，然后开启溅射Cr靶4?6秒后停止，制得第X层调制周期TiAl/Cr金属层；完成第一金属亚层的制备；
[0032]在本发明中，制作金属亚层时要关闭氮气。靶材在短时间内进行溅射，有利于膜的沉积。
[0033](C)第一陶瓷亚层的制备
[0034]通入质量纯度为99.999%的氮气，氮气分压为0.06?0.1Pa ；
[0035]通入质量纯度为99.999%的氩气，氩气分压为0.2?0.3Pa ；
[0036]溅射工作气压为0.2?0.3Pa，对基体施加50?200V的负偏压，基体温度为180?2200C ；TiAl靶溅射功率为60?80W，Cr靶溅射功率40?60W ；
[0037]开启溅射TiAl靶10?30秒后停止，然后开启溅射Cr靶4?6秒后停止，制得第一层调制周期TiAlN/CrN陶瓷层；
[0038]继续在开启溅射TiAl靶10?30秒后停止，然后开启溅射Cr靶4?6秒后停止，制得第二层调制周期TiAlN/CrN陶瓷层；
[0039]继续在开启溅射TiAl靶10?30秒后停止，然后开启溅射Cr靶4?6秒后停止，制得第I层调制周期TiAlN/CrN陶瓷层；完成第一陶瓷亚层的制备；
[0040]在本发明中，制作陶瓷亚层时要同时打开氮气和氩气，利用氮气的渗入形成陶瓷膜的沉积。
[0041](D)重复(B)?(C)步骤，直到磁控溅射制膜达到所需厚度，得到金属陶瓷复合结构的纳米多层膜。
[0042]在本发明中，采用短时间溅射-交替沉积进行氮化物陶瓷亚层和金属亚层的沉积，沉积后的金属陶瓷复合结构的纳米多层膜具有膜致密性，其韧性可以改善切削刀具的高速和强力切削的性能，能够防止膜层在高受力条件下的脆性崩裂和剥落。
[0043]实施例1
[0044]参见图4所示，制备陶瓷亚层厚度与金属亚层厚度比例为7: I的金属陶瓷复合结构纳米多层膜。
[0045]选取靶材:分别选取质量百分比纯度为99.9%的TiAl (Al含量45wt%)和质量百分比纯度为99.9%的Cr为靶材，以YG6硬质合金块为基体。
[0046](A)将基体和靶材置于磁控溅射设备的真空室中，对真空室抽真空至本底真空度为 2X KT3Pa ；
[0047](B)第一金属亚层的制备
[0048]通入质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体，氩气分压为0.24Pa(即溅射时的工作气压也是0.24Pa)，溅射气体总流量为20SCCm，对基体施加100V的负偏压，基体温度为1800C ；TiAl靶溅射功率为60W，Cr靶溅射功率40W ；
[0049]开启溅射TiAl靶15秒后停止(沉积厚度在c = 3nm)，然后开启溅射Cr靶4秒后停止(沉积厚度在d = Inm);继续在开启溅射TiAl靶15秒后停止，然后开启溅射Cr靶4秒后停止；……；交替沉积X = 20次，累计沉积厚度达到f = 80nm，则完成第一金属亚层的制备；
[0050](C)第一陶瓷亚层的制备
[0051]通入质量纯度为99.999%的氮气，氮气分压为0.06Pa ；
[0052]通入质量纯度为99.999%的氩气，氩气分压为0.3Pa ；
[0053]溅射工作气压为0.3Pa，对基体施加100V的负偏压，基体温度为180°C ；TiAl靶溅射功率为60W，Cr靶溅射功率40W ；
[0054]开启溅射TiAl靶15秒后停止(沉积厚度在a = 5nm)，然后开启溅射Cr靶4秒后停止(沉积厚度在b = 2nm);继续在开启溅射TiAl靶15秒后停止，然后开启溅射Cr靶4秒后停止；……；交替沉积y = 80次，累计沉积厚度达到e = 560nm，则完成第一陶瓷亚层的制备；
[0055](D)重复⑶?(C)步骤，即交替沉积m = 8次，直到磁控溅射制膜达到所需厚度H = 5120nm，从而得到金属陶瓷复合结构的纳米多层膜。
[0056]参见图4A所示的金属陶瓷复合结构纳米多层膜的TEM照片，图中是对部分层进行的扫描，从图中可知，采用本发明的方法制作的纳米多层膜具有金属亚层、陶瓷亚层结构。图中也观察到膜是较为致密的。
[0057]对实施例1制得的具有8个亚层交替的金属陶瓷复合结构纳米多层膜进行性能测试，薄膜硬度为31GPa，抗氧化温度为970°C，划痕法结合力为60牛顿。
[0058]实施例2
[0059]制备陶瓷亚层厚度与金属亚层厚度比例为3: I的金属陶瓷复合结构纳米多层膜。
[0060]选取靶材:分别选取质量百分比纯度为99.9%的TiAl (Al含量45wt%)和质量百分比纯度为99.9%的Cr为靶材，以YG6硬质合金块为基体。
[0061](A)将基体和靶材置于磁控溅射设备的真空室中，对真空室抽真空至本底真空度为 2X KT3Pa ；
[0062](B)第一金属亚层的制备
[0063]通入质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体，氩气分压为0.3Pa(即溅射时的工作气压也是0.3Pa)，溅射气体总流量为20SCCm，对基体施加120V的负偏压，基体温度为2000C ；TiAl靶溅射功率为80W，Cr靶溅射功率40W ；
[0064]开启溅射TiAl靶30秒后停止(沉积厚度在c = 8nm)，然后开启溅射Cr靶4秒后停止(沉积厚度在d = 2nm);继续在开启溅射TiAl靶30秒后停止，然后开启溅射Cr靶4秒后停止；……；交替沉积X = 5次，累计沉积厚度达到f = 50nm，则完成第一金属亚层的制备；
[0065](C)第一陶瓷亚层的制备
[0066]通入质量纯度为99.999%的氮气，氮气分压为0.1Pa ；
[0067]通入质量纯度为99.999%的氩气，氩气分压为0.3Pa ；
[0068]溅射工作气压为0.3Pa，对基体施加120V的负偏压，基体温度为200°C ；TiAl靶溅射功率为80W，Cr靶溅射功率40W ；
[0069]开启溅射TiAl靶30秒后停止(沉积厚度在a = 15nm)，然后开启溅射Cr靶4秒后停止(沉积厚度在b = 4nm);继续在开启溅射TiAl靶30秒后停止，然后开启溅射Cr靶4秒后停止；……；交替沉积y = 10次，累计沉积厚度达到e = 190nm，则完成第一陶瓷亚层的制备；
[0070](D)重复⑶?(C)步骤，即交替沉积m = 5次，直到磁控溅射制膜达到所需厚度H = 1200nm，从而得到金属陶瓷复合结构的纳米多层膜。
[0071]对实施例2制得的具有5个亚层交替的金属陶瓷复合结构纳米多层膜进行性能测试，薄膜硬度为29GPa，抗氧化温度为915°C，划痕法结合力为100牛顿。
[0072]实施例3
[0073]参见图4所示，制备陶瓷亚层厚度与金属亚层厚度比例为14:1的金属陶瓷复合结构纳米多层膜。
[0074]选取靶材:分别选取质量百分比纯度为99.9%的TiAl (Al含量30wt%)和质量百分比纯度为99.9%的Cr为靶材，以YG6硬质合金块为基体。
[0075](A)将基体和靶材置于磁控溅射设备的真空室中，对真空室抽真空至本底真空度为 2X KT3Pa ；
[0076](B)第一金属亚层的制备
[0077]通入质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体，氩气分压为0.24Pa(即溅射时的工作气压也是0.24Pa)，溅射气体总流量为20SCCm，对基体施加100V的负偏压，基体温度为1800C ；TiAl靶溅射功率为60W，Cr靶溅射功率60W ；
[0078]开启溅射TiAl靶15秒后停止(沉积厚度在c = 2nm)，然后开启溅射Cr靶4秒后停止(沉积厚度在d = 0.5nm);继续在开启溅射TiAl靶15秒后停止，然后开启溅射Cr靶4秒后停止；……;交替沉积X = 10次，累计沉积厚度达到f = 25nm，则完成第一金属亚层的制备；
[0079](C)第一陶瓷亚层