与喇叭单体10组设、并将喇叭单体10夹设于上盖21与座体23之间。上盖21包含有一中央固定架215，中央固定架215穿入振膜11的中央透孔111。麦克风30组设于中央固定架215，并位于中央透孔111内部。
[0059]如图1及图2所示，上盖21还包含一内环架211及一外环架213。座体23包含一内环座231及一外环座233。内环架211与内环座231对应组接，中央固定架215紧邻内环座231。外环架213与外环座233对应组接。进一步地，振膜11的外缘115夹设于外环架213与外环座233之间、振膜11邻近中央透孔111的内缘113是夹设于内环架211及内环座231之间。上盖21覆盖振膜11的表面，且上盖21的中央固定架215穿过中央透孔111内部。此外，中央固定架215为空心柱状，其口径可以由上朝下缩减，使麦克风30系卡接于中央固定架215的管壁。
[0060]喇叭单体10与麦克风30更电气连接至一电路板40。电路板40装设于座体23的底部。电路板40具有一反相电路，对麦克风所接收的外界噪音，产生和噪音音波相位相反的信号，从而藉由破坏性干涉消除了外界噪音。一般来说，麦克风30是全向性麦克风，用以接收整个腔体的噪音信号。
[0061]更进一步地，喇叭单体10还包含一下轭铁12、一音圈13、一磁铁14以及一上轭铁
15。音圈13连接于振膜11的另一表面，且该表面是相对于振膜11固设上盖20的表面。磁铁14夹设于上轭铁15与下轭铁12之间。下轭铁12设置于座体23上，具有一向上延伸的凸缘121以固设磁铁14。音圈13位于凸缘121及磁铁14间的间隙。当音圈13受到电力驱动时产生磁场，而与磁铁14所产生的永久磁场交互作用而推动振膜11。
[0062]参阅图3，本实用新型第二实施例中心降噪喇叭结构的剖视图。如图3所示，本实用新型第二实施例的中心降噪喇叭结构I包含一喇叭单体10、一承载座20及一麦克风30。喇叭单体10及麦克风30的结构与第一实施例相同，在此不在赘述。
[0063]本实用新型第二实施例中，与第一实施例的差异仅在于承载座20。承载座包含一上盖21及一座体23。上盖21盖合于座体23上，并将喇叭单体10夹设于上盖21与座体23之间。座体23包含一向上延伸的中央固定架235。中央固定架235穿入振膜11的中央透孔111中。麦克风30卡接于中央固定架235中。此外，中央固定架235为空心柱状，其口径可以由上朝下缩减，使麦克风30是卡接于中央固定架235的管壁。
[0064]实际结构中，上盖21及座体23的结构，以及与麦克风30组接的方式，可以依据实际的需求来改变，以上的说明仅为示例，并不用以限制。
[0065]参阅图4及图5，分别为本实用新型中心降噪喇叭结构与耳机外壳组合的爆炸分解图及剖视图。如图4及图5所示，实用本新型中心降噪喇叭结构I还可装设于一耳机外壳200中，以组装形成一降噪耳机。一般而言，中心降噪喇叭结构I是装设于耳机外壳200的中心区，且使中央透孔111对准穿戴者的耳道，以麦克风30接收穿戴者耳道中的噪音。
[0066]进一步地，由于麦克风30组设于中央固定架215，并位于中央透孔111内部。实际上麦克风30是安装于喇叭单体10之中，实际上无需在喇叭单体10及耳机外壳200间的前腔250中设置任何安装麦克风30的座体。
[0067]本实用新型中心降噪喇叭结构I主要的技术特点是在振膜11开设一中央透孔111，从而增加了振膜11的振动幅度，以及振动及回复的速度，从而能更清晰地解析音讯信号。此外，以对应中央透孔111的麦克风30于接收外界噪音，并以反向电路，通过破坏性干涉消除了外界噪音，从而提升了信噪比，更优化声音的分辨率。更进一步地，由于将麦克风30装设于中央透孔111内，无需在前腔250中另外设置容置麦克风30的空间，可以减少整体的体积，并简化工艺工序。
[0068]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种中心降噪喇叭结构，其特征在于，包含: 一喇叭单体，包含一振膜，该振膜的中心开设有一中央透孔； 一座体，组设有该喇叭单体 一上盖，盖合于该座体上，并将该喇叭单体夹设于该上盖与该座体之间，其中该上盖包含有一中央固定架，该中央固定架穿入该振膜的该中央透孔；以及 一麦克风，组设于该中央固定架，并位于该中央透孔内部。
2.根据权利要求1所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该座体包含一外环座，该上盖包含一外环架，该外环架与该外环座对应组接。
3.根据权利要求2所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该振膜的外缘夹设于该外环架与该外环座之间。
4.根据权利要求1所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该座体包含一内环座，该上盖包含一内环架，该内环架与该内环座对应组接。
5.根据权利要求4所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该振膜的内缘夹设于该内环架与该内环座之间。
6.根据权利要求1所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该喇叭单体更包含一下轭铁、一磁铁及一上轭铁，该磁铁夹设于该上轭铁与该下轭铁之间，该下轭铁设置于该座体上，并具有一凸缘以固设该磁铁，该振膜还连接一音圈，该音圈位于该凸缘及该磁铁间的间隙。
7.根据权利要求1所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该喇叭单体与该麦克风电气连接一电路板，该电路板装设于该座体的底部。
8.一种中心降噪喇叭结构，其特征在于，包含: 一喇叭单体，包含一振膜，该振膜的中心开设有一中央透孔； 一承载座，承载着该喇叭单体，该承载座具有一中央固定架，该中央固定架穿入该振膜的该中央透孔中；以及 一麦克风，组设于该中央固定架、并位于该中央透孔内。
9.根据权利要求8所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该承载座包含一座体及一上盖，该中央固定架设置于该座体。
10.根据权利要求8所述的中心降噪喇叭结构，其特征在于，该承载座包含一座体及一上盖，该中央固定架设置于该上盖。
【专利摘要】一种中心降噪喇叭结构，包含一喇叭单体、一上盖、一座体及一麦克风，喇叭单体包含一振膜，振膜的中心开设有一中央透孔，上盖盖合于座体上，并将喇叭单体夹设于上盖与座体之间，上盖包含有一中央固定架，中央固定架穿入振膜的中央透孔，麦克风组设于中央固定架，并位于中央透孔内部，从而藉由设置麦克风的接收杂讯，以主动式反向器消除杂讯外，更通过中央透孔的开设，提升振膜的振动幅度及振动速度进而提升整体的信噪比，达到更优化的声音分辨率，此外，由于麦克风是位于喇叭单体内部，能缩减结构体积，并简化工艺的工序。
【IPC分类】H04R9-06, H04R9-02
【公开号】CN204539457
【申请号】CN201520255359
【发明人】黄拓腾
【申请人】捷音特科技股份有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月24日