朝一方向，以最短路径流过。
[0097]另外，焊盘26a中的焊盘26a的开口部的上表面以外的区域、以及焊盘26i中的焊盘26i的开口部的上表面以外的区域不作为经由电流输入电极流向扩散层22的电流的路径发挥功能，因此也可以形成在俯视时不与扩散层22重叠的区域中。
[0098]此外，在本实施方式中，如图5和图6所示，形成为俯视时，对焊盘26b和扩散层22进行电连接的多个通孔25b与焊盘26b的开口部(作为第2电极的第3面的背面的第4面的一例)重叠。即，由输出电流的焊盘26b和多个通孔25b构成的电流输出电极(第2电极的一例)在俯视时处于形成有扩散层22的区域内，从扩散层22经由该电流输出电极流过的电流在与扩散层22接触的通孔25b的下表面(第2电极的第3面的一例)和焊盘26b的开口部的上表面(作为第2电极的第3面的背面的第4面的一例)之间流过。
[0099]同样，分别对焊盘26c、26d、26f、26g、26h与扩散层22进行电连接的未图示的多个通孔形成为与分别与焊盘26c、26d、26f、26g、26h的开口部(作为第2电极的第3面的背面的第4面的一例)重叠。S卩，由焊盘26c、26d、26f、26g、26h和未图示的多个通孔构成的各电流输出电极在俯视时，处于形成有扩散层22的区域内，从扩散层22经由该各电流输出电极流过的电流分别在与扩散层22接触的未图示的通孔的下表面(第2电极的第3面的一例)和焊盘26c、26d、26f、26g、26h的各开口部的上表面(作为第2电极的第3面的背面的第4面的一例)之间流过。
[0100]即，不存在分别对焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h与扩散层22进行电连接的、在与Z轴垂直的方向上延伸的布线，因此从扩散层22流向焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h的电流从Z轴的一方向朝+方向，以最短路径流过。
[0101]另外，焊盘26b中的焊盘26b的开口部以外的区域、焊盘26c中的焊盘26c的开口部以外的区域、焊盘26d中的焊盘26d的开口部以外的区域、焊盘26f中的焊盘26f的开口部以外的区域、焊盘26g中的焊盘26g的开口部以外的区域、以及焊盘26h中的焊盘26h的开口部以外的区域不作为经由扩散层22流向电流输出电极的电流的路径发挥功能，因此也可以形成在俯视时不与扩散层22重叠的区域中。
[0102]这样，在本实施方式中，在扩散层22中流过的电流从电流输入电极的正面流向背面、并从电流输出电极的背面流向正面，因此能够将XY平面上的通孔的总面积(准确地说，是俯视时与连接有接合线的区域重叠的通孔的总面积)认作电流输入电极或电流输出电极的截面积，因此能够减小在电流输入电极和电流输出电极中流过的电流的密度，并且缩短电流流过的距离，从而能够实现足够的EM耐量。
[0103]此外，在本实施方式中，为了高效地对振动片2进行加热，设置了狭缝23a、23b。向与焊盘26a、26i电连接的扩散层22的第I区域和与焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h电连接的扩散层22的第2区域之间施加电位差，电流从第I区域流向第2区域，由此扩散层22 (发热单元的一例)发热。与此相对，以与连接扩散层22的第I区域和第2区域的假想直线相交的方式配置的狭缝23a、23b向由P型的半导体基板21和N型的扩散层22形成的二极管施加反向电压，因此成为电阻率比扩散层22的第I区域和第2区域高的区域，并成为流过比在扩散层22(发热单元的一例)的第I区域和第2区域中流过的电流少的电流、或不流过电流的区域。因此，狭缝23a、23b (第3区域的一例)成为发热量比扩散层22 (发热单元的一例)小或不发热的区域。即，狭缝23a、23b是发热量比扩散层22小的区域。
[0104]因此，从焊盘26a、26i输入的电流以绕过狭缝23a、23b的方式流出至焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h。由此，在扩散层22中的振动片2的安装区域流过足够的电流，从而能够高效地对振动片2进行加热。
[0105]此外，在本实施方式中，为了高效地对振动片2进行加热，对焊盘26a、261、26b、26c、26d、26f、26g、26h 的配置进行了 设计。焊盘 26a、261、26b、26c、26d、26f、26g、26h 通过引线接合与设置于封装10的各电极连接，因此由于从引线放出的热，焊盘26a、261、26b、26c、26d、26f、26g、26h的周边在半导体基板21的表面上成为温度相对较低的区域。因此，在本实施方式中，通过沿着半导体基板21的外周缘，将焊盘26a、261、26b、26c、26d、26f、26g、26h配置在远离振动片2的安装区域的同一边区域中，使得振动片2的安装区域的温度不降低(相对增高)。另外，同一边区域是指与任意的第I边的距离为与该第I边垂直的第2边的1/3长度以下的区域，在图4中由点划线围成的区域X与同一边区域对应。这样，根据本实施方式，在发热用IC 20中，分为温度相对较高的区域和温度相对较低的区域，能够通过在温度较高的区域中安装振动片2，高效地对振动片2进行加热。
[0106]并且，在本实施方式中，为了高效地对振动片2进行加热，还对MOS晶体管15的布局图案进行了设计。图7是示出本实施方式的MOS晶体管15的布局图案的一部分的图。另一方面，作为比较例，图8示出将多个MOS晶体管并联连接的情况下的通常的布局图案。另夕卜，在图7和图8中，对于作为栅极发挥功能的多晶硅层的布线28、作为漏极(D)发挥功能的扩散层22a以及作为源极⑶发挥功能的扩散层22b以外的布局图案，省略了图示。
[0107]在图7和图8中，MOS晶体管15均并联连接有多个MOS晶体管而构成。在图8中，作为多个MOS晶体管的各栅极发挥功能的多晶硅布线28形成为相互分离，并分别与Y轴平行。因此，在X轴方向上交替形成各MOS晶体管的源极(S)和漏极(D)，经由振动片2的安装区域流入到MOS晶体管15的配置区域的电流集中到形成有漏极(D)的部分区域中。因此，在振动片2的安装区域中流过的电流的疏密程度增大，可能无法高效地对振动片2进行加热。
[0108]与此相对，在图7所示的本实施方式中，如由虚线包围那样，作为多个MOS晶体管的各栅极发挥功能的多晶硅布线28相对于X轴和Y轴方向形成为阶梯状，且不被分离。总之，形成如下的I根多晶硅布线:作为各栅极发挥功能的阶梯状的图案在X轴方向上折返并连续，整体观察的话，反复大致V字形的图案。因此，各MOS晶体管的漏极(D)越处于接近振动片2的安装区域一侧，X轴方向的宽度越宽，各MOS晶体管的源极(S)越处于接近被接地的焊盘26b、26c、26d、26e、26f、26g、26h—侧，X轴方向的宽度越宽。因此，经由振动片2的安装区域流入到MOS晶体管15的配置区域的电流不会集中在部分区域，能够减小在振动片2的安装区域中流过的电流的疏密程度，因此能够高效地对振动片2进行加热。
[0109]如以上所说明那样，根据第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)，对形成于半导体基板21的扩散层22输入电流的电流输入电极和从扩散层22输出电流的电流输出电极分别被配置成，电流在与扩散层22接触的面和其背面之间流过，因此电流输入电极和电流输出电极的厚度成为电流流过的距离，电流输入电极和电流输出电极的面积成为电流流过的截面积。因此，能够减小在电流输入电极和电流输出电极中流过的电流的密度，并且缩短电流流过的距离，能够减少电迀移引起的断线的可能性。
[0110]此外，根据第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)，在作为电源端子发挥功能的焊盘26a、26i与作为接地端子发挥功能的焊盘26b、26c、26d、26f、26g、26h之间流过的电流以绕过电阻率比扩散层22高的狭缝23a、23b的方式流过，并以比连接焊盘26a和焊盘26b的直线或连接焊盘26i和焊盘26h的直线长的路径流过，因此能够使振动片2的安装区域高效地发热。
[0111]此外，根据第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)，能够将焊盘26a、26b、26c、26d、26f、26g、26h、26i 的周边区域限制为同一边区域 X，焊盘 26a、26b、26c、26d、26f、26g、26h、26i通过接合线与形成于封装10的电极连接，因此由于放热而在半导体基板21的表面上成为温度相对较低的区域。因此，将半导体基板21的表面的温度较低的区域汇集到一部分，从而能够抑制从接合线放出的热引起的、振动片2的安装区域的发热效率降低。
[0112]此外，根据第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)，能够在半导体基板21的表面上，以成为期望形状的方式，容易地形成扩散层22。
[0113]并且，根据第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)，在发热用IC 20的表面上安装振动片2，因此由发热用IC 20产生的热的传导性良好，能够在减少电迀移引起的断线的可能性的同时，高效地对振动片2进行加热。
[0114]1-2.第2实施方式
[0115]在第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中，由扩散层22形成的电阻14的电阻值有时会过高，因此在第2实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中，通过由扩散层和导体层构成的、使电阻率降低后的扩散电阻层实现电阻14。
[0116]第2实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中的发热用IC 20的布局图案与图4相同，因此省略图示。图9是第2实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中的、从箭头B的方向观察到的图4的矩形区域A的侧视图。另外，在图9中，省略了配置于图4的MOS晶体管配置区域中的MOS晶体管的图示。
[0117]如图9所示，在本实施方式中，在扩散层22的表面形成有作为导体层的硅化物29。由该扩散层22和硅化物29构成的扩散电阻层作为图3的㈧和图3的⑶所示的电阻14发挥功能。
[0118]第2实施方式中的其它结构与第I实施方式相同，因此省略图示和说明。
[0119]这样，根据第2实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)，通过在扩散层22的表面形成作为导体层的硅化物29，扩散电阻层具有比较低的电阻率，因此能够抑制成为过多的发热量的情况，而设为恰当的发热量。此外，通过导体层，能够将扩散电阻层的电阻率调整为期望的值，能够提高设计的自由度。
[0120]除此以外，第2实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)起到与第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)相同的效果。
[0121]1-3.第3实施方式
[0122]在第I实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中，以与连接焊盘26a和焊盘26b的假想直线相交的方式形成有狭缝23a、并以与连接焊盘26i和焊盘26h的假想直线相交的方式形成有狭缝23b，但在第3实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中，替代狭缝23a、23b而配置两个截止状态的MOS晶体管，电流以绕过这些MOS晶体管的方式流向扩散层22。
[0123]第3实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中的发热用IC 20的布局图案除了替代狭缝23a、23b而设置了两个MOS晶体管的方面以外，与图4相同，因此省略图示。图10是第3实施方式的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中的、与图4的矩