有机发光显示装置及其制造方法

专利名称：有机发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及降低了亮度离散的有机发光显示装置及其制造方法。
技术背景自发光的有机电致发光元件(以下称为"有机发光元件，，)预期可 作成薄型显示装置，此外，预期可用于液晶显示装置的照明。一般来说，有机发光元件的上部透明电极用作共用电极。因此， 面板全部的电流流过上部透明电极，各发光元件发光。因此，在使用 了高电阻的透明导电膜作为上部透明电极的情况下，在由接近于电源 的面板外周部的有机发光元件构成的像素和由面板中心部的有机发 光元件构成的像素中，因上部透明电极的布线电阻的缘故，引起所施 加的电压的离散，作为其结果，发生亮度的离散。在下述专利文献l、 2中，记栽了在有机发光显示装置中主要在 上部透明电极的下部形成辅助布线的情况。此外，也记栽了在在上部 透明电极的上部形成辅助布线的情况。专利文献1日本特开2001 - 230086号z〉报专利文献2日本特开2003 - 288994号^>报 在有机发光显示装置中，在上部透明电极上必须连接辅助布线。 例如在与信号线平行的方向上以条紋状形成了辅助布线的情况下，在 与扫描线平行的方向上邻接的像素间发生亮度的离散。这是由于电压 降根据与信号线平行的方向的像素的点亮状态而改变。因此，有必要不是以条状、而是以格子状形成辅助布线。 发明内容本发明的目的在于在使用了具有上部透明电极的有机发光元件的有机发光显示装置中使因上部透明电极的布线电阻引起的面板内 的亮度离散下降、提供高图像质量的显示装置。此外，本发明的目的 在于提供能容易地进行使用了精密掩模蒸镀法的辅助布线形成方法 的像素结构。特别是提供伴随该像素结构的驱动层的元件配置。本发明的特征在于在多个有机发光元件的上部透明电极上"i史置 在与信号线平行的方向上延伸的第l辅助布线和在与扫描线平行的方 向上延伸的第2辅助布线，将第1辅助布线和第2辅助布线形成为格 子状，以包围由1个有机发光元件构成的子像素或由多个有机发光元 件构成的像素。在包围上述子像素的第l辅助布线的下侧配置信号线和第1电流 供给线，在包围上述子像素的第2辅助布线的下侧配置扫描线。此外， 在上述第1电流供给线的下侧配置电容的上部电极。在包围上述像素的第l辅助布线的下侧设置空间，在包围上述像 素的第2辅助布线的下侧配置扫描线。在包围上述像素的第1辅助布线的下侧配置第1电流供给线，在 包围上述像素的第2辅助布线的下侧配置扫描线和第2电流供给线， 连接第1电流供给线与第2电流供给线。此外，对于第1辅助布线和 第2辅助布线，形成电连接层。再者，在扫描线与第2电流供给线之 间配置电容的上部电极。此外，本发明的特征在于为了形成第l辅助布线和第2辅助布 线，使用条紋状的精密蒸镀掩模。特别是使用精密蒸镀掩模形成第1 辅助布线、第2辅助布线和电连接层。根据以上所述，由于在本发明的有机发光显示装置中以格子状形 成上部透明电极用的辅助布线，故减少了面板内的亮度离散，可实现 高图像质量的显示。此外，由于利用采用了精密掩模的蒸镀法来形成， 故可不使有机发光元件的性能下降。


图l是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例l)6图2是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例l) 图3是沿图1的A-A'线和B-B'线的剖面图(实施例1) 图4是沿图1和图2的C-C'线的剖面图(实施例l) 图5是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例2) 图6是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例2) 图7是沿图5和图6的C-C'线的剖面图(实施例2) 图8是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例3) 图9是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例3) 图IO是沿图8和图9的C-C'线的剖面图(实施例3) 图ll是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例4) 图12是沿图11的C-C'线的剖面图(实施例4) 图13是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例5) 图14是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例6) 图15是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例7) 图16是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例8) 图17是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例8) 图18是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例9) 图19是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例IO) 图20是有机发光显示装置中的像素的平面图(实施例IO) 图21是有机发光显示装置中的像素的剖面图(实施例20)具体实施方式
以下，在本发明中，所谓有机发光元件，指的是采取下述的结构 的元件。即，依次由基板/下部电极/第1注入层/第1输送层/发光层/ 第2输送层/第2注入层/上部电极/保护层或密封基板(对置基板)构 成。下部电极和上部电极有2种组合。首先，是下部电极是阳极、上 部电极是阴极的結构。在该情况下,第1注入层、第1输送层分别成 为空穴注入层、空穴输送层。此外，第2注入层、第2输送层分别成为电子注入层、电子输送层。另一种的组合是下部电极是阴极、上部电极是阳极的结构。在该 情况下，第1注入层、第l输送层分别成为电子注入层、电子输送层。此外，第2注入层、第2输送层分别成为空穴注入层、空穴输送层。在上述的结构中，也可考虑没有第1注入层或第2注入层的结构。 此外，也可考虑第1输送层或第2输送层兼作发光层的结构。在上部电极和下部电极中，希望一个电极具有对发出的光的透射 性、另一个电极具有对发出的光的反射性的组合。在该情况下，由于 从具有透射性的电极取出光，故将该电极称为光取出电极。另一方面， 将具有反射性的电极称为反射电极。在上部电极成为光取出电极的情况下，称为顶部发射结构。另一 方面，在下部电极成为光取出电极的情况下，称为底部发射结构。这里所说的基板，只要是绝缘性的材料，就可从广泛的范围来选 择。具体地说，可使用玻璃、氧化铝烧结体等的无机材料、聚酰亚胺 膜、聚酯膜、聚乙烯膜、对聚苯硫膜、聚对二甲苯膜等的各种绝缘性 塑料等。此外，如果在表面上形成上述绝缘性的材料，则即使是金属材料 也没有问题。具体地说，可举出不锈钢、铝、铜、包含了上述金属的 合金，但并非限定于这些材料。这里所说的阳极，希望是提高空穴的注入效率的功函数大的导电 膜。具体地说，可举出金、铂，但并非限定于这些材料。此外，作为阴极，可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、 氧化铟锗等的2元系列或氧化铟锡锌等的3元系列。此外，除了氧化 铟外，也可以是以氧化锡、氧化锌等为主要成分的组成。此外，如果 是ITO，则可良好地使用对于氧化铟包含5 — 10wt%的氧化锡的组成。 关于氧化物半导体的制造方法，可举出溅射法、EB蒸镀法、离子镀 法等。ITO膜、IZO膜的功函数分别是4.6eV、 4.6eV，利用UV臭氧 照射、氧等离子体照射等，可使其增大到约5.2eV。在ITO膜中，如果在溅射法中在将基板温度提高到约200°C的条 件下制作，则成为多结晶状态。在多结晶状态下，由于因结晶粒的缘 故表面平坦性差，故希望成为研磨了表面的状态。此外，作为其它的 方法，希望对在非晶状态下形成了的物质进行加热使其成为多结晶状 态。此外，关于阳极，通过设置上述空穴注入层，没有必要使用功函 数大的材料，是通常的导电膜即可。具体地说，希望是铝、铟、钼、镍等的金属或使用了这些金属的 合金或多晶硅、非晶硅、锡氧化物、氧化铟、锢锡氧化物(ITO)等 的无机材料。此外，希望是使用了形成工艺简便的涂敷法的聚苯胺、聚噻吩等 的有机材料、导电性油墨。此外，当然并非限于这些材料，也可合并 使用大于等于2种的这些材料。这里所说的空穴注入层，希望是为了降低阳极与空穴输送层的注 入势垒而具有适当的离子化电位的材料。此外，希望起到填埋基底层 的表面凹凸的作用。具体地说，可举出铜酞膂染料、树枝状胺化合物、 聚苯胺、聚噻吩、氧化钒、氧化钼、氧化钌、氧化铝等，但并非限定 于这些材料。这里所说的空穴输送层，具有输送空穴并注入到发光层中的作 用。因此，希望由空穴迁移高的空穴输送性材料构成。此外，希望在 化学方面是稳定的。此外，希望离子化电位小。此外，希望电子亲和 力小。此外，希望玻璃化转变温度高。具体地说，希望是下述的材料 N， N'-二(3-甲基苯基)-N， N'-二苯基-1， l'-联苯H, 4'-二胺(TPD)、 4， 4'-二[]\- (l-萘基)-N-苯基氨基I联苯(a-NPD) 、 4， 4'， 4〃 -三(N-呼唑基)三苯基胺(TCTA) 、 1， 3， 5-三N- ( 4-二苯基氨 基苯基)苯基氨基苯(p-DPA-TDAB) 、 4， 4'， 4〃 -三(N -咔唑基) 三苯基胺(TCTA) 、 1， 3， 5-三N， N-二 (2-二曱基苯基)-氨基J-苯(o-MTDAB) 、1,3， 5-三N, N-二 ( 3-甲基苯基),氨基-苯 (m陽MTDAB ) 、 1， 3， 5-三[N, N-二 (4-甲基苯基)-氨基-苯(p画MTDAB)、 4， 4'， 4"-三[l-萘基(苯基)氨基j三苯基胺(l-NATA、 4， 4'， 4〃 -三[2-萘基(苯基)氨基三苯基胺(2-NATA) 、 4， 4'， 4"-三联苯-4-基-(3-甲基苯基)氨基三苯基胺(p-PMTDATA)、 4， 4'， 4〃 -三[9， 9-二曱基芴-2-基(苯基)氨基三苯基胺(TFATA)、 4， 4'， 4〃 -三(N-^唑基)三苯基胺(TCTA) 、 1， 3， 5-三-[1\-
(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基I苯(p-DPA-TDAB ) 、 1， 3， 5-三-{4-[曱 基苯基(苯基)氨基苯基}苯(MTDAPB) 、 N， N'-二 (联苯-4-基) -N， N'-二苯基-[l， l'-联苯画4， 4'陽二胺(p-BPD) 、 N， N'-二 (9， 9-二甲基药-2-基)-N, N'-二苯基贫-2， 7曙二胺(PFFA) 、 N， N， N', N'國四(9， 9画二甲基芴-2画基)画1， l画联苯画4， 4'誦二胺(FFD)、 ( NDA ) pp、 4， 4'-二[N， N'-(3-曱苯基)氨基-3-3'-二甲基苯基(HMTPD)。 当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。 此外，希望空穴输送层在上述空穴输送材料中含有氧化剂，使与 阳极间的势垒下降或使导电度提高。作为氧化剂的具体例，是氯化铁、 氯化铵、氯化钾、氯化铟、五氯化锑等的刘易斯酸化合物、三硝基贫 等的电子受容性化合物。当然并非限于这些材料，此外也可合并使用 大于等于2种的这些材料。
这里所说的发光层，指的是所注入的空穴、电子复合并以材料固 有的波长发光的层。有形成发光层的主体材料本身发光的情况和在主 体材料中微量地添加了的摻杂剂材料发光的情况。作为具体的主体材 料，以下的材料是所希望的二苯乙烯丙炔衍生物(DPVBi)、在骨 架中具有苯环的噻咯(，；口-A)衍生物(2PSP)、在两端具有三苯
基胺结构的羰基二唑衍生物(em2 )、具有菲基的《i; 乂》衍生物(Pl )、
在两端具有三苯基胺结构的低聚噻吩衍生物(BMA-3T) 、 二萘嵌 苯衍生物(tBu-PTC)、三(8-羟基喹啉)铝、聚对亚苯基亚乙烯基 衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔 衍生物。此外，当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于 2种的这些材料。
其次，作为具体的掺杂剂材料，以下的材料是所希望的喹吖啶酮、香豆灵6、尼罗红、红荧烯、4- (二氛曱基)-2-甲基-6-(对二曱 基氨基苯乙烯)-4H-吡喃(DCM) 、 二^"唑衍生物、卟啉铂络合物 (PtOEP)、铟络合物(Ir (ppy) 3)。此外，当然并非限于这些材 料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。这里所说的电子输送层，具有输送电子并注入到发光层中的作 用。因此，希望由电子迁移率高的电子输送性材料构成。具体地说， 以下的材料是所希望的三(8-羟基喹啉)铝、氧化重氮衍生物、漆 咯衍生物、锌苯并瘗唑络合物、^乂《-:/口0 (BCP)。此外， 当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。此外，希望电子输送层在上述电子输送性材料中含有还原剂，使 与阳极间的势垒下降或使导电度提高。作为还原剂的具体例，是碱金 属、碱土类金属、碱金属氧化物、碱土类氧化物、稀土类氧化物、碱 金属卣化物、碱土类卣化物、稀土类卣化物、用碱金属与芳香族化合 物形成的络合物。特别理想的碱金属是Cs、 Li、 Na、 K。当然并非限 于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。这里所说的电子注入层，用于提高从阴极对电子输送层的电子注 入效率。具体地说，氟化锂、氟化镁、氟化钙、氟化锶、氟化钡、氧 化镁、氧化铝是所希望的。此外，当然并非限于这些材料，此外也可 合并使用大于等于2种的这些材料。这里所说的阴极，希望是提高电子的注入效率的功函数小的导电 膜。具体地说，可举出镁银合金、铝锂合金、铝钙合金、铝镁、金属 钙，但并非限定于这些材料。此外，如果设置上述的电子注入层，则作为阴极的条件，没有必 要使用低功函数的材料，可使用一般的金属材料。具体地说，铝、铟、 钼、镍等的金属或使用了这些金属的合金或多晶硅、非晶硅是所希望 的。这里所说的保护层形成在上部电极上，其目的在于防止大气内的 H20、 02进入上部电极或其下的有机层。具体地说，可举出Si02、 SiNx、 Al203等的无机材料或聚氯丁烯、聚乙烯对苯二甲酸乙酯、聚甲醛、聚氯乙烯、聚氟化乙烯、氰基乙基 茁霉多糖(少》，》)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚砜、聚碳酸酯、聚酰 亚胺等的有机材料，但并非限定于这些材料。
与本发明有关的有机发光显示装置希望将上述有机发光元件用 于像素。此外，与本发明有关的有机发光显示装置希望使用色变换层。
这里所说的有机发光显示装置，指的是将有机发光元件用于像素 的显示装置。在有机发光显示装置中有无源矩阵有机发光显示装置和 有源矩阵有机发光显示装置。
对于无源矩阵有机发光显示装置来说，在多条阳极行与阴极行交 叉了的位置上形成了空穴输送层、发光层、电子输送层等的有机层， 各像素只在1帧期间中的选择时间内点亮。选择时间成为用阳极行数 除l帧期间的时间宽度。
在有源矩阵有机发光显示装置中，将由2~4个薄膜晶体管的开 关元件和电容构成的驱动元件连接到构成各像素的有机EL (发光) 元件上，可实现l帧期间中的全部点亮。因此，没有必要提高亮度， 可提高有机发光元件的寿命。
这里所说的像素，指的是在显示装置的画面的纵横配置了多个 的、在显示区域中显示文字或图形的最小单位。此外，所谓子像素， 指的是在进行彩色显示的显示装置中进一步分割像素的最小单位。在 彩色图像中， 一般是用绿、红、蓝这3色的子像素构成的结构。此外， 所谓显示区域，指的是在显示装置中显示图像的区域。
这里所说的色变换层，指的是将在成为像素或子像素的有机发光 元件中发出的光变换为其它的色的光的层。色变换层的结构可分为在 有机发光元件上层叠的结构和在对置基板上层叠的结构。
在有机发光元件上层叠的结构中，在成为像素或子像素部分的有 机发光元件上直接或隔着保护层形成色变换层。为了防止在像素或子 像素之间色变换层因来自邻接像素或子像素的发光而发光，形成黑 底。黑底和色变换层的形成顺序不作特别指定。在其上根据需要形成 保护层。在对置基板上形成色变换层的结构中，在上述的对置基板上形成黑底、色变换层、保护层，与有机EL基板贴合。此时，进行调整来 贴合，使得预定的色变换层位于像素或子像素上。在色变换层中大体可举出滤色层和彩色变换层。滤色层指的是射 出所入射的光的光i普的一部分的层。滤色层的材料含有色素和粘合剂 树脂。作为色素，可举出红色色素、蓝色色素、绿色色素等。作为上述红色色素的具体例，二萘嵌苯系列颜料、色淀颜料、偶 氮系列颜料、喹吖啶系列颜料、蒽系列颜料、>f 3/^7 F !J》系列颜料、>r 乂4》卜'i; 乂》系列颜料等是所希望的。此外，当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。作为上述蓝色色素的具体例，铜酞胥系列颜料、阴丹酮系列颜料、 靛酚系列颜料、花青系列颜料、二恶漆系列颜料等是所希望的。此外， 当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。作为上述绿色色素的具体例，香豆灵系列颜料等是所希望的。作为上述粘合剂树脂，希望是可见光区域中的透射率大于等于 50%的透明的材料。具体地说，可举出聚曱基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸 酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羧乙基 纤维素等。此外，当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等 于2种的这些材料。在滤色层的形成方法中，可举出染色法、颜料分散法、印刷法、 电着法，但并非特别限定于这些方法。这里所说的彩色变换层，由被入射的光激励而发出荧光的色变换 荧光层和校正出射光镨的校正滤色层构成。色变换荧光层包含荧光色素和粘合剂树脂。作为荧光色素，可举 出红色荧光色素、绿色荧光色素等。作为红色荧光色素的具体例，可举出4-二氰亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基苯乙烯基)-411-吡喃等的花青系列色素、高氯酸1-乙基 -2-14- (p-二甲基氨基苯基)-1， 3丁二烯基]-吡啶等的吡啶系列色素、 若丹明B、若丹明6G等的若丹明系列色素或恶嗪系列色素等。此外，当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。 作为绿色荧光色素的具体例，可举出2， 3， 5， 6-lH， 4H-四 氢-8-三氟甲基喹嗪并(9， 9a, l-gh)香豆灵、3-(2'-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆灵、3- (2'-苄咪唑基)-7-N, N-二乙基氨基香豆灵等 的香豆灵色素、碱性黄等的香豆灵色素材料染料、溶剂黄等。此外， 当然并非限于这些材料，此外也可合并使用大于等于2种的这些材料。实施例1
根据

与本发明的有机发光显示装置的实施例1。图1和 图2是有机发光显示装置中的像素的平面图，图3 (a)是沿图1的A -A'线的剖面图，图3 (b)是沿图1的B-B'线的剖面图，图4是沿 图1和图2的C-C'线的剖面图。
在图1中，在图3、 4中表示的玻璃基板116上以固定的间隔配 置了多条扫描线106，同时在与各扫描线正交的方向上以固定的间隔 配置了用于传送图像信息的信号线109。即，将各扫描线和各信号线 配置成格子状，由各扫描线和各信号线包围的区域成为l个像素部分 或1个子像素部分的显示区域。再者，在玻璃基板116上与信号线109 平行地配置了连接到电源上的多条第1电流供给线110。在玻璃基板 116上隔着层间绝缘膜形成了各扫描线106、信号线109和第1电流 供给线110作为属于布线层的布线。
在该布线层的上部一侧配置了构成作为彩色图像的最小单位的 像素的多个有机发光元件。各有机发光元件作为子像素，具备包含图 4中表示的空穴输送层5、各色发光层6~8、电子输送层9的有机层、 夹住该有机层的下部电极2 4和上部电极10而构成。属于各像素的 有机发光元件的下部电极2~4经作为驱动元件的晶体管连接到第1 电流供给线110上，属于各像素的有机发光元件的上部电极10连接 到与电源连接的辅助布线上。
此外，在玻璃基板116上形成了用于驱动各像素的有机层的驱动 层。该驱动层具备作为驱动元件的第1晶体管101、第2晶体管102 和电容104而构成。第1晶体管101的栅电极107连接到扫描线106上，源电极112连接到信号线109上，漏电极113连接到第2晶体管 的栅电极107'和电容104的下部电极105上。第2晶体管102的漏电 极113'连接到电容104的上部电极108和第1电流供给线110上，源 电极112'连接到下部电极2~4上。
其次，说明与上述结构有关的有机发光显示装置的制造方法。首 先，在图3中，在玻璃基板116上使用减压化学气相沉积法(LPCVD 法)形成膜厚50nm的非晶硅(a-Si)膜。原料是Si2H6,将基板温度 设定为450'C。其次，使用XeCl受激准分子激光器对整个膜进行激光 退火处理。将该激光退火处理分成2个阶段来进行，第1次、第2次 的照射能量分别是188mJ/cm2、 290mJ/cm2,由此，非晶硅被结晶化， 成为多晶硅(p-Si)。其次，利用采用了 CF4的干法刻蚀对多晶硅进 行构图，形成图3(a)中表示的第1晶体管101的有源层103、图3 (b)中表示的第2晶体管102的有源层103'和电容104的下部电极 105,
其次，形成膜厚100nm的Si02膜作为栅绝缘膜117。以四乙氧 基硅烷(TEOS)作为原料，用等离子增强化学气相沉积法(PECVD 法)形成了 Si02膜。
其次，利用溅射法制作膜厚50nm的TiW膜并进行构图作为栅 电极107、 107'。此时，同时也对扫描线106和电容104的上部电极 108进行了构图。
其次，利用离子注入法，从栅绝缘膜117的上部起对被构图了的 多晶硅层注入4xl0"离子/cm2、能量80keV的P离子。此时，不对在 上部栅电极107、 107'所处的区域注入P离子，成为有源区103、 103'。
其次，在惰性N2气氛下对玻璃基板116进行300。C、 3小时的加 热，使离子激活，以便有效地进行掺杂。多晶硅(P-Si)的被注入了 离子的区域成为2kQ/口的方块电阻值。在其上形成氮化硅(SiNx)膜 作为第1层间绝缘膜118。其膜厚是200nm。
其次，在有源层103、 103'的两端上部的栅绝缘膜117和第l层 间绝缘膜118中形成接触孔(省略图示)。再者，如图3(a)中所示，
15在处于第2晶体管102的栅电极107'上部和电容104的上部电极108 上部的第1层间绝缘膜118中形成接触孔(省略图示)。
在其上用溅射法形成膜厚500nm的Al膜。利用光刻工序形成信 号线109、第1电流供给线110。此外，形成第1晶体管101的源电 极112和漏电极113、第2晶体管102的源电极112'和漏电极113'。
此外，经栅电极107'将电容104的下部电极105与第1晶体管 101的漏电极113相连接，第1晶体管101的源电极112与信号线109 相连接。此外，将第1晶体管101的漏电极113连接到第2晶体管102 的栅电极107'上，将第2晶体管102的漏电极113'连接到第1电流供 给线110上。此外，将电容104的上部电极108连接到第1电流供给 线110上。
其次，形成SiNx膜作为第2层间绝缘膜119。其膜厚是500nm。 在第2晶体管102的漏电极112'上部形成接触孔(省略图示)，在其 上使用溅射法形成厚度150nm的Cr膜，使用光刻法形成像素的下部 电极2。
其次，形成丙烯酸保护膜作为第3层间绝缘膜151。在该情况下， 在用旋转涂敷法在1000rpm/30秒的涂敷条件下成膜，在热板上放置 玻璃基板116，在90'C/2分的条件下进行了预烘烤，
该第3层间绝缘膜151的膜厚是2nm，覆盖了从像素的下部电 极2 4端部到3nm内侧的部分。也覆盖了连接漏电极112'与像素的 下部电极2 ~ 4的接触孔部分。这是为了防止像素的下部电极2 ~ 4与 上部电极10短路。
其次，根据图4说明成为像素的有机发光元件的结构。用纯水对 形成了下部电极2~4的玻璃基板116进行超声波清洗，在使其旋转 干燥之后，用120t的炉进行30分钟的干燥。
其次，在下部电极2上利用真空蒸镀法形成膜厚50nm的4， 4'-二[N- (l-萘基)-N-苯基氨基]联苯(以下称为"a-NPD，，)膜。将a -NPD的蒸镀速度定为0.15±0.01nm/sec。在发光区域的整个面上形 成该a-NPD膜，起到空穴输送层5的功能。其次，关于在各子像素中的发光层的形成进行说明。下部电极2 起到红色发光色的子像素(以下称为"R子像素，，)的功能。在空穴输 送层5上利用真空蒸镀法形成共同蒸镀了三(8-羟基喹啉)铝(以下 称为"Alq3")和香豆灵的膜厚30nm的膜。该Alq3、香豆灵的蒸镀速度分别定为0.20±0.01nm/sec 、 0.0U0.005nm/sec。上述共同蒸镀膜起到R发光层6的功能。此外， 在R发光层6中，香豆灵起到决定发光色的掺杂剂的功能。使用具有 与子像素为相同尺寸的开口图案的精密掩模对Alq3和香豆灵的共同 蒸镀膜进行构图。其次，说明在下部电极3上形成了的绿色发光色的子像素(以下 称为"G子像素")。在空穴输送层5上利用真空蒸镀法形成共同蒸镀 了 Alq3和会吖咬酮的膜厚30nm的膜。该Alq3、会吖啶酮的蒸镀速度分别定为0.20±0.01nm/sec、 0.01±0.005nm/sec。上述共同蒸镀膜起到G发光层7的功能。此外， 在G发光层7中，奮吖啶酮起到决定发光色的摻杂剂的功能。使用具 有与子像素为相同尺寸的开口图案的精密掩模对Alq3和喹吖啶酮的 共同蒸镀膜进行构图。其次，说明在下部电极4上形成了的蓝色发光色的子像素(以下 称为"B子像素")。在空穴输送层5上利用真空蒸镀法形成共同蒸镀 了 BAlq3和苯乙烯胺化合物1， 4'-二N. (3-曱基苯基)-N'-苯基-4-氨基苯基亚乙烯基-2, 5-二曱氧基苯(以下称为"DSA")的膜厚30nm 的膜。该BAlq3、 DSA的蒸镀速度分别定为0.20±0.01nm/sec 、 0.01±0.005nm/sec。上述共同蒸镀膜起到B发光层8的功能。此外， 在B发光层8中，DSA起到决定发光色的掺杂剂的功能。使用具有与 子像素为相同尺寸的开口图案的精密掩模对Alq3和DS A的共同蒸镀 膜进行构图。其次，在各色发光层6~8上利用真空蒸镀法形成蒸镀了膜厚 30nm的Alq3的膜。Alq3的蒸镀速度定为0.15±0.01nm/sec。在发光区域的整个面上 形成该Alq3膜，起到电子输送层9的功能。其次，在电子输送层9上形成Mg和Ag的混合膜作为电子注入 层。在该情况下，使用2元同时真空蒸镀法，将蒸镀速度分别设定为 0.14±0.05nm/s、 0.01±0.005nm/s，蒸镀了膜厚10nm的膜。其次，利用溅射法，形成膜厚50nm的In-Zn-O膜(以下称 为"IZO膜")。该膜起到上部电极10的功能，是非晶氧化物膜。使 用了In/(In + Zn)0.83的靶作为此时的靶。成膜条件为将Ar: 02混合气体作为气氛、真空度0.2Pa、将溅射输出定为2W/cm2。 Mg: Ag/In - Zn - O层叠膜的透射率是65% 。其次，利用蒸镀法形成膜厚100nm的Al膜。使用条紋状的精密 掩模形成该Al蒸镀膜，起到图2中表示的第l辅助布线11~11'〃的 功能，该辅助布线11~11'〃成为与信号线平行的配置，位于R子像素 与G子像素之间、G子像素与B子像素之间、B子像素与R子像素 之间。其次，利用蒸镀法形成膜厚100nm的Al膜。使用条紋状的精密 掩模形成该Al蒸镀膜，起到图2中表示的第2辅助布线12 ~ 12'的功 能，该辅助布线12~12'成为与扫描线平行的配置，位于子像素之间。 如图2中所示，希望位于没有下部电极2 4的区域上。利用上述第l辅助布线11~11'〃和第2辅助布线12~12'，将辅 助布线配置成格子状。按照以上所述，可在玻璃基板116上制造形成了驱动层和多个有 机发光元件的TFT基板13。其次，在不使TFT基板13暴露于大气的情况下，使干燥氮气循 环，将TFT基板13移动到保持了高露点的密封室中。其次，将玻璃基板导入上述密封室。该玻璃基板成为密封基板 14。使用密封剂分配装置在由玻璃基板形成的密封基板的边缘部分上 描画光硬化树脂(省略图示)。在密 封室内将该密封基板14与TFT基板13贴合并压接。在密封基板14的外侧放置遮光板以免UV光照射到整个发光元件上，从 密封基板14一侧照射UV光，使光硬化树脂硬化。按照以上所述，说明了顶部发射型彩色有机发光显示装置及其制 造方法。该有机发光显示装置的特征在于在上部透明电极上设置包 围子像素的格子状辅助布线，使其与上部透明电极电连接。利用该结 构，可抑制因面板的外周部和中心部的上部透明电极的电阻引起的电 压降，电流值的差为3%,抑制了面板内的亮度离散。实施例2其次，根据

本发明的有机发光显示装置的实施例2。图 5和图6是有机发光显示装置中的像素的平面图，图7是沿图5和图 6的C-C'线的剖面图。本实施例的特征在于加宽使用精密蒸镀掩 模法形成的上部透明电极的辅助布线的宽度并加宽布线间距。利用该 结构，精密掩模中的形成变得容易。具体地说，在玻璃基板116上第1晶体管101、第2晶体管102、 电容104、信号线109、扫描线106、第1电流供给线110、第1层间 绝缘膜118、第2层间绝缘膜119和下部电极2~4的形成方法与实施 例l是同样的。如图5中所示，在R子像素2的信号线109与B子像素4的第 1电流供给线110之间设置空间200。其次，如图7中所示，形成第3层间绝缘膜151、空穴输送层5、 R发光层6、 G发光层7、 B发光层8、电子输送层9和上部电极10。 这些部分的制作条件与实施例l是同样的。在上述的空间200中设置在与信号线109平行的方向上延伸的笫 1辅助布线11、 11'(图6、 7)。在其上形成在与扫描线106平行的 方向上延伸的第2辅助布线12、 12'(图6)。在本实施例中，与实施 例1相比，加宽了辅助布线的宽度。此外，由于在像素间的空间200 中设置辅助布线，故也加宽辅助布线的间隔。因此，可加宽在辅助布 线的形成中使用的精密遮蔽掩模的开口部的宽度和开口部的间距，提 高了批量生产性。TFT基板13与密封基板14的重合的制作方法和制作条件与实 施例l是同样的。在本实施例中，与实施例1同样，利用在上部透明电极上设置了 的格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散。此外，利用子像素的 配置，可加粗在与信号线平行的方向上延伸的辅助布线的布线宽度， 使用了精密掩模的蒸镀法中的形成变得容易。实施例3其次，根据

本发明的有机发光显示装置的实施例3。图 8和图9是有机发光显示装置中的像素的平面图，图IO是沿图8和图 9的C-C'线的剖面图。本实施例是使像素内的R子像素、G子像素、 B子像素的第1电流供给线110成为共用的电流供给线的结构。具体地说，在图8中，电容104的配置位于扫描线106的上侧。 此外，只有G子像素用的信号线109位于R子像素2与G子像素3 之间，此外，在G子像素3与B子像素4之间，对于像素按1条的 比例配置第1电流供给线110。在图8中，第1电流供给线110位于 R子像素用的信号线109的左侧。为了将第1电流供给线110与R子像素用、G子像素用、B子 像素用的第2晶体管102的漏电极113'相连接，设置第2电流供给线 120。使用与形成了栅电极107、 107'、扫描线106和电容104的上部 电极108的材料相同的TiW膜形成了第2电流供给线120。此外，将 第2电流供给线120连接到电容104的上部电极108上。驱动层的其它的结构与实施例2是同样的。此外，各层的制作条 件也与实施例2是同样的。其次，如图10中所示，形成笫3层间绝缘膜151、空穴输送层5、 R发光层6、 G发光层7、 B发光层8、电子输送层9和上部电极10。 这些部分的制作条件与实施例l是同样的。其次，在第1电流供给线110的上侧，如图9中所示，设置第1 辅助布线ll。制作方法、制作条件与实施例l是同样的。其次r在第 1晶体管101、第2晶体管102、扫描线106、电容104和第2电流供20给线120的上侧，如图9中所示，设置第2辅助布线12。制作方法、 制作条件与实施例l是同样的。TFT基板13与密封基板14的重合的制作方法和制作条件与实 施例l是同样的。在本实施例中，与实施例1同样，利用在上部透明电极上设置了 的格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散。此外，利用电容的配 置，可加粗在与信号线和扫描线平行的方向上延伸的辅助布线的布线 宽度，在使用了精密掩模的蒸镀法中的形成变得容易。此外，利用对 于构成像素的R、 G、 B子像素使第1电流供给线成为共用的电流供 给线的配置，可增加下部电极的面积，可实现高的数值孔径(开口率)。实施例4其次，根据

本发明的有机发光显示装置的实施例4。图 ll是有机发光显示装置中的像素的平面图，图12是沿图11的C-C' 线的剖面图。本实施例的特征在于在上部透明电极与辅助布线之间 设置了电连接层15、 16。驱动层的形成方法与实施例3是同样的。此外，如图12中所示， 形成第3层间绝缘膜151、空穴输送层5、 R发光层6、 G发光层7、 B发光层8、电子输送层9和上部电极10。这些部分的制作条件与实 施例3是同样的。其次，利用蒸镀法，在上部透明电极10上形成膜厚30nm的Cr 膜。使用在与信号线平行的方向上延伸的条紋状的精密掩模形成该 Cr蒸镀膜，起到第1电连接层15的功能。其次，在第1电连接层15 上，使用相同的精密掩模，形成第l辅助布线ll。制作条件与实施例 3是同样的。其次，利用蒸镀法，在第1辅助布线11和上部电极10上形成膜 厚30nm的Cr膜。使用在与扫描线平行的方向上延伸的条紋状的精 密掩模形成该Cr蒸镀膜，起到第2电连接层16的功能。其次，在第 2电连接层16上，使用相同的精密掩模，形成笫2辅助布线12。制 作条件与实施例3是同样的。TFT基板13与密封基板14的重合的制作方法和制作条件与实 施例l是同样的。在本实施例中，利用在上部透明电极上设置了的格子状辅助布 线，抑制了面板内的亮度离散。此外，利用子像素的配置，可加粗在 与信号线和扫描线平行的方向上延伸的辅助布线的布线宽度，在^f吏用 了精密掩模的蒸镀法中的形成变得容易。此外，利用对于构成像素的 R、 G、 B子像素使第1电流供给线成为共用的电流供给线的配置，可 增加下部电极的面积，可实现高的数值孔径。此外，通过在上部透明 电极与辅助布线之间设置了电连接层，提高了电连接的可靠性。实施例5其次，根据

本发明的有机发光显示装置的实施例5。图 13是有机发光显示装置中的像素的平面图，沿图13的C-C'线的剖 面图与实施例4的图12相同。本实施例的特征在于在形成格子状 的辅助布线的一个方向上延伸的辅助布线与上部透明电极之间设置 了电连接层15。驱动层的形成方法与实施例3是同样的。此外，形成第3层间绝 缘膜151、空穴输送层5、 R发光层6、 G发光层7、 B发光层8、电 子输送层9和上部电极10。这些部分的制作条件与实施例3是同样的。其次，利用蒸镀法，在上部透明电极10上形成膜厚30nm的Cr 膜。使用在与信号线平行的方向上延伸的条紋状的精密掩模形成该 Cr蒸镀膜，起到第1电连接层15的功能。其次，在第1电连接层15 上，使用相同的精密掩模，形成第l辅助布线ll。制作条件与实施例 3是同样的。其次，形成与扫描线平行的第2辅助布线12，制作条件与实施 例3是同样的。TFT基板13与密封基板14的重合的制作方法和制作条件与实 施例l是同样的。在本实ife例中，利用在上部透明电极上设置了的格子状辅助布 线，抑制了面板内的亮度离散。此外，利用子像素的配置，可加粗在与信号线平行的方向上延伸的辅助布线的布线宽度，在使用了精密掩模的蒸镀法中的形成变得容易。此外，利用对于构成像素的R、 G、 B 子像素使第1电流供给线成为共用的电流供给线的配置，可增加下部 电极的面积，可实现高的数值孔径。此外，通过在上部透明电极与在 与信号线平行地延伸的第l辅助布线之间设置了电连接层，提高了电 连接的可靠性。再有，在与扫描线平行地延伸的第2辅助布线上未设置电连接 层，但由于在与第l辅助布线交叉的区域中被电连接，故可减少电连 接层，可简化工艺。实施例6其次，根据

与本发明有关的有机发光显示装置的实施例 6。图14是有机发光显示装置中的像素的平面图。本实施例的特征在 于使用与扫描线为同一层的金属层、第l层间绝缘膜、与信号线为 同 一层的金属层形成在像素内形成的电容。具体地说，如迄今为止说明了的那样，在玻璃基板116上第1 晶体管101、第2晶体管102、电容104、信号线109、扫描线106、 第2电流供给线120、第1电流供给线110、第1层间绝缘膜118、第 2层间绝缘膜119和下部电极2 4的形成方法和在其上形成的有机发 光元件和密封方法与实施例3是同样的。用与扫描线106为同一层的金属层形成电容104的下部电极。为 了将该下部电极与第2晶体管的栅电极107'相连接，采用使用了与信 号线109为同一层的金属层的布线。再有，将电容104的下部电极形 成为不与第2电流供给线120重叠。其次，使用与信号线109为同一层的金属层形成电容104的上部 电极108。为了将第1电流供给线110与第2晶体管102的漏电极113' 相连接而使用第2电流供给线120,这一点与实施例3是同样的。在本实施例中，与实施例3同样，利用在上部透明电极上设置了 的格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散，在使用了精密掩模的 蒸镀法中的形成变得容易。此外，由于使用了与扫描线和信号线为同一层的金属层作为电容的电极，故形成变得容易。实施例7其次，根据

本发明的有机发光显示装置的实施例7。图 15是有机发光显示装置中的像素的平面图。本实施例的特征在于使 与扫描线平行的第2电流供给线在厚度方向上与在像素内形成的电容 重叠。具体地说，如迄今为止说明了的那样，在玻璃基板116上第1 晶体管101、第2晶体管102、电容104、信号线109、扫描线106、 第2电流供给线120、第1电流供给线110、第1层间绝缘膜118、第 2层间绝缘膜119和下部电极2 ~ 4的形成方法和在其上形成的有机发 光元件和密封方法与实施例3是同样的。使用离子化了的多晶硅层形成电容104的下部电极的方法与实 施例3是同样的。此外，电容104的上部电极与第2电流供给线120共用。采用与 电容104的上部电极共用的第2电流供给线120连接第1电流供给线 110与第2晶体管102的漏电极113'的方法与实施例3是同样的。在本实施例中，与实施例3同样，利用在上部透明电极上设置了 的格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散，在使用了精密掩模的 蒸镀法中的形成变得容易。此外，通过共用电容104的上部电极与第 2电流供给线，宽度宽的第2电流供给线的形成变得容易。实施例8其次，根据

有机发光显示装置的其它实施例。图16是 有机发光显示装置中的像素的平面图。本实施例的特征在于通过并 排地配置相邻的二个像素的电容，加宽与扫描线平行的辅助布线的布 线宽度。在图17中表示与图16对应的第1辅助布线11和第2辅助 布线12。具体地说，在玻璃基板116上具有第1晶体管101、第2晶体管 102、电容104、信号线109、扫描线106、第l电流供给线110、第2 电流供给线120、第1层间绝缘膜118、第2层间绝缘膜119、下部电极2~4、第3层间绝缘膜151,在其上形成有机发光元件。这些部分 的形成方法与实施例3是同样的。此外，在上部透明电极上形成第l 辅助布线ll、 ll'和第2辅助布线12。制作条件与实施例3是同样的。 其次，用与实施例3同样的方法密封。如图16中所示，在图面的上部、下部并排地配置了二个像素。 在图面下部的像素250中，与实施例3相同，从下侧起，按下部电极 2、 3、 4、扫描线106、电容的顺序来形成。另一方面，在图面上部的 像素260中，从下侧起，按电容、扫描线106'、下部电极2'、 3'、 4' 的顺序来形成。如图17中所示，在由电容和扫描线构成的区域上形成在上部电 极10上在与扫描线平行的方向上形成并配置的第2辅助布线12、12'。 通过并排地配置相邻的二个像素的电容，因第2辅助布线的宽度加宽、 第2辅助布线的间距增大，使得在使用了精密掩模的蒸镀法中的形成 变得容易。按照本实施例，利用在上部透明电极上设置了的格子状辅助布 线，抑制了面板内的亮度离散，使得在使用了精密掩模的蒸镀法中的 形成变得容易。实施例9其次，根据

有机发光显示装置的其它实施例。图18是 有机发光显示装置中的像素的平面图。本实施例的特征在于通过接 近地配置相邻的二个像素的电容，在加宽与扫描线平行的辅助布线的 布线宽度的同时，使第2电流供给线成为共用的电流供给线。具体地说，在玻璃基板116上具有第1晶体管101、第2晶体管 102、电容104、信号线109、扫描线106、第2电流供给线120、第1 电流供给线110、第1层间绝缘膜118、第2层间绝缘膜119、下部电 极2~4、第3层间绝缘膜151，在其上形成有机发光元件、第l辅助 布线和第2辅助布线。这些部分的形成方法和密封方法与实施例8是 同样的。用第2电流供给线120连接各像素的电容与第1电流供给线110、110'。如图18中所示，在下侧的像素250中使用的电容的第2电流供 给线与在上侧的像素260中使用的电容的第2电流供给线中成为共用 的电流供给线，加宽第2电流供给线120的宽度。此外，将第2电流 供给线用作各电容的上部电极。在由电容和扫描线构成的区域上形成在上部电极10上在与扫描 线平行的方向上形成并配置的第2辅助布线12、 12'。通过接近地配 置相邻的二个像素的电容，可加宽第2辅助布线的宽度。此外，由于 第2辅助布线的间距成为每2个像素的间距，故使得在使用了精密掩 模的蒸镀法中的形成变得容易。此外，由于第2电流供给线的宽度宽， 故降低了因布线电阻引起的电压效应。在本发明中，与实施例3同样，利用在上部透明电极上设置了的 格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散，使得在使用了精密掩模 的蒸镀法中的形成变得容易。实施例10其次，根据

本发明的有机发光显示装置的实施形态。图 19是形成到信号线、第1电流供给线、源电极和漏电极为止的有机发 光显示装置的像素的平面图，图20是形成到下部电极为止的有机发 光显示装置的像素的平面图。本实施形态的特征在于在相同的区域 中在上下重叠地配置了第1电流供给线和各像素的电容。在玻璃基板116上形成了第1晶体管101、第2晶体管102、信 号线109、扫描线106、第1电流供给线110、第1层间绝缘膜118， 这些部分的形成方法与实施例3是同样的。如图19中所示，在第1电流供给线110的下侧形成各像素的电 容104。电容的结构与实施例1是同样的。例如，在下部电极2的区 域中，将用掺杂p - Si层制作的电容下部电极由与扫描线为同一层的 TiW布线200转换连接，再由与信号线为同一层的Al布线201转换 连接，并经由用掺杂p - Si层制作的布线连接到第2晶体管102的栅 电极107'上。在下部电极3的区域中，将电容下部电极由TiW布线202、 Al 布线203转换连接，连接到第2晶体管的栅电极上。即使在下部电极 4的区域中，也将电容下部电极由TiW布线204、 Al布线205转换连 接，连接到第2晶体管的栅电极上。在其上形成第2层间绝缘膜119、下部电极2~4、第3层间绝缘 膜151。制作条件与实施例l是同样的。此外，在其上形成的有机发 光元件、第l辅助布线和第2辅助布线和密封方法与实施例3是同样 的。在本发明中，与实施例3同样，利用在上部透明电极上设置了的 格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散，使得在使用了精密掩模 的蒸镀法中的形成变得容易。此外，由于重叠了第1电流供给线与电 容，故数值孔径提高了。实施例11其次，根据

与本发明有关的有机发光显示装置的实施形 态。图21与本发明有关的有机发光显示装置的剖面图。本实施形态 是由白色有机发光元件和在密封基板上形成了的滤色层构成的有机 发光显示装置，其特征在于在辅助布线上重叠了遮光层。具体地说，在玻璃基板116上具有第1晶体管101、第2晶体管 102、电容104、信号线109、扫描线106、第2电流供给线120、第1 电流供给线IIO、第1层间绝缘膜118、第2层间绝缘膜119、下部电 极2~4、第3层间绝缘膜151。下部电极2~4的形成方法、第3层 间绝缘膜151的形成方法与实施例3是同样的。其次，在下部电极2~4上形成空穴输送层5。制作条件与实施 例1是同样的。在其上形成R发光层300、 B发光层301。制作条件 与实施例l是同样的。上述发光层与空穴输送层同样地在发光区域的 前面形成。其次，在发光层300、 301上形成电子输送层9、电子注入 层、上部电极IO。制作条件与实施例l是同样的。该有机发光元件显 示由红色发光色和蓝色发光色构成的白色发光。施例3是同样的。其次，贴合并压接了密封基板14与TFT基板13。在密封基板 14中形成了 R滤色器302、 G滤色器303、 B滤色器304。此外，在 各滤色器之间形成了遮光层305。光硬化树脂的硬化条件与实施例1 是同样的。在实施例中，与实施例3同样，利用在上部透明电极上设置了的 格子状辅助布线，抑制了面板内的亮度离散，使得使用了精密掩模的 蒸镀法中的形成变得容易。此外，用有机发光元件发出了的白色发光 通过滤色层成为红、绿、蓝发光。
权利要求
1.一种有机发光显示装置，其特征在于在基板上依次层叠包含用于驱动有机发光元件的驱动元件的驱动层、和包含连接到上述驱动元件上的信号线和扫描线的布线层，在夹着上述有机发光元件的有机层的一对电极中的上部透明电极上设置有在与上述信号线平行的方向上延伸的第1辅助布线、和在与上述扫描线平行的方向上延伸的第2辅助布线，电连接上述第1辅助布线和第2辅助布线。
2. 如权利要求l中所述的有机发光显示装置，其特征在于 上述第1辅助布线和第2辅助布线中的至少一个辅助布线具有用于与上述上部透明电极电连接的电连接层。
3. 如权利要求2中所述的有机发光显示装置，其特征在于 上述电连接层的形状与上述第l辅助布线或第2辅助布线的形状相同。
4. 如权利要求2中所述的有机发光显示装置，其特征在于 上述电连接层形成在上述上部透明电极与第1辅助布线之间或上述上部透明电极与第2辅助布线之间。
5. 如权利要求4中所述的有机发光显示装置，其特征在于 具有上述电连接层的辅助布线形成在上述上部透明电极与没有电连接层的辅助布线之间。
6. 如权利要求2中所述的有机发光显示装置，其特征在于 来自上述有机发光元件的发光色至少具有蓝色、绿色、红色，在上述有机发光元件的外侧具有色变换层。
7. 如权利要求6中所述的有机发光显示装置，其特征在于 在上述第1辅助布线和第2辅助布线的上部具有遮光层。
8. —种有机发光显示装置，其特征在于在基板上依次层叠包含用于驱动有机发光元件的驱动元件的驱 动层、和包含连接到上述驱动元件上的信号线和扫描线的布线层，在夹着上述有机发光元件的有机层的一对电极中的上部透明电 极上设置有在与上述信号线平行的方向上延伸的第l辅助布线、和在与上述扫描线平行的方向上延伸的第2辅助布线，将上述有机发光元件作为子像素，将上述第1辅助布线和第2 辅助布线配置成包围由多个子像素构成的像素，电连接上述第1辅助布线与第2辅助布线。
9. 如权利要求8中所述的有机发光显示装置，其特征在于 在配置了上述第l辅助布线的区域的下侧设置有空间。
10. 如权利要求9中所述的有机发光显示装置，其特征在于 在配置了上述第2辅助布线的区域的下侧具有上述扫描线。
11. 如权利要求IO中所述的有机发光显示装置，其特征在于 在对上述有机发光元件供给电流的第1电流供给线的区域的下侧具有电容。
12. 如权利要求8中所述的有机发光显示装置，其特征在于 在配置了上述第l辅助布线的区域的下侧具有第1电流供给线。
13. 如权利要求12中所述的有机发光显示装置，其特征在于 上述第1电流供给线与上述驱动元件电连接。
14. 如权利要求13中所述的有机发光显示装置，其特征在于 设置有电连接上述第1电流供给线与上述驱动元件的第2电流供给线、和在上述第2电流供给线与上述扫描线之间的区域中的电容。
15. 如权利要求14中所述的有机发光显示装置，其特征在于 上述电容的下部电极由与上述扫描线同层的金属层形成，上述电容的上部电极由与上述信号线同层的金属层形成。
16. 如权利要求14中所述的有机发光显示装置，其特征在于 与上述第2电流供给线共用上述电容的上部电极。
17. —种制造如权利要求1或8中所述的有机发光显示装置的方 法，其特征在于使用条紋状的精密蒸镀掩模用于形成上述第1辅助布线和第2 辅助布线。
18.如权利要求17中所述的有机发光显示装置的制造方法，其 特征在于使用上述精密蒸镀掩模形成上述第1辅助布线及其电连接层或 形成上述第2辅助布线及其电连接层。
全文摘要
本发明的课题是减少因有机发光元件中的上部透明电极的布线电阻引起的亮度的离散。在上部透明电极上利用精密掩模蒸镀法形成在与信号线平行的方向上延伸的条纹状的第1辅助布线(11)。其次，利用精密掩模蒸镀法形成在与扫描线平行的方向上延伸的条纹状的第2辅助布线(12)。
文档编号H05B33/02GK101262723SQ20081000496
公开日2008年9月10日 申请日期2008年1月31日 优先权日2007年3月5日
发明者景山宽, 松崎永二, 石原慎吾 申请人:株式会社日立显示器