电子部件内置基板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种能够消除在绝缘体层产生裂痕等的担忧的电子部件内置基板。在与贯通形成有收纳部11a1的芯层12a最接近的第一导体层11d和第三导体层11h，分别形成有与平行投影于该第一导体层11d和第三导体层11h的收纳部11a1的开口边缘VO的一部分重叠的四个第一贯通孔11d2和四个第一贯通孔11h2。
【专利说明】电子部件内置基板
【技术领域】
[0001]本发明涉及在基板内置有电子部件的电子部件内置基板，特别是涉及在形成于芯层的收纳部内收纳有电子部件的电子部件内置基板。
【背景技术】
[0002]在电子部件内置基板中，已知有例如下述专利文献I中所公开的“不具有芯层的类型”和例如下述专利文献2中所公开的“具有芯层的类型”。“不具有芯层的类型”具有电子部件埋设于绝缘体层中的结构，电子部件由构成绝缘体层的合成树脂覆盖，辅助固定其位置。“具有芯层的类型”具有电子部件收纳于贯通形成于芯层的收纳部内的结构，在电子部件和收纳部的内壁之间存在间隙时，在该间隙填充合成树脂，电子部件由该填充树脂覆盖，辅助固定其位置。
[0003]但是，作为“具有芯层的类型”的填充合成树脂使用吸湿性比芯层高的合成树脂时，存在如下所述的担忧。即，在电子部件内置基板中，由于一般通过回流焊接法安装各种电子部件，因此，由于回流焊接时的热，产生填充合成树脂中所含的水分蒸发从而蒸气逃出到外部这样的现象。当在芯层的厚度方向的一个面和另一个面顺次设置由合成树脂构成的绝缘体层和由金属构成的导体层时，存在如下担忧:蒸气通过最接近芯层的绝缘体层内，从该绝缘体层的端部向外部逃出，但是由于蒸气向外部排出的路径长，在最接近芯层的绝缘体层由于蒸气压而产生裂痕，或者在该绝缘体层和芯层发生层间剥离，或者该绝缘体层和最接近芯层的导体层发生层间剥离。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2008-060413号公报
[0007]专利文献2:日本特开2010-118581号公报
【发明内容】
[0008]发明所要解决的课题
[0009]本发明的目的在于提供一种能够消除在绝缘体层产生裂痕等的担忧的电子部件
内置基板。
[0010]用于解决课题的方法
[0011]为了实现上述目的，该电子部件内置基板的特征在于:在贯通形成于芯层的收纳部内收纳有电子部件，在上述电子部件与上述收纳部的内壁的间隙填充有吸湿性比上述芯层高的合成树脂，在上述芯层的厚度方向的一个面和另一个面设置有两组以上由合成树脂形成的绝缘体层和由金属形成的导体层的组，在设置于上述芯层的厚度方向的一个面和另一个面的至少一方的两组以上的绝缘体层和导体层的组中最接近上述芯层的导体层中，形成有一个以上的第一贯通孔，该第一贯通孔与平行投影于该最接近的导体层的上述收纳部的开口边缘的至少一部分重叠。[0012]发明的效果
[0013]根据本发明，能够提供一种能够消除在绝缘体层产生裂痕等的担忧的电子部件内
置基板。
[0014]本发明的上述目的和其它目的以及与各目的对应的特征和效果，可以通过以下说明和附图而更加明确。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明的第一实施方式的电子部件内置基板的主要部分的纵向截面图。
[0016]图2是沿图1的S2-S2线的横向截面图。
[0017]图3是沿图1的S3-S3线的横向截面图。
[0018]图4是沿图1的S4-S4线的横向截面图。
[0019]图5是沿图1的S5-S5线的横向截面图。
[0020]图6是沿图1的S6-S6线的横向截面图。
[0021]图7是沿图1的S7-S7线的横向截面图。
[0022]图8是本发明的第二实施方式的电子部件内置基板的主要部分的纵向截面图。
[0023]图9是图8的图3对应横向截面图。
[0024]图10是图8的图4对应横向截面图。
【具体实施方式】
[0025]《第一实施方式》
[0026]图1?图7所示的电子部件内置基板中，在多层结构的基板11中，内置有作为电子部件的利用了表面声波(Surface Acoustic Wave)的SAW滤波器12。并且，图2?图7所示的Sl-Sl线表示图1的截面位置。
[0027]基板11具备:在厚度方向贯通形成有大致长方体形状的收纳部Ilal的芯层Ila ；在收纳于收纳部Ilal内的SAW滤波器12与该收纳部Ilal的内壁的间隙填充的合成树脂(以下称为填充合成树脂)llb ;设置于芯层Ila的上表面(厚度方向的一个面)的第一绝缘体层Ilc ;设置于第一绝缘体层Ilc的上表面的第一导体层Ild ;设置于第一导体层Ild的上表面的第二绝缘体层lie ;设置于第二绝缘体层lie的上表面的第二导体层Ilf ;设置于芯层Ila的下表面(厚度方向的另一个面)的第三绝缘体层Ilg ;设置于第三绝缘体层Ilg的下表面的第三导体层Ilh ;设置于第三导体层Ilh的下表面的第四绝缘体层Ili和设置于第四绝缘体层Ili的下表面的第四导体层给llj。
[0028]芯层Ila由铜、铜合金等金属构成，其厚度在例如100?400μπι的范围内。填充合成树脂Ilb和各绝缘体层llc、lle、llg以及Ili由环氧树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂、在这些之中含有玻璃纤维等加强填料的材料等的合成树脂(也能够使用不仅具有热固化性还具有热塑性的材料)构成，各绝缘体层11c、lie、Ilg以及Ili的厚度例如在ΙΟμπι?30μπι的范围内。芯层Ila由金属构成，因此，填充合成树脂Ilb的吸湿性高于芯层 11a。
[0029]各导体层lld、llf、llh和Ilj由铜、铜合金等金属构成,其厚度在例如5 μ m?25μπι的范围内。各导体层lld、llf、llh和Ilj中，信号配线和接地配线(参照符号lldl、IlflUlhl和lljl) 二维地形成图案，并且，与该接地配线连接或不连接的导体孔(参照符号Ild4、lld5和llh4)以贯通其内侧的绝缘体层的方式设置。导体孔由铜、铜合金等金属构成，其最大直径在例如IOym?80μπι的范围内。
[0030]S卩，在基板11的芯层Ila的上表面和下表面，设置有两组由合成树脂形成的绝缘体层和由金属形成的导体层构成的组。
[0031]SAff滤波器12具有由钽酸锂、铌酸锂等压电体构成的大致长方体形状的滤波器主体12a、设置于滤波器主体12a的上表面的滤波器功能部(省略图示)、覆盖滤波器功能部的一个以上的罩(省略图示)、覆盖罩的封装部12b、从封装部12b的上表面露出的大致圆形的输入端子12c、输出端子12d和三个接地端子12e，整体形成为大致长方体形状。滤波器功能部，例如具有由串联连接的多个共振子和与其并联连接的多个共振子构成的梯型的结构，各共振子由梳齿状电极和配置于其两侧的反射器构成。
[0032]从图1、图2和图5可知，SAW滤波器12形成为比形成于芯层Ila的收纳部Ilal小的大致长方体形状，详细而言，形成于芯层Ila的收纳部Ilal的横截面形状和深度(相当于芯层Ila的厚度)大于SAW滤波器12的横截面形状和高度，并且，SAff滤波器12收纳于收纳部Ilal内的上侧中央，因此，上述间隙存在于SAW滤波器12的四个侧面侧和下表面侧。即，收纳于收纳部Ilal内的SAW滤波器12通过填充合成树脂Ilb覆盖四个侧面侧和下表面侧，而帮助其固定位置。另外，图2和图5所示的符号VO表示收纳部Ilal的开口边缘。
[0033]从图3可知，在最接近芯层11的上表面的第一导体层Ild的接地配线Ildl形成有4个第一贯通孔lld2，该4个第一贯通孔lld2和与该第一导体层Ild的接地配线Ildl平行投影的上述收纳部Ilal的开口边缘VO的一部分重叠。详细而言，四个第一贯通孔lld2中的三个具有大致相等的宽度和长度，剩余的一个具有与上述三个大致相等的宽度和不同的长度，四个第一贯通孔lld2各自的宽度方向中心形成于与平行投影的上述收纳部Ilal的开口边缘VO的四个边分别大致一致的位置。该四个第一贯通孔lld2各自中填充有例如与第二绝缘体层Ile相同的合成树脂。各第一贯通孔lld2的宽度在例如0.01?1.0mm的范围内，优选在0.05?0.2mm的范围内，各自的长度在例如0.01?5.0mm的范围内，优选为0.1?1.0mm的范围内。
[0034]另外，在第一导体层Ild的接地配线lldl，以分别与SAW滤波器12的输入端子12c和输出端子12d对应的方式形成有大致圆形的两个贯通孔lld3，并且，在两个贯通孔lld3的内侧分别与该各贯通孔lld3不接触地形成有具有圆盘部和柱状部的纵向截面T型的导体孔lld4。两个导体孔lld4的圆盘部的厚度和高度位置与接地配线Ildl相同，一个导体孔lld4的柱状部的下端与SAW滤波器12的输入端子12c连接，另一个导体孔lld4的柱状部的下端与SAW滤波器12的输出端子12d连接。在该两个贯通孔lld3和存在于其内侧的两个导体孔lld4的圆盘部的环状间隙中分别填充有例如与第二绝缘体层lie相同的合成树脂。
[0035]另外，在第一导体层Ild的接地配线Ildl的下表面侧，以与SAW滤波器12的三个接地端子12e分别对应的方式与该接地配线Ildl连接形成有柱状的三个导体孔lld5。三个导体孔lld5的下端分别于SAW滤波器12的三个接地端子12e连接。
[0036]从图4可知，在第二接近于芯层11的上表面的第二导体层Ilf的接地配线11Π，形成有四个第二贯通孔llf2，该四个第二贯通孔llf2分别与平行投影于该第二导体层Ilf的接地配线Ilfl的上述四个第一贯通孔lld2的一部分重叠。详细而言，四个第二贯通孔llf2中的两个具有大致相等的宽度和长度，剩余的两个具有与上述两个大致相等的宽度和不同的长度，四个第二贯通孔llf2分别形成于与平行投影的上述四个第一贯通孔lld2在长度方向上错开的位置。该四个第二贯通孔lld2各自中不填充合成树脂。各第二贯通孔Ilf2的宽度在例如0.0l?1.0mm的范围内，优选在0.05?0.2mm的范围内，各自的长度在例如0.01?5.0mm的范围内，优选在0.1?1.0mm的范围内。
[0037]另外，在第二导体层Ilf的接地配线Ilfl中，以分别与SAW滤波器12的输入端子12c和输出端子12d对应的方式形成有大致圆形的两个贯通孔llf3，并且，在两个贯通孔llf3的内侧分别与该各贯通孔llf3不接触地形成有具有圆盘部和柱状部的纵向截面T型的导体孔llf4。两个导体孔llf4的圆盘部的厚度和高度位置与接地配线Ilfl相同，两个导体孔llf4的下端与形成于第一导体层Ild的接地配线Ildl的两个导体孔lld4的圆盘部的上表面分别连接。在该两个贯通孔llf3与存在于其内侧的两个导体孔llf4的圆盘部的环状间隙中分别不填充合成树脂。
[0038]从图6可知，在最接近于芯层11的下表面的第三导体层Ilh的接地配线Ilhl形成有四个第一贯通孔I lh2，该四个第一贯通孔I lh2与平行投影于该第三导体层I Ih的接地配线Ilhl的上述收纳部Ilal的开口边缘VO的一部分重叠。详细而言，四个第一贯通孔llh2中的两个具有大致相等的宽度和长度，剩余的两个具有与上述两个大致相等的宽度和不同的长度，四个第一贯通孔llh2各自的宽度方向中心形成于与平行投影的上述收纳部Ilal的开口边缘VO的四个边分别大致一致的位置。该四个第一贯通孔llh2各自中填充有例如与第四绝缘体层Ili相同的合成树脂。各第一贯通孔llh2的宽度在例如0.01?1.0mm的范围内，优选在0.05?0.2mm的范围内，各自的长度在例如0.01?5.0mm的范围内，优选为0.1?1.0mm的范围内。
[0039]根据图7可知，在第二接近于芯层11的下表面的第四导体层Ilj的接地配线11 jl，形成有四个第二贯通孔11 j2，该四个第二贯通孔11 j2的一部分或大致全部分别与平行投影于该第四导体层Ilj的接地配线Iljl的上述四个第一贯通孔llh2重叠。详细而言，四个第二贯通孔llj2中的两个具有大致相等的宽度和长度，剩余的两个具有与上述两个大致相等的宽度和不同的长度，四个第二贯通孔llj2中的三个形成于与平行投影的上述四个第一贯通孔llh2中的三个在长度方向上错开的位置，四个第二贯通孔llj2中的一个形成于其长度方向中心与平行投影的上述四个第一贯通孔llh2中的一个的长度方向中心大致一致的位置。该四个第二贯通孔11 j2各自中不填充合成树脂。各第二贯通孔11J2的宽度在例如0.01?1.0mm的范围内，优选在0.05?0.2mm的范围内，各自的长度在例如
0.01?5.0mm的范围内，优选在0.1?1.0mm的范围内。
[0040]以下，说明通过图1?图7所示的电子部件内置基板得到的效果。
[0041]在上述电子部件内置基板中，一般通过回流焊接法安装有各种电子部件。填充合成树脂Ilb和由合成树脂构成的各绝缘体层llc、lle、llg和lli，特别是体积大的填充合成树脂Ilb中，与各绝缘体层llc、lle、llg和Ili相比，含有大量的水分，因此，由于回流焊接时的热，产生填充合成树脂Ilb中所含的水分蒸发从而蒸气逃出到外部这样的现象，详细而言，产生填充合成树脂Ilb中产生的蒸气沿着收纳部Ilal的内壁向上方和下方移动这样的现象。[0042](效果I)采用上述电子部件内置基板，由于在最接近芯层11的上表面的第一导体层Ild的接地配线lldl，形成有四个第一贯通孔lld2，该四个第一贯通孔lld2与平行投影于该第一导体层Ild的接地配线Ildl的上述收纳部Ilal的开口边缘VO的一部分重叠，因此，能够将沿收纳部I Ial的内部向上方移动的蒸气的大部分通过第一绝缘体层I Ic和四个第一贯通孔lld2顺利地导向第二绝缘体层lie。同样地，由于在最接近芯层11的下表面的第三导体层Ilh的接地配线llhl，形成有四个第一贯通孔llh2，该四个第一贯通孔llh2与平行投影于该第三导体层Ilh的接地配线Ilhl的上述收纳部Ilal的开口边缘VO的一部分重叠，因此，能够将沿收纳部Ilal的内部向下方移动的蒸气的大部分通过第三绝缘体层Ilg和四个第一贯通孔llh2顺利地导向第四绝缘体层lli。
[0043]S卩，与将在填充合成树脂Ilb产生的蒸气被导向最接近芯层Ila的第一绝缘体层Ilc和第三绝缘体层Ilg的各自时相比，能够降低该第一绝缘体层Ilc和第三绝缘体层Ilg的各自所受到的蒸气压，因此，能够消除如下的各种担忧:由于该蒸气压在第一绝缘体层Ilc和第三绝缘体层Ilg产生裂痕，在第一绝缘体层Ilc和芯层Ila发生层间剥离，在第三绝缘体层Hg和芯层Ila发生层间剥离，在第一绝缘体层Ilc和第一导体层Ild发生层间剥离，在第三绝缘体层Ilg和第三导体层Ilh发生层间剥离。
[0044](效果2)另外，采用上述电子部件内置基板，由于在第二接近于芯层11的上表面的第二导体层Ilf的接地配线llfl，形成有四个第二贯通孔llf2，该四个第二贯通孔llf2的一部分分别与平行投影于该第二导体层Ilf的接地配线11Π的上述四个第一贯通孔lld2重叠，因此，能够将沿收纳部Ilal的内部向上方移动的蒸气的大部分通过第一绝缘体层11c、四个第一贯通孔lld2 (填充有合成树脂，参照图3)、第二绝缘体层lie和四个第二贯通孔llf2 (未填充合成树脂，参照图4)向外部排出(参照图1上侧所示的排出路径PW)。同样地，由于在第二接近于芯层11的下表面的第四导体层Ilj的接地配线11 jl，形成有四个第二贯通孔11 j2，该四个第二贯通孔11 j2的一部分或大致全部分别与平行投影于该第四导体层Ilj的接地配线Iljl的上述四个第一贯通孔llh2重叠，因此，能够将沿收纳部Ilal的内部向下方移动的蒸气的大部分通过第三绝缘体层Hg、四个第一贯通孔llh2 (填充有合成树脂，参照图6)、第四绝缘体层Ili和四个第二贯通孔11 j2 (未填充合成树脂，参照图7)向外部排出(参照图1下侧所示的排出路径PW)。
[0045]S卩，与将通过四个第一贯通孔lld2和四个第一贯通孔llh2的蒸气的大部分导向第二绝缘体层Ile和第四绝缘体层Ili的各自时相比，能够降低该第二绝缘体层lie和第四绝缘体层Ili所受到的蒸气压，因此，能够消除如下的各种担忧:由于该蒸气压在第二绝缘体层lie和第四绝缘体层Ili产生裂痕，在第二绝缘体层lie和第二导体层Ilf发生层间剥离，在第四绝缘体层Ili和第四导体层Ilj发生层间剥离等。
[0046](效果3)并且，采用上述电子部件内置基板，由于使在第二接近于芯层11的上表面的第二导体层Ilf的接地配线Ilfl所形成的四个第二贯通孔llf2的一部分的形状与平行投影于该第二导体层Ilf的接地配线Ilfl的上述四个第一贯通孔lld2的形状不同，因此，能够基于上述形状差异控制通过了该四个第一贯通孔lld2的蒸气的压力和方向。同样地，由于使在第二接近于芯层11的下表面的第四导体层Ilj的接地配线Iljl所形成的四个第二贯通孔llj2的一部分的形状与平行投影于该第四导体层Ilj的接地配线Iljl的上述四个第一贯通孔llf2的形状不同，因此，能够基于上述形状差异控制通过了该四个第一贯通孔llf2的蒸气的压力和方向。
[0047]S卩，通过四个第二贯通孔llf2和四个第二贯通孔llj2的形状能够控制通过了四个第一贯通孔lld2和四个第一贯通孔llf2的蒸气的压力和方向，因此，能够在考虑安装于电子部件内置基板的各种电子部件的位置的基础上使从四个第二贯通孔llf2和四个第二贯通孔llj2向外部排出的蒸气的流量。
[0048](效果4)并且，采用上述电子部件内置基板，由于SAW滤波器12具有与最接近芯层Ila的上表面的第一导体层Ilf的接地配线Ilf相对的输入端子12c和输出端子12d、和与该第一导体层Ilf的接地配线Hf连接的接地端子12e，在连接平行投影于第一导体层Ilf的接地配线Ilf的输入端子12c和输出端子12d的区域不存在上述第一贯通孔lld2(参照图2和图3)，因此，流过SAW滤波器12的输入端子12c和输出端子12d的电流的回流电流在第一导体层Hf的接地配线Ilf中流通时，也能够使该回流电流的流通路最短，由此，能够避免由于回流电流的流通路变长而产生的阻抗不匹配等的问题，从而良好地维持SAW滤波器12的特性。
[0049]《第二实施方式》
[0050]图8?图10所示的电子部件内置基板与上述第一实施方式中所说明的电子部件内置基板同样，在多层结构的基板11中，作为电子部件内置有SAW滤波器12。该电子部件内置基板中第二导体层Hf的结构与上述第一实施方式中所说明的电子部件内置基板不同。其它结构与上述第一实施方式中所说明的电子部件内置基板相同，因此省略其说明。
[0051]S卩，从图10可知，在第二接近于芯层11的上表面的第二导体层Ilf的接地配线llfl，形成有四个第二贯通孔llf2，该四个第二贯通孔llf2与平行投影于该第二导体层Ilf的接地配线Ilfl的上述四个第一贯通孔lld2接近但不重叠。详细而言，四个第二贯通孔llf2具有与上述第一贯通孔lld2大致相等的宽度和长度，形成于比平行投影的上述第一贯通孔lld2更向外侧错开的位置。该四个第二贯通孔llf2分别未被填充合成树脂。各第二贯通孔llf2的宽度在例如0.01?1.0mm的范围内，优选在0.05?0.2mm的范围内，各自的长度在例如0.01?5.0mm的范围内，优选在0.1?1.0_的范围内。另外，各第二贯通孔llf2与各第一贯通孔lld2接近但不重叠的距离在例如0.01?1.0mm的范围内。
[0052]采用图8?图10所示的电子部件内置基板，图8上侧所示的排出路径PW比图1上侧所示的排出路径PW稍长，但是能够同样地得到上述效果I?4。另外，采用图8?图10所示的电子部件内置基板，由于各第二贯通孔llf2具有与各第一贯通孔lld2接近但不重叠的位置关系，因此，也能够得到进一步提高抑制来自外部的噪音侵入的屏蔽效果的优点。
[0053]《其它实施方式》
[0054](I)上述第一实施方式和第二实施方式中，为了得到“吸湿性比芯层Ila高的填充合成树脂lib”的关系，作为芯层Ila例示了金属制的芯层，但是，在芯层Ila中使用吸湿性比填充合成树脂Ilb低的金属以外的材料、例如使用陶瓷、合成树脂时，也能够得到上述关系，能够同样地得到上述效果I?4。
[0055]对芯层Ila由合成树脂构成的情况进行补充说明，在芯层Ila由与填充合成树脂Ilb以及各绝缘体层llc、lle、llg和Ili不同的合成树脂构成时，作为该合成树脂使用吸湿性比填充合成树脂Ilb低的合成树脂即可。另外，在芯层Ila由与填充合成树脂Ilb以及各绝缘体层llc、lle、llg和Ili相同的合成树脂构成时、或在芯层Ila由与填充合成树脂1lb以及各绝缘体层llc、lle、llg和1l1吸湿性大致相等的不同的合成树脂构成时，使仅在构成芯层的合成树脂中含有玻璃纤维等加强填料从而使其吸湿性比填充合成树脂1lb低、或者使构成芯层的合成树脂中所含有的加强填料的含有率比填充合成树脂1lb中所含有的加强填料的含有率高，从而使其吸湿性比填充合成树脂1lb低即可。
[0056](2)上述第一实施方式和第二实施方式中，作为各第二贯通孔llf2和llj2例示了不填充合成树脂的第二贯通孔，但是，与各第一贯通孔lld2和llh2同样，作为该各第二贯通孔llf2和11 j2使用填充有合成树脂的第二贯通孔，也能够同样地得到上述效果1~4。
[0057](3)上述第一实施方式和第二实施方式中，例示了在第一导体层1ld形成有四个第一贯通孔lld2、在第三导体层1lh形成有四个第一贯通孔llh2的电子部件内置基板，但是，第一贯通孔lld2和llh2的数量可以是1~3个或者5个以上，各自的形状也不限于图示的形状，能够采用圆形、三角形等各种形状，各自的位置也能够适当变更。重要的是，存在与平行投影于第一导体层1ld和第三导体层1lh的至少一方的收纳部1lal的开口边缘VO的至少一部分重叠的一个以上的第一贯通孔即可，能够同样地得到上述效果1。
[0058](4)上述第一实施方式和第二实施方式中，例示了在第二导体层1lf形成有四个第二贯通孔llf2、在第四导体层1lj形成有四个第二贯通孔llj2的电子部件内置基板，但是，与第一贯通孔lld2和llh2同样，第二贯通孔llf2和11 j2的数量可以是1~3个或者5个以上，各自的形状也不限于图示的形状，能够采用圆形、三角形等各种形状，各自的位置也能够适当变更。重要的是，存在与平行投影于第二导体层1lf和第四导体层1lj的至少一方的上述第一贯通孔lld2或上述第一贯通孔llh2的至少一部分重叠的一个以上的第二贯通孔，或者存在与平行投影于第二导体层1lf和第四导体层1lj的至少一方的上述第一贯通孔lld2或上述第一贯通孔llh2接近但不重叠的一个以上的第二贯通孔即可，能够同样地得到上述效果2和效果3。
[0059](5)上述第一实施方式和第二实施方式中，例不了在芯层1la的上表面和下表面设置有两组绝缘体层和导体层的组的电子部件内置基板，但是，该绝缘体层和导体层的组为三组以上时，只要满足上述(3)或(4)的条件，就能够同样地得到上述效果1或上述效果2和3。
[0060](6)上述第一实施方式和第二实施方式中，例不了在芯层1la的收纳部1lal中收纳有SAW滤波器12的电子部件内置基板，但是，也可以代替SAW滤波器12，收纳其它的弹性波滤波器，例如，利用了体声波(Bulk Acoust1c Wave)的BAW滤波器，也可以收纳与SAW滤波器12同样的具有输入端子、输出端子和接地端子的1C芯片等其它的电子部件。重要的是，具有与导体层1ld相对的输入端子及输出端子、和与该导体层1ld连接的接地端子，在连接平行投影于该导体层1ld的电子部件的输入端子和输出端子的区域不存在第一贯通孔即可，能够同样地得到上述效果4。当然，在收纳有不满足上述条件的电容器、电感器、或电阻等其它的电子部件时，也能够同样地得到上述效果1~效果3。
[0061]符号说明
[0062]11...基板、11a...芯层、llal...收纳部、V0...收纳部的开口边缘、l1b...填充合成树脂、11c、l1e、llg、1l1 …绝缘体层、l1d、1lf、llh、1lj …导体层、lldl、1lf 1、llhl、1ljl …接地配线、1ld2、llh2…第一贯通孔、1lf2、llj2…第二贯通孔、12?"SAW滤波器、12c~12e...端子。
【权利要求】
1.一种电子部件内置基板，其特征在于: 在贯通形成于芯层的收纳部内收纳有电子部件，在所述电子部件与所述收纳部的内壁的间隙填充有吸湿性比所述芯层高的合成树脂，在所述芯层的厚度方向的一个面和另一个面设置有两组以上由合成树脂形成的绝缘体层和由金属形成的导体层的组， 在设置于所述芯层的厚度方向的一个面和另一个面的至少一方的两组以上的绝缘体层和导体层的组中最接近所述芯层的导体层中，形成有一个以上的第一贯通孔，该第一贯通孔与平行投影于该最接近的导体层的所述收纳部的开口边缘的至少一部分重叠。
2.如权利要求1所述的电子部件内置基板，其特征在于: 在所述两组以上的绝缘体层和导体层的组中最接近所述芯层的导体层以外的导体层中，形成有一个以上的第二贯通孔，该第二贯通孔与平行投影于该最接近的导体层以外的导体层的所述第一贯通孔至少一部分重叠。
3.如权利要求1所述的电子部件内置基板，其特征在于: 在所述两组以上的绝缘体层和导体层的组中最接近所述芯层的导体层以外的导体层，形成有一个以上的第二贯通孔，该第二贯通孔与平行投影于该最接近的导体层以外的导体层的所述第一贯通孔接近但不重叠。
4.如权利要求2或3所述的电子部件内置基板，其特征在于: 所述第二贯通孔的形状与平行投影于所述最接近的导体层以外的导体层的所述第一贯通孔的形状不同。
5.如权利要求1?4中任一项所述的电子部件内置基板，其特征在于: 所述收纳部形成为大致长方体形状，所述电子部件形成为比该收纳部小的大致长方体形状。
6.如权利要求1?5中任一项所述的电子部件内置基板,其特征在于: 所述电子部件具有与最接近所述芯层的导体层相对的输入端子和输出端子、和连接于该导体层的接地端子，在连接平行投影于最接近所述芯层的导体层的所述电子部件的输入端子和输入端子的区域，不存在所述第一贯通孔。
7.如权利要求1?6中任一项所述的电子部件内置基板，其特征在于: 所述电子部件为弹性波滤波器、IC芯片、电容器、电感器、电阻的任意种。
8.如权利要求1?7中任一项所述的电子部件内置基板，其特征在于: 所述芯层由金属形成。
9.如权利要求1?8中任一项所述的电子部件内置基板，其特征在于: 所述芯层和吸湿性比所述芯层高的合成树脂由含有加强填料的合成树脂形成，在形成该芯层的合成树脂中所含的加强填料的含有率比吸湿性高于所述芯层的合成树脂中所含的加强填料的含有率高。
【文档编号】H05K1/18GK103813636SQ201310559577
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月11日 优先权日:2012年11月9日
【发明者】猿渡达郎, 杉山裕一, 中村浩, 长沼正树, 佐治哲夫 申请人:太阳诱电株式会社