氧化铝单晶生长炉的铜环结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，包含由两组半环部件构成的铜环主体、分别开设在每组半环部件表面的槽体、分别插入每组半环部件内并与所述槽体相连的长中空导电棒和短中空导电棒；所述长中空导电棒的两端和所述短中空导电棒的两端为不封闭的；所述长中空导电棒通过所述槽体与所述短中空导电棒导通。同现有技术相比，冷却介质是通过长中空导电棒进入半环部件的槽体中对半环部件进行冷却，经换热后的冷却介质再由短中空导电棒进行排出。由于铜环两端与导电棒连接处采用圆弧过渡，所以在不影响铜环导电性能和载流量的前提下，极大的减小了铜环的体积和散热面积，进而降低了设备的功耗。
【专利说明】氧化铝单晶生长炉的铜环结构【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种氧化铝单晶生长炉，特别涉及一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构。
【背景技术】
[0002]半导体照明亦称固态照明，具有耗电量少、寿命长、可控性强等特点，目前产品光效已超过传统光源，价格快速下降，正在成为照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。在全球能源危机、环保要求不断提高的情况下，低功耗、长寿命的半导体照明已被世界公认为一种节能环保的重要途径。面对半导体照明产业巨大的市场空间与节能潜力，很多发达国家都将半导体照明列为战略性高技术产业。从全球来看，半导体照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。而我国的LED产业起步于20世纪70年代，现已基本形成较为完整的产业链。
[0003]而氧化铝的单晶体作为目前市场上的LED衬底的主要材料，该单晶具有非常稳定的化学性能，良好的机械性能，优良的热传导性和电气绝缘性。由于其具有独特优异的力学、光学性能，适合在恶劣条件下工作，被广泛的应用于各种光学元件和红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料。而且因为它具有与氮化镓类似的结构，是目前实际应用中LED和LD发光二极管半导体最为理想的衬底材料。
[0004]由于氧化铝的单晶体的生长一般都是在氧化铝单晶生长炉内进行的，而目前的氧化铝单晶生长炉主要是由热场，炉体，加热电源及控制系统组成。而铜环是连接加热电源和热场的主要部分，所以铜环必须具有良好的导电性能和足够的载流量。但传统的铜环体积过于庞大，不仅浪费材料而且增大了铜环的散热面积，进而增加了设备的能耗。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，以保证在不影响铜环散热性能和载流量的前提下，可进一步节省铜环的材料，减小铜环的散热面积，降低设备的运行成本。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，包含由两组半环部件构成的铜环主体、分别开设在每组半环部件表面的槽体、分别插入每组半环部件内并与所述槽体相连的长中空导电棒和短中空导电棒；
[0007]所述长中空导电棒的两端和所述短中空导电棒的两端为不封闭的；所述长中空导电棒通过所述槽体与所述短中空导电棒导通。
[0008]本实用新型的实施方式相对于现有技术而言，由于在半环部件上开设有槽体，且半环主体上设置与槽体导通的长中空导电棒和短中空导电棒，并且长中空导电棒和短中空导电棒的两端为不封闭的。具体的说，长中空导电棒和短中空导电棒的两端开有与槽体导通的槽口，所以冷却介质可通过长中空导电棒进入半环部件的槽体中，以便对半环部件进行冷却，经换热后的冷却介质再由短中空导电棒进行排出。另外，由于铜环两端与导电棒连接处采用圆弧过渡结构，所以在不影响铜环导电性能和载流量的前提下，极大的减小铜环的体积和散热面积，进而降低了设备的功耗。
[0009]另外，所述氧化铝单晶生长炉的铜环结构还包含:分别设置在每组半环部件上的封板，所述封板封闭所述半环部件上的槽体。由于在半环部件上设置了封板，通过封板对半环部件上的槽体进行封闭，所以可使得半环部件内形成一个封闭的流道，通过封板可避免冷却介质从槽体中发生泄露。
[0010]进一步的，所述半环部件的两端分别具有一个第一圆弧突起部和一个第二圆弧突起部；所述长中空导电棒插入所述第一圆弧突起部内；所述短中空导电棒插入所述第二圆弧突起部内。由于半环部件的两端分别具有一个第一圆弧突起部和一个第二圆弧突起部，而长中空导电棒和短中空导电棒是分别插设在第一圆弧突起部和第二圆弧突起部上的，所以能在不影响槽体长度保证半环部件有足载流量的前提下，不会给半环部件增加过多的体积和散热面积，有效的控制了铜环材料的使用，从而保证了设备具有较低的运行成本。
[0011]另外，为了满足市场需求，所述槽体的两端分别延伸至所述半环部件的第一圆弧突起部和第二圆弧突起部中；所述槽体的一侧延伸端与插入所述第一圆弧突起部的长中空导电棒相连，另一侧延伸端与插入所述第二圆弧突起部的短中空导电棒相连。由于槽体的两端是分别延伸至半环部件的第一圆弧突起部和第二圆弧突起部中，并且分别与长中空导电棒和短中空导电棒相连，因此保证了冷却介质能够顺利的从长中空导电棒流入槽体后，顺利从短中空导电棒中流出。
[0012]或者，所述第一圆弧突起部内设有连接所述槽体和所述长中空导电棒的第一方槽，所述长中空导电棒通过所述第一方槽与所述槽体导通；所述第二圆弧突起部内设有连接所述槽体和所述短中空导电棒的第二方槽，所述短中空导电棒通过所述第二方槽与所述槽体导通。在装配时，可根据用户的实际使用需求进行选择。
[0013]另外，所述长中空导电棒和所述短中空导电棒分别与所述半环部件采用螺纹连接。由于长中空导电棒和短中空导电棒与半环部件之间是采用螺纹连接，通过螺纹连接可使长中空导电棒、短中空导电棒与半环部件之间连接的牢固性大大增强，防止导电棒在焊接过程中发生变形。
[0014]所述半环部件的上表面对应所述长中空导电棒的外圆，与所述长中空导电棒进行焊接。而所述半环部件的上表面对应所述短中空导电棒的外圆，与所述短中空导电棒进行焊接。由于长中空导电棒和短中空导电棒分别与半环部件的上表面进行焊接，即当长中空导电棒和短中空导电棒通过螺纹与半环部件拧紧后，半环部件的上表面再分别对应两根中空导电棒的外圆与其进行焊接，从而进一步增强了长中空导电棒、短中空导电棒与半环部件连接的牢固性，并且提高了两根中空导电棒与半环部件之间的密封性能，保证其密封效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型第一实施方式的氧化铝单晶生长炉的铜环结构的结构示意图；
[0016]图2为图1的俯视图。
【具体实施方式】[0017]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
[0018]本实用新型的第一实施方式涉及一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，如图1和图2所示，包含由两组半环部件I构成的铜环主体、分别开设在每组半环部件I表面的槽体5、分别插入每组半环部件I内并与槽体5相连的长中空导电棒2和短中空导电棒4。
[0019]其中，在本实施方式中，长中空导电棒2的两端和短中空导电棒4的两端为不封闭的。且长中空导电棒2通过槽体5与短中空导电棒4导通。
[0020]在本实施方式中，由于在半环部件I上开设有槽体5，且半环主体I上设置有与槽体5导通的长中空导电棒2和短中空导电棒4，并且长中空导电棒2和短中空导电棒4的两端为不封闭的，具体的说，长中空导电棒2和短中空导电棒4的两端开有与槽体5导通的槽口，所以冷却介质可通过长中空导电棒2进入半环部件I的槽体5中，以便对半环部件进行冷却，经换热后的冷却介质再由短中空导电棒4进行排出。由于不需要在铜环上额外增加换热的部件，所以能在不影响铜环导电性能和载流量的前提下，极大的减小铜环的体积和散热面积，进而降低了设备的功耗。
[0021]另外，在本实施方式中，氧化铝单晶生长炉的铜环结构还包含:分别设置在每组半环部件I上的封板3，通过封板3来封闭半环部件I上的槽体5。通过封板5使得半环部件I内形成一个封闭的流道，从而避免冷却介质从槽体5中发生泄露。
[0022]另外，值得一提的是，在本实施方式中，半环部件I的两端分别具有一个第一圆弧突起部6和一个第二圆弧突起部7。其中，长中空导电棒2插入第一圆弧突起部6内，而短中空导电棒4插入第二圆弧突起部7内。
[0023]而第一圆弧突起部内设有连接槽体和长中空导电棒的第一方槽8，长中空导电棒2通过第一方槽8与槽体5导通。而第二圆弧突起部7内设有连接槽体5和短中空导电棒4的第二方槽9，短中空导电棒4通过第二方槽9与槽体5导通。从而保证冷却介质能够顺利的从长中空导电棒2流入槽体5后，能够顺利的从短中空导电棒4中流出。
[0024]在本实施方式中，由于半环部件I的两端分别具有一个第一圆弧突起部6和一个第二圆弧突起部7，而长中空导电棒2和短中空导电棒4是分别插设在第一圆弧突起部6和第二圆弧突起部7上的，所以能在不影响槽体5长度保证半环部件I有足载流量的前提下，不会给半环部件I增加过多的体积和散热面积，有效的控制了铜环材料的使用，从而保证了设备具有较低的运行成本。
[0025]本实用新型的第二实施方式涉及一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别在于:在本实施方式中，取消在第一圆弧突起部6和第二圆弧突起部7内方槽的方式，而是将槽体5的两端分别延伸至半环部件I的第一圆弧突起部6和第二圆弧突起部7中，其中槽体5的一端与插入第一圆弧突起部6的长中空导电棒2相连，另一端与插入第二圆弧突起部7的短中空导电棒4相连。由于槽体5的两端是分别延伸至半环部件I的第一圆弧突起部6和第二圆弧突起部7内，并且分别与长中空导电棒2和短中空导电棒4相连，从而保证冷却介质能够顺利的从长中空导电棒2流入槽体5后，顺利从短中空导电棒4中流出。在装配时，可根据用户的实际使用需求进行选择。
[0026]本实用新型的第三实施方式涉及一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，第三实施方式是在第一实施方式的基础上做了进一步改进，主要改进在于:在本实施方式中，长中空导电棒2和短中空导电棒4分别与半环部件I之间采用螺纹连接。通过螺纹连接可使长中空导电棒2、短中空导电棒4与半环部件I之间连接的牢固性大大增加。防止铜环主体在长时间工作过后，长中空导电棒2和短中空导电棒4在半环部件内发生松动，导致冷却介质从内部发生泄露。
[0027]本实用新型的第四实施方式涉及一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，第四实施方式是在第三实施方式的基础上做了进一步改进，主要改进在于:在本实施方式中，半环部件I的上表面分别对应长中空导电棒2和短中空导电棒4的外圆，分别与长中空导电棒2和短中空导电棒4进行焊接。
[0028]具体的说，当长中空导电棒2和短中空导电棒4分别与半环部件I进行螺纹连接后，即长中空导电棒2和短中空导电棒4通过螺纹与半环部件I拧紧后，半环部件I的上表面再分别对应两根中空导电棒的外圆与其进行焊接，从而进一步增强了长中空导电棒、短中空导电棒与半环部件连接的牢固性，并且提高了两根中空导电棒与半环部件之间的密封性能，保证其密封效果。
[0029]本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。
【权利要求】
1.一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构，包含由两组半环部件构成的铜环主体，其特征在于: 所述氧化铝单晶生长炉的铜环结构还包含:分别开设在每组半环部件表面的槽体、分别插入每组半环部件内并与所述槽体相连的长中空导电棒和短中空导电棒； 所述长中空导电棒的两端和所述短中空导电棒的两端为不封闭的；所述长中空导电棒通过所述槽体与所述短中空导电棒导通。
2.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于: 所述氧化铝单晶生长炉的铜环结构还包含:分别设置在每组半环部件上的封板，所述封板封闭所述半环部件上的槽体。
3.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述半环部件的两端分别具有一个第一圆弧突起部和一个第二圆弧突起部； 所述长中空导电棒插入所述第一圆弧突起部内；所述短中空导电棒插入所述第二圆弧关起部内。
4.根据权利要求3所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述槽体的两端分别延伸至所述半环部件的第一圆弧突起部和第二圆弧突起部； 所述槽体的一侧延伸端与插入所述第一圆弧突起部的长中空导电棒相连，另一侧延伸端与插入所述第二圆弧突起部的短中空导电棒相连。
5.根据权利要求3所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述第一圆弧突起部内设有连接所述槽体和所述长中空导电棒的第一方槽，所述长中空导电棒通过所述第一方槽与所述槽体导通； 所述第二圆弧突起部内设有连接所述槽体和所述短中空导电棒的第二方槽，所述短中空导电棒通过所述第二方槽与所述槽体导通。
6.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述长中空导电棒的底部开设有与所述槽体导通第一槽口； 所述短中空导电棒的底部开设有与所述槽体导通的第二槽口。
7.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述长中空导电棒与所述半环部件采用螺纹连接。
8.根据权利要求7所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述半环部件的上表面对应所述长中空导电棒的外圆，与所述长中空导电棒进行焊接。
9.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述短中空导电棒与所述半环部件采用螺纹连接。
10.根据权利要求9所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构，其特征在于:所述半环部件的上表面对应所述短中空导电棒的外圆，与所述短中空导电棒进行焊接。
【文档编号】C30B15/00GK203602751SQ201320654284
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年10月22日 优先权日:2013年10月22日
【发明者】李广敏, 茅陆荣, 李严州, 朱晓龙, 宋瑜 申请人:上海森松化工成套装备有限公司