本发明涉及药用植物栽培技术领域，尤其涉及一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法。
背景技术：
种子萌发是植物生活史中的重要阶段，决定着幼苗能否存活以及此后群落的建成。但是在自然环境下，由于甘草种子种皮较厚而抑制发芽，导致甘草种子自然萌发率为10％～20％。此外，甘草栽培区以干旱半干旱地区为主，在甘草种子萌发的敏感阶段极易遭受旱盐胁迫，导致种子难以发芽出苗，甚至出现大面积的烂种烂芽，最终引起产量的下降。西北地区甘草发芽率、幼苗质量低下的问题函需解决。
种子处理的根本目标是减轻植物种子发芽和幼苗生长时环境中的生物和非生物压力。硅是是植物生长发育的有益元素，更是一种环境友好型元素。许多研究表明外源硅能有效改善许多植物在盐胁迫或者干旱胁迫下的生长状况，提高其抗旱耐盐性。综合前人的研究结果，硅提高植物对非生物胁迫的抗性主要归因于两种作用机理：首先，硅从根系运输到地上部分以后沉积在叶片角质层以下，形成一种“角质层-硅”的双分子层，这会形成一个机械障碍防止外界刺激。此外，硅可以调控植物本身的生理生化机制，提高其抗逆性。另外一种作用机制也越来越多的受到重视，在胁迫条件下硅可以作为一种调控因子来调节相关基因的表达从而增强植物对胁迫的抗性。这些机理也是本发明提出的原理和依据所在。因此，提出了一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法，包括如下步骤：
S1、选取籽粒饱满、大小一致的甘草种子，用98％浓H2SO4处理40-50min后，用蒸馏水冲洗3遍，再用0.1％的H2O2消毒8-13min，最后用蒸馏水冲洗；
S2、将S1中处理后的甘草种子置于烧杯中用蒸馏水浸泡10-14h，且在浸泡过程中保持烧杯内的水温度为35-45摄氏度，完成后，备用；
S3、采用PEG-6000和NaCl模拟不同程度的旱盐双重胁迫，本次盐胁迫设置3个水平分别为轻度100mM NaCl(S1)、中度200mM NaCl(S2)和重度300mM NaCl(S3)，每个盐胁迫水平下又设置3个干旱水平，分别为轻度10％PEG(D1)、中度20％PEG(D2)和重度30％PEG(D3)；
S4、根据S4中的旱盐双重胁迫共计9个处理组合，分别为S1D1、S1D2、S1D3，S2D1、S2D2、S2D3，S3D1、S3D2、S3D3，在此基础上，每个处理均分为两组：一组为不加硅处理，另一组为添加一定浓度外源硅；
S5、选取籽粒饱满、整齐一致的已处理过的甘草种子，用滤纸吸干表面水分，且保证甘草种子的含水量不高于百分之二，然后将甘草种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入4-7mL浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中，每皿45-55粒，实验条件为光照/黑暗(10-14/10-14h，26-30℃/18-22℃)，每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定。
S6、实验期间逐日统计种子发芽数，以胚根长＞1mm为标准，实验结束时，测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。
优选的，在S4中加入一定浓度的外源硅。
优选的，所述烧杯、容器在使用前均经过消毒处理，且保证其的含水量不高于百分之五。
本发明与现有技术相比，具有以下优点和效果：
旱盐胁迫对照与加硅处理相比，硅处理显著提高了甘草种子的发芽率、发芽指数及幼苗活力指数，水培发芽模式下，硅处理甘草种子的发芽率、发芽指数、幼苗活力指数与相应浓度旱盐胁迫对照相比分别提高了9.09％-900％、-3.09％-1000％和-30.91％-563.64％。这种提高作用大小因胁迫程度不同而不同，一般在轻度(S1)和中度(S2)盐环境下，随着旱盐双重胁迫程度的加剧，硅的提高作用大小也不断增加；而在重度盐(S3)环境下，对着干旱胁迫程度的加剧，硅的提高作用逐渐降低。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法，包括如下步骤：
S1、选取籽粒饱满、大小一致的甘草种子，用98％浓H2SO4处理40min后，用蒸馏水冲洗3遍，再用0.1％的H2O2消毒8min，最后用蒸馏水冲洗；
S2、将S1中处理后的甘草种子置于烧杯中用蒸馏水浸泡10h，且在浸泡过程中保持烧杯内的水温度为35摄氏度，完成后，备用；
S3、采用PEG-6000和NaCl模拟不同程度的旱盐双重胁迫，本次盐胁迫设置3个水平分别为轻度100mM NaCl(S1)、中度200mM NaCl(S2)和重度300mM NaCl(S3)，每个盐胁迫水平下又设置3个干旱水平，分别为轻度10％PEG(D1)、中度20％PEG(D2)和重度30％PEG(D3)；
S4、根据S4中的旱盐双重胁迫共计9个处理组合，分别为S1D1、S1D2、S1D3，S2D1、S2D2、S2D3，S3D1、S3D2、S3D3，在此基础上，每个处理均分为两组：一组为不加硅处理，另一组为添加一定浓度外源硅；
S5、选取籽粒饱满、整齐一致的已处理过的甘草种子，用滤纸吸干表面水分，且保证甘草种子的含水量不高于百分之二，然后将甘草种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入4mL浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中，每皿45粒，实验条件为光照/黑暗(10/10h，26℃/18℃)，每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定。
S6、实验期间逐日统计种子发芽数，以胚根长＞1mm为标准，实验结束时，测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。
在S4中加入一定浓度的外源硅。
烧杯、容器在使用前均经过消毒处理，且保证其的含水量不高于百分之五。
与正常处理组相比，不同程度的旱盐胁迫均对甘草种子的发芽和生长特性有一定的抑制作用。表1为不同处理下甘草种子的发芽特性和幼苗活力指数，可以看出，硅处理对甘草种子在旱盐条件下的发芽率、发芽指数和幼苗活力指数均有明显的提高作用，提高幅度分别为9.09％-900％不等。
表1
实施例2
一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法，包括如下步骤：
S1、选取籽粒饱满、大小一致的甘草种子，用98％浓H2SO4处理43min后，用蒸馏水冲洗3遍，再用0.1％的H2O2消毒10min，最后用蒸馏水冲洗；
S2、将S1中处理后的甘草种子置于烧杯中用蒸馏水浸泡11h，且在浸泡过程中保持烧杯内的水温度为38摄氏度，完成后，备用；
S3、采用PEG-6000和NaCl模拟不同程度的旱盐双重胁迫，本次盐胁迫设置3个水平分别为轻度100mM NaCl(S1)、中度200mM NaCl(S2)和重度300mM NaCl(S3)，每个盐胁迫水平下又设置3个干旱水平，分别为轻度10％PEG(D1)、中度20％PEG(D2)和重度30％PEG(D3)；
S4、根据S4中的旱盐双重胁迫共计9个处理组合，分别为S1D1、S1D2、S1D3，S2D1、S2D2、S2D3，S3D1、S3D2、S3D3，在此基础上，每个处理均分为两组：一组为不加硅处理，另一组为添加一定浓度外源硅；
S4、选取籽粒饱满、整齐一致的已处理过的甘草种子，用滤纸吸干表面水分，且保证甘草种子的含水量不高于百分之二，然后将甘草种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入5mL浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中，每皿48粒，实验条件为光照/黑暗(11/11h，27℃/19℃)，每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定。
S6、实验期间逐日统计种子发芽数，以胚根长＞1mm为标准，实验结束时，测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。
在S4中加入一定浓度的外源硅。
烧杯、容器在使用前均经过消毒处理，且保证其的含水量不高于百分之五。
与正常处理组相比，不同程度的旱盐胁迫均对甘草种子的发芽和生长特性有一定的抑制作用。表2为不同处理下甘草种子的发芽特性和幼苗活力指数，可以看出，硅处理对甘草种子在旱盐条件下的发芽率、发芽指数和幼苗活力指数均有明显的提高作用，提高幅度分别为-3.09％-1000％不等。
表2
实施例3
一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法，包括如下步骤：
S1、选取籽粒饱满、大小一致的甘草种子，用98％浓H2SO4处理48min后，用蒸馏水冲洗3遍，再用0.1％的H2O2消毒12min，最后用蒸馏水冲洗；
S2、将S1中处理后的甘草种子置于烧杯中用蒸馏水浸泡10-14h，且在浸泡过程中保持烧杯内的水温度为42摄氏度，完成后，备用；
S3、采用PEG-6000和NaCl模拟不同程度的旱盐双重胁迫，本次盐胁迫设置3个水平分别为轻度100mM NaCl(S1)、中度200mM NaCl(S2)和重度300mM NaCl(S3)，每个盐胁迫水平下又设置3个干旱水平，分别为轻度10％PEG(D1)、中度20％PEG(D2)和重度30％PEG(D3)；
S4、根据S4中的旱盐双重胁迫共计9个处理组合，分别为S1D1、S1D2、S1D3，S2D1、S2D2、S2D3，S3D1、S3D2、S3D3，在此基础上，每个处理均分为两组：一组为不加硅处理，另一组为添加一定浓度外源硅；
S5、选取籽粒饱满、整齐一致的已处理过的甘草种子，用滤纸吸干表面水分，且保证甘草种子的含水量不高于百分之二，然后将甘草种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入6mL浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中，每皿52粒，实验条件为光照/黑暗(13/13h，29℃/21℃)，每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定。
S6、实验期间逐日统计种子发芽数，以胚根长＞1mm为标准，实验结束时，测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。
在S4中加入一定浓度的外源硅。
烧杯、容器在使用前均经过消毒处理，且保证其的含水量不高于百分之五。
与正常处理组相比，不同程度的旱盐胁迫均对甘草种子的发芽和生长特性有一定的抑制作用。表3为不同处理下甘草种子的发芽特性和幼苗活力指数，可以看出，硅处理对甘草种子在旱盐条件下的发芽率、发芽指数和幼苗活力指数均有明显的提高作用，提高幅度分别为-30.91％-563.64％不等。
表3
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。