1.一种铂纳米柱修饰的微电极阵列，其特征在于，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。
2.如权利要求1所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列，其特征在于，所述铂纳米柱修饰层的厚度为500nm～5μm，铂纳米柱的直径在50nm～500nm范围。
3.如权利要求1所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列，其特征在于，所述铂纳米柱修饰层具有三维纳米多孔结构。
4.如权利要求1所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列，其特征在于，所述铂纳米柱修饰层通过电沉积的方式设置。
5.一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供铂盐溶液，在所述铂盐溶液中加入适量的弱还原剂，混合混匀，得到电沉积溶液；
(2)以铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，待修饰的微电极为工作电极，与上述电沉积溶液形成三电极体系，并与电化学工作站相连接；
(3)在常温常压条件下，电沉积300-600s，所述微电极表面形成铂纳米柱修饰层，即得到铂纳米柱修饰的微电极阵列。
6.如权利要求5所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述铂盐溶液为硝酸铂、氯化铂、氯铂酸、六氯铂酸铵、氯铂酸钠、六氯铂酸钾和氯亚铂酸钾中的一种或多种。
7.如权利要求5所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述弱还原剂为甲酸、盐酸羟胺、柠檬酸、柠檬酸盐、抗坏血酸、抗坏血酸盐、对苯二酚、邻苯三酚及1,2,4苯三酚中的一种或多种。
8.如权利要求5所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述电沉积溶液中，所述铂盐的浓度为1mmol/L～20mmol/L，所述弱还原剂的浓度为1mmol/L～20mmol/L。
9.如权利要求5所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述电沉积的方式为恒电位沉积、恒电流沉积或脉冲电沉积。
10.如权利要求5所述的铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述铂纳米柱修饰层的厚度为500nm～5μm，铂纳米柱直径在50nm～500nm范围，所述铂纳米柱修饰层具有三维纳米多孔结构。