专利名称：使用用于去除导电材料的组合物制造阵列基板的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于去除导电材料的组合物。更具体地，本发明涉及一种用于去除所有的铝、钥和铟锡氧化物的组合物、以及ー种使用该组合物制造阵列基板的方法。
背景技术：
液晶显示装置广泛用作平面显示装置。液晶显示(IXD)装置包括上基板、下基板以及插设在它们之间的液晶层。分别在上基板和下基板上形成电极。当向所述电极施加电压时，在这些电极之间引起电场。液晶层的液晶分子根据该电场而重新排列，从而通过液晶分子控制透光率。图I是根据现有技术的用于IXD装置的阵列基板的剖面图。如图I所示，通过淀积第一金属层并然后通过第一掩模エ艺对其构图，而在透明基板12上形成栅极14。第一金属层可以包括导电金属材料，例如铝(Al)、铝合金(例如 AINd)、钥(Mo)、钨(W)或铬(Cr)。还可以包括具有低电阻率的铝合金，例如AINd。栅极14 还可以具有双层结构，如所示包括铝合金(例如AlNd)和钥(Mo)。尽管未示出，在第一掩模 エ艺中，在第一金属层上形成光刻胶(PR)层。PR层可以是其中在显影之后去除了被曝光的部分的正型PR，或者是其中在显影之后去除了未被曝光的部分的负型PR。在PR层之上布置包括透光部分和阻光部分的掩模。通过该掩模使PR层曝光，然后使其显影以形成选择地使第一金属层露出的PR图案。可以使用PR图案作为蚀刻掩模通过蚀刻剂对第一金属层进行湿式蚀刻或干式蚀刻，而形成栅极14。接着，通过例如灰化工艺或剥离エ艺的エ艺去除 PR图案。在其上包括栅极14的基板12上形成栅绝缘层16。栅绝缘层16可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)或ニ氧化硅(SiO2)。通过淀积本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二金属层，然后通过第二掩模エ艺对它们进行构图，而在栅绝缘层16上形成有源层18、欧姆接触层20以及源极22a和漏极22b。 第二金属层可以包括钥(Mo)。在第二掩模エ艺中，在第二金属层上形成PR层，在PR层之上布置掩模。通过该掩模使PR层曝光，然后使其显影以形成选择地露出第二金属层的PR 图案。可以通过蚀刻剂对第二金属层进行湿式蚀刻或干式蚀刻。可以顺序地对掺杂非晶硅层和本征非晶硅层进行干式蚀刻，从而形成有源层18、欧姆接触层20以及源极22a和漏极 22b。这里，蚀刻剂可以是包括过氧化氢(H2O2)的溶液。接着，通过例如灰化工艺或剥离エ 艺的エ艺去除PR图案。通过涂覆透明的有机绝缘材料(例如，苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂)或者淀积无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或ニ氧化硅(SiO2)),而在包括有源层18、欧姆接触层20以及源极22a和漏极22b的基板12上形成钝化层24。通过第三掩模ェ艺对钝化层24进行构图，从而形成使漏极22b的一部分露出的接触孔26。可以通过淀积透明的导电材料(例如，铟锡氧化物(ITO))然后通过第四掩模エ艺对其进行构图，而在钝化层24上形成像素电极28。像素电极28通过接触孔26与漏极22b 接触。与第一和第二掩模エ艺类似，第四掩模エ艺可以包括湿式蚀刻エ艺或干式蚀刻エ艺。 在第四掩模エ艺中，可以使用王水或草酸作为用于形成像素电极28的蚀刻剂。如前所述，可以通过四掩模エ艺制成用于液晶显示装置的阵列基板。因为在用于形成例如栅极14、源极22a和漏极22b、以及像素电极28的金属图案的各掩模エ艺中使用不同类型的蚀刻剂，所以需要不同的设备。因此，降低了生产率，并增加了设备成本。
发明内容
因此，本发明旨在一种用于去除导电材料的组合物以及使用该组合物制造阵列基板的方法，其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点而导致的ー个或更多个问题。本发明的优点在于，所提供的用于去除导电材料的组合物以及使用该组合物制造阵列基板的方法可以减少制造成本并增加生产率。本发明的附加特征和优点将在下面的描述中阐明，部分地将在所述描述中显而易见，或者从本发明的实施将得知。通过在所写说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的组合物和方法，将实现和获得本发明的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点井根据本发明的目的，如所实施和广泛描述的，ー种用于去除导电材料的组合物，包括大约3wt%至15wt% (重量百分比)的硝酸；大约40wt% 至70wt %的磷酸；大约5wt %至35wt %的醋酸；大约0. 05wt %至5wt %的氯化物；大约
0.01wt%至5wt%的氯稳定剂；大约0. 01wt%至5wt%的pH稳定剂；以及剩余量的水。在本发明的另一方面中，ー种使用用于去除导电材料的组合物制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法，该组合物包括大约3wt%至15wt%的硝酸、大约40wt%至70wt% 的磷酸、大约5wt*%至35wt*%的醋酸、大约0. 05wt*%至5wt*%的氯化物、大约0. Olwt %至 5wt%的氯稳定剂、大约0. 01wt%至5wt%的pH稳定剂、以及剩余量的水,该方法包括以下步骤通过使用所述组合物蚀刻第一金属层而在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；通过使用所述组合物蚀刻第二金属层而在所述半导体层上形成源极和漏扱；在所述源极和漏极上形成钝化层，该钝化层具有使所述漏极露出的接触孔；以及通过使用所述组合物蚀刻第三金属层而在所述钝化层上形成像素电极。应理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并旨在提供对所要求的本发明的进ー步说明。
所包括的附图用以进一歩理解本发明，并入附图构成本说明的一部分，附图显示了本发明的实施例并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中图I是根据现有技术用于液晶显示(IXD)装置的阵列基板的剖面图；图2是根据本发明的示例性实施例用于LCD装置的阵列基板的剖面图；图3A是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据本发明示例性实施例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥和铝合金的双层的剖面；
图3B是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据本发明示例性实施例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥层的剖面；图3C是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据本发明示例性实施例通过蚀刻剂湿式蚀刻铟锡氧化物层的剖面；图4A是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第一对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥和铝合金的双层的剖面；图4B是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第一对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥层的剖面；图5A是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第二对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥和铝合金的双层的剖面；图5B是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第二对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥层的剖面；图6是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第三对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥和铝合金的双层的剖面；图7是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第四对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥和铝合金的双层的剖面；图8是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第五对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻铟锡氧化物层的剖面；以及图9是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第六对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻钥和铝合金的双层的剖面。
具体实施例方式下面将详细说明本发明的示例性实施例，在附图中示出了其示例。图2是根据本发明示例性实施例用于LCD装置的阵列基板的剖面图。如图2所示，通过淀积第一金属层并随后通过第一掩模エ艺对其构图，而在透明基板112上形成栅极114。第一金属层可以具有单层结构，或者铝合金(例如AlNd)或钥 (Mo)的双层结构。在第一掩模エ艺中，尽管未示出，但通过涂覆光刻胶(PR)层而在第一金属层上形成PR层。PR层可以是其中在显影之后去除了被曝光的部分的正型PR，或者是其中在显影之后去除了未被曝光的部分的负型PR。在PR层之上布置包括透光部分和阻光部分的掩模。通过该掩模使PR层曝光，然后使其显影以形成选择地使第一金属层露出的PR 图案。可以使用PR图案作为蚀刻掩模通过第一蚀刻剂对第一金属层进行湿式蚀刻，因而形成栅极114。第一蚀刻剂可以包括大约3wt%至15wt%的硝酸、大约40wt%至70wt%的磷酸、以及大约5wt%至35wt%的醋酸作为主要组分。第一蚀刻剂还可以包括大约0. 05wt% 至5wt*%的氯化物、大约0. 01wt*%至5wt*%的氯稳定剂、大约0. 01wt*%至5wt*%的pH稳定剂、以及剰余量的水。接着，通过例如灰化工艺或剥离エ艺的エ艺去除PR图案。可以在大约30至50摄氏度的温度下进行蚀刻エ艺。蚀刻エ艺的持续时间取决于第一金属层的厚度和材料类型，即单层或双层结构。通过淀积例如氮化硅(SiNx)或ニ氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，而在其上包括栅极114的基板112上形成栅绝缘层116。
通过淀积本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二金属层，然后通过第二掩模エ艺对它们进行构图，而在栅绝缘层116上形成有源层118、欧姆接触层120以及源极122a和漏极122b。第二金属层可以包括钥(Mo)或铝合金。在第二掩模エ艺中，在第二金属层上形成 PR层，在PR层之上布置掩模。通过该掩模使PR层曝光，然后使其显影以形成选择地使第二金属层露出的PR图案。可以通过第二蚀刻剂对第二金属层进行湿式蚀刻，并且可以顺序地对掺杂非晶硅层和本征非晶硅层进行干式蚀刻，从而形成有源层118、欧姆接触层120以及源极122a和漏极122b。为了去除掺杂非晶硅层以形成沟道区，PR图案可以具有两个厚度。 可以通过使用具有半色调(half tone)部分的掩模或者具有狭缝部分的掩模形成PR图案中的两个厚度。第二蚀刻剂可以包括与第一蚀刻剂相同的组分。然后，通过例如灰化工艺或剥离エ艺的エ艺去除PR图案。可以在大约30至50摄氏度的温度下进行蚀刻エ艺。蚀刻エ艺的持续时间取决于第二金属层的厚度和材料类型。通过涂覆透明的有机绝缘材料(例如，苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂)或者淀积无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)),而在包括有源层118、欧姆接触层 120以及源极122a和漏极122b的基板112上形成钝化层124。通过第三掩模エ艺对钝化层124进行构图，从而形成使漏极122b的一部分露出的接触孔126。可以通过淀积透明的导电材料(例如，铟锡氧化物(ITO))然后通过第四掩模エ艺对其进行构图，而在钝化层124上形成像素电极128。像素电极128通过接触孔126与漏极 122b接触。第四掩模エ艺使用第三蚀刻剂，并包括与第一和第二掩模エ艺类似的湿式蚀刻 エ艺。第三蚀刻剂可以包括与第一蚀刻剂和第二蚀刻剂相同的组分。然后，通过例如灰化 エ艺或剥离エ艺的エ艺去除用于形成像素电极128的剰余的PR图案。可以在大约30至50摄氏度的温度下进行蚀刻エ艺。蚀刻エ艺的持续时间取决于透明导电材料的厚度。在本发明中，因为在用于形成例如栅极114、源极122a和漏极122b、以及像素电极128的金属图案的各个不同掩模エ艺中使用单种蚀刻剂，所以在制造用于液晶显示装置的阵列基板时易于管理蚀刻剂。另外，由于使用了单种湿浴(wet bath)而可以降低制造成本，并增加了生产率。同时，尽管通过四掩模エ艺制造上述阵列基板，但是也可以改变掩模エ艺的数量。如上所述，根据本发明示例性实施例的蚀刻剂去除了所有的铝(Al)、钥(Mo)和铟锡氧化物(ITO)。蚀刻剂可以包括大约3wt%至15wt%的硝酸、大约40wt%至70wt%的磷酸、以及大约5wt%至35wt%的醋酸作为主要组分。蚀刻剂还可以包括大约0. 05wt%至 5wt%的氯化物、大约0. 01wt%至5wt%的氯稳定剂、大约0. 01wt%至5wt%的pH稳定剂、 以及剩余量的水。硝酸作用于铝上以形成氧化铝(Al2O3)。当硝酸含量在大约3wt%至15wt%的范围内时，硝酸有效地控制了双层的上钥(Mo)层和下铝合金层的蚀刻选择率。铝合金可以是 AINd。然而，当硝酸的含量少于3￥セ％时，会过蚀刻双层中的例如AlNd的下铝合金，从而会出现底切现象。可能因电化腐蚀而导致底切现象。可能由于不相似的金属材料在水溶液中电连接时的局部电池或原电池而出现电化腐蚀。更具体地，金属材料采取不同的腐蚀电势。 例如Al (E = -I. 66V)的基底材料用作阳极并趋于经历加速腐蚀，同时例如Mo (E = -0. 20V)的贵材料用作阴极并趋于经历减小的腐蚀效果。因此，出现电化腐蚀。由于电化腐蚀而不能均匀地形成用于栅极的图案。这样，这些图案导致诸如难以显示高分辨率和清晰彩色图像的问题。磷酸使氧化铝(Al2O3)分解。当磷酸的含量在大约40wt%至70wt%的范围内时， 可以由硝酸与铝之间反应形成的氧化铝(Al2O3)被适当地溶解，从而快速蚀刻栅极的下铝层。因此,增加了蚀刻速率,并因而增加了生产率。醋酸用作控制反应速率的缓冲剂。当醋酸的含量在大约5wt%至35wt%的范围内时,通过适当地调节反应速率,而增加蚀刻速率,并增加了生产率。然而，当醋酸的含量少于大约5 1:%时,可能在钥(Mo)和招合金(可以是AlNd)的双层中出现底切现象。氯化物可以分离出CF1 并包括 KCl，HCl，LiCl，NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, H2PtCl6 和 CrCl3 中的至少ー种。当氯化物的含量在大约0. 05wt%至5wt%的范围内时，氯化物控制铟锡氧化物 (ITO)、钥(Mo)、以及钥(Mo)和铝合金(可以是AlNd)的双层的蚀刻速率。另外，在双层的下铝合金层中没有底切现象，从而铟锡氧化物(ITO)和钥(Mo)的图案具有良好轮廓。氯稳定剂包括Zn化合物、Cd化合物、Pb化合物、Ba化合物和油酸(oleic acid)。 Zn 化合物包括 ZnCl2, Zn (NO3)2, Zn (CH3COO)2, Zn (C17H35COO)2, C2H2O4Zn, Zn3(PO4)2 和 Zn (CO3) 中的至少ー种。Cd化合物包括Cd (CH3COO) 2，CdCl2, CdI2, Cd (NO3) 2和Cd (CO3)中的至少ー种。 Pb 化合物包括 Pb (CH3COO) 2，C12H10O14Pb3, PbI4, Pb (NO3) 2 和 Pb (C17H35COO) 2 中的至少ー种。Ba 化合物包括 Ba(CH3COO)2, BaCO3, BaCl2, BaI2, Ba(NO3)2 和 Ba(H2PO4)2 中的至少ー种。当氯稳定剂的含量在大约0. Olwt %至5wt%的范围内吋，氯稳定剂调节铟锡氧化物(ITO)的蚀刻速率，以使得铟锡氧化物图案的轮廓具有小于约60度的倾角。另外，氯稳定剂延长了蚀刻剂的寿命从而增加了エ艺裕度。pH稳定剂为可以分离出OH-的基本化合物。pH稳定剂包括NaOH，KOH, LiOH, Ca (OH2)，Al (OH) 3，Mg (OH)2, Ba (OH)2, Co (OH)2, Cu (OH)2, Ni (OH)2, Zr (OH) 2 和 Zn (OH2)中的至少ー种。当pH稳定剂的含量在大约0.01wt%至5wt%的范围内吋，pH稳定剂控制钥(Mo) 以及钥(Mo)和铝合金(例如，AlNd)的双层的蚀刻速率，从而从双层中的下铝合金层中没有底切现象。另外，铟锡氧化物(ITO)和钥(Mo)的图案由于pH稳定剂而具有良好的轮廓。剰余量的水使因硝酸和铝之间的反应形成的氧化铝(Al2O3)分解，并稀释蚀刻组合物。有利地，所述水可以是通过离子交換树脂过滤的纯水。更具体地，水可以是电阻率大于18MQ cm的去离子水。图3A是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据本发明示例性实施例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于栅极的钥(Mo)和铝合金AlNd的双层的剖面。图3B是SEM图像，示出了根据本发明示例性实施例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于源极和漏极的钥(Mo)层的剖面。图3C是 SEM图像，示出了根据本发明示例性实施例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于像素电极的铟锡氧化物(ITO)层的剖面。显示了 PR图案。蚀刻剂可以包括大约8wt%的硝酸、大约60wt%的磷酸、以及大约16wt%的醋酸。另外,蚀刻剂可以包括大约lwt%的氯化物、大约lwt%的氯稳定剂、大约Iwt %的pH稳定剂、以及大约13wt%的水。在图3A中，钥(Mo)和铝合金AlNd的双层具有没有底切的轮廓。在图3B中，钥 (Mo)层的轮廓以大约45至70度的倾角呈锥形。在图3C中，铟锡氧化物(ITO)层的轮廓以大约30至60度的倾角呈锥形。即，当形成栅极、源极和漏扱、以及像素电极时，这些电极具有以大约40至70度的角倾斜的良好轮廓。这样，可以没有问题地制造阵列基板。蚀刻剂的组分可以具有在上述范围内的可变含量，在这些范围中，可以获得与图 3A至图3C相同的結果。下面将參照
对比例。在第一对比例中，蚀刻剂包括大约8wt%的硝酸、大约38wt%的磷酸、大约16wt% 的醋酸、大约lwt%的氯化物、大约lwt%的氯稳定剂、大约lwt%的pH稳定剂、以及大约 35wt %的水。即，在第一对比例中，磷酸的含量与本发明示例性实施例中的不同，小于大约 40wt % o图4A是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第一对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于栅极的钥(Mo)和铝合金AlNd的双层的剖面。图4B是SEM图像，示出了根据第一对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于源极和漏极的钥(Mo)层的剖面。在图4A中，双层中的铝合金(AlNd)被过蚀刻，从而有底切现象。因而，当磷酸的含量少于40wt%时，出现底切现象。在图4B中，钥(Mo)层具有急剧倾斜的不良轮廓。当在源极和漏极上形成钝化层时，不能均匀地形成钝化层并且其可能被切割。在第二对比例中，蚀刻剂包括大约2wt%的硝酸、大约60wt%的磷酸、大约16wt% 的醋酸、大约lwt%的氯化物、大约lwt%的氯稳定剂、大约lwt%的pH稳定剂、以及大约 19wt%的水。即，在第二对比例中，硝酸的含量与本发明示例性实施例中的不同，其小于大约 3wt %。图5A是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第二对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于栅极的钥(Mo)和铝合金AlNd的双层的剖面。图5B是SEM图像，示出了根据第二对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于源极和漏极的钥(Mo)层的剖面。在图5A中，双层中的铝合金(AlNd)被过蚀刻，从而有底切现象。这样，当硝酸的含量少于3wt%时，出现底切现象。在图5B中，钥(Mo)层具有急剧倾斜的不良轮廓。在第三对比例中，蚀刻剂包括大约8wt%的硝酸、大约60wt%的磷酸、大约4wt% 的醋酸、大约Iwt %的氯化物、大约Iwt %的氯稳定剂、大约Iwt %的pH稳定剂、以及大约 25wt%的水。即，在第三对比例中，醋酸的含量与本发明示例性实施例中的不同，其小于大约 5wt %。图6是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第三对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于栅极的钥(Mo)和铝合金AlNd的双层的剖面。在图6中，双层中的铝合金(AlNd)被过蚀刻，从而有底切现象。这样，当醋酸的含量少于5wt%吋，出现底切现象。在第四对比例中，蚀刻剂包括大约8wt%的硝酸、大约60wt%的磷酸、大约16wt% 的醋酸、大约7wt%的氯化物、大约lwt%的氯稳定剂、大约lwt%的pH稳定剂、以及大约 7wt%的水。即，在第四对比例中，氯化物的含量与本发明示例性实施例中的不同，其大于大约 5wt %。图7是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第四对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于栅极的钥(Mo)和铝合金AlNd的双层的剖面。在图7中，双层中的铝合金(AlNd)被过蚀刻，从而有底切现象。这样，当氯化物的含量大于5wt%时，出现底切现象。因此，在随后ェ艺中会形成不良图案。
在第五对比例中，蚀刻剂包括大约8wt%的硝酸、大约60wt%的磷酸、大约16wt% 的醋酸、大约lwt%的氯化物、大约7wt%的氯稳定剂、大约lwt%的pH稳定剂、以及大约 7wt%的水。即，在第五对比例中，氯稳定剂的含量与本发明示例性实施例中的不同，其大于大约5wt% o图8是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第五对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于像素电极的铟锡氧化物(ITO)层的剖面。在图8中，減少了铟锡氧化物(ITO)的蚀刻速率，有未被完全去除因而留下的铟锡氧化物残余物。这样，当氯稳定剂的含量大于5wt%吋，留下了铟锡氧化物残余物。在第六对比例中，蚀刻剂包括大约8wt%的硝酸、大约60wt%的磷酸、大约16wt% 的醋酸、大约lwt%的氯化物、大约lwt%的氯稳定剂、大约7wt%的pH稳定剂、以及大约 7wt%的水。即，在第六对比例中，pH稳定剂的含量与本发明示例性实施例中的不同，其大于大约5wt*%。图9是扫描电子显微(SEM)图像，示出了根据第六对比例通过蚀刻剂湿式蚀刻用于栅极的钥(Mo)和铝合金AlNd的双层的剖面。在图9中，在钥(Mo)和铝合金AlNd的双层中出现底切现象。因而，当pH稳定剂的含量大于5 1:%时，出现底切现象。在本发明中，由于通过单种蚀刻剂形成金属图案，因此由于使用了单种湿浴而降低了制造成本，从而增加了生产率。对于本领域技术人员来说，显而易见的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明作出各种修改和变型。因而，本发明g在覆盖落在所附权利要求及其等价物范围内的本发明的这些修改和变型。本申请要求于2005年6月28日提交的韩国专利申请No. 10-2005-0056493的优先权，为此通过引用将其并入在本文中，如同其完全在本文阐述了一祥。
权利要求
1.ー种使用用于去除导电材料的组合物制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法， 该组合物包括3wt %至15wt %的硝酸、40wt %至70wt %的磷酸、5wt %至35wt %的醋酸、 0. 05wt*%至5wt*%的氯化物、0. 01wt*%至5wt*%的氯稳定剂、0. 01wt*%至5wt*%的pH稳定剂、 以及剩余量的水，该方法包括以下步骤通过使用所述组合物蚀刻第一金属层而在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；通过使用所述组合物蚀刻第二金属层而在所述半导体层上形成源极和漏扱；在所述源极和漏极上形成钝化层，该钝化层具有使所述漏极露出的接触孔；以及通过使用所述组合物蚀刻第三金属层而在所述钝化层上形成像素电极。
2.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一金属层是铝合金或钥的单层。
3.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一金属层包括铝合金和钥的双层。
4.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第二金属层包括铝合金或钥。
5.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第三金属层包括铟锡氧化物。
6.根据权利要求I所述的方法，其中，所述氯化物分离出Cl—1。
7.根据权利要求I所述的方法，其中，所述氯化物包括KC1，HCl,LiCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, H2PtCl6，和CrCl3中的至少ー种。
8.根据权利要求I所述的方法，其中，所述氯稳定剂包括Zn化合物、Cd化合物、Pb化合物、Ba化合物和油酸中的至少ー种。
9.根据权利要求I所述的方法，其中，所述氯稳定剂包括ZnCl2,Zn(NO3)2,Zn(CH3COO)2， Zn (C17H35COO)2, C2H2O4Zn, Zn3(PO4)2, Zn (CO3), Cd(CH3COO)2, CdCl2, CdI2, Cd(NO3)2, Cd(CO3), Pb (CH3COO)2, C12H10O14Pb3, PbI4, Pb (NO3)2, Pb (C17H35COO)2, Ba (CH3COO)2, BaCO3, BaCl2, BaI2, Ba (NO3) 2 和 Ba (H2PO4) 2 中的至少ー种。
10.根据权利要求I所述的方法，其中，所述pH稳定剂分离出0H—。
11.根据权利要求I所述的方法，其中，所述pH稳定剂包括NaOH，KOH,LiOH, Ca(OH2)， Al (OH) 3，Mg (OH)2, Ba (OH)2, Co (OH)2, Cu (OH)2, Ni (OH)2, Zr (OH) 2 和 Zn (OH2)中的至少ー种。
12.根据权利要求I所述的方法，其中，所述水是通过离子交換树脂过滤的纯水。
13.根据权利要求2-4中的任意一项所述的方法，其中，所述铝合金是AINd。
14.根据权利要求I所述的方法，其中，在30至50摄氏度的温度下进行所述蚀刻。
15.根据权利要求14所述的方法,其中，蚀刻所述第一金属层的蚀刻持续时间基于所述第一金属层的厚度和材料类型。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，蚀刻所述第二金属层的蚀刻持续时间基于所述第二金属层的厚度和材料类型。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，蚀刻所述第三金属层的蚀刻持续时间基于所述第三金属层的厚度和材料类型。
全文摘要
使用用于去除导电材料的组合物制造阵列基板的方法。该组合物包括3wt％至15wt％的硝酸、40wt％至70wt％的磷酸、5wt％至35wt％的醋酸、0.05wt％至5wt％的氯化物、0.01wt％至5wt％的氯稳定剂、0.01wt％至5wt％的pH稳定剂、以及剩余量的水，该方法包括以下步骤通过使用所述组合物蚀刻第一金属层而在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；通过使用所述组合物蚀刻第二金属层而在所述半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成钝化层，该钝化层具有使所述漏极露出的接触孔；以及通过使用所述组合物蚀刻第三金属层而在所述钝化层上形成像素电极。
文档编号H01L21/302GK102605373SQ201110455538
公开日2012年7月25日 申请日期2006年6月15日 优先权日2005年6月28日
发明者宋桂灿, 曺三永, 李坰默, 申贤哲, 金南绪, 金钟一 申请人:乐金显示有限公司