专利名称：晶片清洗设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶片清洗，尤其是涉及一种晶片清洗设备、特别是用于太阳能硅片的 清洗设备。
背景技术：
传统的硅片清洗机在清洗室和烘干室之间直接气体连通，硅片清洗之后被放到传 输部上运输入烘干室中。由于烘干室的进料口处非完全密封，大量的气体将很容易从清洗 室进入烘干室中，这时，含有大量清洗用化学品的气体将会造成已清洗完成的硅片表面的 污染，导致清洗不完全。另外，由于烘干室的出料口处也非密封，因此，外部空气也很容易进 入烘干室中污染硅片表面。
发明内容
有鉴于此，需要提供一种晶片清洗设备，该晶片清洗设备可以降低清洗室和外部 空气对后续干燥过程中对晶片造成的污染。根据本发明的实施例的晶片清洗设备，包括清洗室；烘干室，所述烘干室与所述 清洗室相邻设置；以及传输部，所述传输部贯穿所述烘干室而设置，用于将待清洗晶片从清 洗室传输至烘干室，其中所述烘干室进一步包括用于运入和运出所述待清洗晶片的进料 口和出料口，所述传输部通过进料口 ；至少一个进风口，所述进风口设置在所述传输部的上 方；与所述进风口相对应的至少一个加热器，用于加热供给的气体；设置在所述传输部与 进风口的相对一侧的抽风口，用于排出烘干室内的气体；和第一气体导流件，所述第一气 体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且位于抽风口的一侧、与所述传输部相 邻，用于阻止来自清洗室的气流从贯穿所述烘干室的传输部的上游处流入烘干室。根据本发明的晶片清洗设备，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化学用品的 气体进入烘干室中而降低对后续干燥过程中对晶片造成的污染，还可以降低外部空气在后 续干燥过程中对晶片造成的污染，清洗效果好，设备结构简单。根据本发明的实施例的晶片清洗设备还具有如下附加特征所述烘干室进一步包括至少一个与所述加热器相对设置的过滤器，用于过滤被 加热的气体。在本发明的一种实施方式中，所述第一气体导流件中的设置方向平行于所述传输 部的传输方向。烘干室中的被加热的气体形成的热风由于第一气体导流件的阻挡作用在传 输部的上游部分形成了一个封闭空间，阻断气流完全流向抽风口，以便于形成了流向清洗 室的气流，从而阻止气流从清洗室流向烘干室。在本发明的另一种实施方式中，所述第一气体导流件靠近上游的一端与所述传输 部的距离不小于所述第一气体导流件远离上游的另外一端与所述传输部的距离。这样，被 加热的气体在上游部分的上方向下运动到倾斜的第一气体导流件上时，由于反射作用而被 第一气体导流件反射到进料口处从而形成了流向清洗室的气流，使得在传输部的上游部分更为有效地阻止气流从清洗室流向烘干室，防止从清洗室流出的空气对待烘干的晶片的表 面产生玷污。在本发明的另一种实施方式中，所述第一气体导流件与传输部之间的夹角为5-30 度或者10-60度。所述烘干室进一步包括第二气体导流件，所述第二气体导流件设置在贯穿所述 烘干室的传输部的上游处且在竖直方向上位于抽风口的一侧，所述第二气流导流件垂直于 所述传输部的传输方向。第二气体导流件的设置，也是为形成从烘干室流向清洗室的气流， 从而达到阻止清洗室流入烘干室的气流，防止清洗室中的脏气流进入烘干室带来对晶片表 面的玷污。所述烘干室进一步包括第三气体导流件，所述第三气体导流件设置在贯穿所述 烘干室的传输部的下游处且竖直方向上位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻，用于阻止 烘干室外部的气流从贯穿所述烘干室的传输部的下游处流入烘干室。这样，烘干室中的被 加热的气体形成的热风由于第三气体导流件的阻挡作用在传输部的下游部分形成了一个 封闭空间，阻断气流完全流向抽风口，以便于形成了流向出料口的气流，从而可阻止气流从 外部流向烘干室进而玷污烘干室中的待烘干晶片。所述第三气体导流件中的设置方向平行于所述传输部的传输方向。所述第三气体导流件靠近下游的一端与所述传输部的距离不小于所述第三气体 导流件远离下游的另外一端与所述传输部的距离。这样，被加热的气体在下游部分的上方 向下运动到倾斜的第三气体导流件上时，由于反射作用而被第三气体导流件反射到出料口 处从而形成了流出烘干室的气流，使得在传输部的下游部分更为有效地阻止气流从外部流 入烘干室，防止从外界空气对待烘干的晶片的表面产生玷污。在本发明的另一种实施方式中，所述第三气体导流件与传输部之间的夹角为5-30 度或者10-60度。所述烘干室进一步包括第四气体导流件，所述第四气体导流件设置在贯穿所述 烘干室的传输部的下游处且位于抽风口的一侧，且所述第四气体导流件中的设置方向垂直 于所述传输部的传输方向。第四气体导流件的设置，也是为形成从烘干室流向出料口的气 流，从而达到阻止从外部流入烘干室的气流，防止外部空气进入烘干室带来对晶片表面的 玷污。在本发明的再一种实施方式中，所述第一气体导流件中的设置方向垂直于所述传 输部的传输方向。贯穿所述烘干室的传输部的上游处的上方设置有进风口。贯穿所述烘干室的传输部的上游处的上方设置有加热器。贯穿所述烘干室的传输部的下游处的上方设置有进风口。贯穿所述烘干室的传输部的下游处的上方设置有加热器。所述烘干室设有3-4个进风口，分别设置在所述烘干室的顶部或者侧上方。所述抽风口处设置有抽风机，所述抽风机用于将抽送的气体返回到所述进风口 处。所述烘干室进一步设置有压缩气体供给口，用于向所述烘干室内供给压缩气体， 以保持烘干室内气体量的平衡，所述压缩气体可以为压缩空气、氮气或者不与晶片反应的任何其他气体。本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变 得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变 得明显和容易理解，其中图1为根据本发明的晶片清洗设备的烘干室的实施例一的第一个示例的内部示 意图，其中，第一气体导流件241的设置方向与沿纵向方向平行；图2为图1中所示的烘干室的实施例一的第二个示例的内部示意图，其中，第一气 体导流件241的设置方向倾斜；图3为图1中所示的烘干室的实施例一的第三个示例的内部示意图，其中，第一气 体导流件241的设置方向垂直；图4为根据本发明的晶片清洗设备的烘干室的实施例二的内部示意图；图5为根据本发明的晶片清洗设备的烘干室的实施例三、四的内部示意图，其中， 第三气体导流件243的设置方向与纵向方向平行；图6为图5中所示的烘干室的实施例三、四的内部示意图，其中，第三气体导流件 243的设置方向倾斜；以及图7为根据本发明的晶片清洗设备的结构示意图。
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终 相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附 图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。在本发明的描述中，术语“内”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方位或 位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明 必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，术语 “横向”指的是垂直于图纸面的方向，“纵向”指的是沿传输部的传输方向，而“竖向”指的是 图中上下方向。另外，附图中的箭头表示气体流向。下面将参考图1-图7来说明根据本发明的晶片清洗设备。如图1-图6所示，根据本发明的实施例的晶片清洗设备，包括清洗室1、与清洗室 1相邻设置的烘干室2和传输部3。其中，传输部3贯穿烘干室2而设置，用于将待清洗晶 片从清洗室1传输至烘干室2。其中，晶片8放在在承载篮7上，而承载篮7放在清洗框6 中，该清洗框6被传输部3从清洗室1运输到烘干室2中。如图1-7所示，烘干室2包括用于运入和运出待清洗晶片8的进料口 27和出料口 28、至少一个进风口 21、与进风口 21相对应的至少一个加热器22、抽风口 23和气体导流 件。贯穿烘干室2的传输部通过进料口 27进入烘干室2，而后通过出料口 28。在本发 明的一个示例中，传输部可以为在烘干室2中进行循环运动的传输带3，因此，置有清洗后待烘干的晶片8的清洗框6被放置在传输带3的上层传输带31上，并从清洗室1中被运输 入烘干室2中，而后晶片8被烘干后被运出烘干室2并出料。至少一个进风口 21设置在传输部3的上方，例如可以为1个。在本发明的一个示 例中，进风口 21设置在贯穿烘干室2的传输部3的上游处的上方。而在本发明的另一个示 例中，进风口 21设置贯穿烘干室2的传输部3的下游处的上方。进风口 21例如也可以为 3-4个，分别设置在烘干室2的顶部或者侧上方。至少一个加热器22设置在传输部的上方且位于进风口 21的下方用于加热烘干室 2内从进风口 21供给的气体。在本发明的一些示例中，加热器设置在贯穿烘干室2的传输 部3的上游处的上方。在本发明的另一些示例中，加热器设置在贯穿烘干室2的传输部3 的下游处的上方。抽风口 23设置在所述传输部与进风口 21的相对一侧，即图中以进料口为界分成 的上下两侧中的下侧。抽风口 23处设置有抽风机(图未示)，该抽风机用于排出烘干室2 内的气体并又送至进风口，从而使得热风在烘干室2中内部循环。在本发明的一个示例中，烘干室2中还进一步包括至少一个与加热器22相对设置 的过滤器25。至少一个过滤器25与至少一个加热器22均相对应，且过滤器25设在加热器 的正对下方用于过滤吹到晶片上的被加热的气体。另外，可选地，在烘干室2上还形成有压缩气体供给口 26，从而可采用压缩气体对 烘干室2内进行补风，以保持烘干室2内气体量的平衡。所述压缩气体可以为压缩空气、氮 气或者不与晶片反应的任何其他气体。压缩气体供给口 26例如可以设置在烘干室2的下 部且位于传输部3的下方，也可以设置在烘干室2的上部且位于过滤器25上方。下面将通过四个实施例来进行具体说明气体导流件的设置。实施例一在本实施例中，设置有第一气体导流件241，如图1-图3所示。第一气体导流件241设置在贯穿烘干室2的传输部3的上游处且在竖直方向上位 于抽风口 23的一侧、与传输部3相邻，例如图中位于进料口 27下方且传输部3的旁边，用 于阻止来自清洗室1的气流从贯穿烘干室2的传输部3的上游处流入烘干室2。这样，烘干 室2中的被加热的气体形成的热风由于第一气体导流件241的作用在传输部3的上游部分 形成了一个封闭空间，以便于形成了流向清洗室1的气流，从而阻止气流从清洗室1流向烘 干室2。在本发明的第一个示例中，第一气体导流件241中的设置方向平行于传输部3的 传输方向(即纵向方向)，如图1所示。在本发明的第二个示例中，第一气体导流件241靠近上游的一端与传输部3的距 离不小于第一气体导流件241远离上游的另外一端与传输部3的距离，由此，在第一气体导 流件241与纵向方向水平线之间形成了一个锐角夹角α，如图2所示，这样，被加热的气体 在上游部分的上方向下运动到倾斜的第一气体导流件241上时，由于反射作用而被第一气 体导流件241反射到进料口 27处从而形成了流向清洗室1的气流，使得在传输部3的上游 部分更为有效地阻止气流从清洗室1流向烘干室2，防止从清洗室1流出的空气对待烘干的 晶片8的表面产生玷污。根据本发明的一个实施例，该夹角α的范围可为5-30度。根据 本发明的另外一个实施例，所述角度α可以为10-60度。
当然，在本发明的第三个示例中，第一气体导流件241中的设置方向垂直于传输 部3的传输方向，如图3所示。另外，在本实施例中，压缩气体供给口 26是可选地，可采用压缩气体对烘干室2内 进行补风，以保持烘干室2内气体量的平衡。实施例二 在本实施例中，除了第一气体导流件241外，烘干室2还进一步包括第二气体导流 件242，如图4所示。第二气体导流件242设置在贯穿烘干室2的传输部3的上游处且位于抽风口 23的 一侧，即图4中位于进料口 27下方且传输部3的旁边，第二气流导流件垂直于传输部3的 传输方向。在本实施例中，第一气体导流件241和第二气体导流件242可以同时采用，也可以 只采用其中的一个，目的均为形成从烘干室2流向清洗室1的气流，从而达到阻止清洗室1 流入烘干室2的气流，防止清洗室中的脏气流进入烘干室2带来对晶片表面的玷污。但值 得注意的是，前述实施例一的第三个示例中的垂直于传输部3的传输方向设置的第一气体 导流件241单独采用即可，而不需要同时采用第二气体导流件242。同实施例一，在本实施例中，压缩气体供给口 26是可选的。实施例三在本实施例中，在前述实施例一、二的基础上，烘干室2进一步包括第三气体导流 件243，如图5和图6所示。第三气体导流件243设置在贯穿烘干室2的传输部3的下游处且在竖直方向上位 于抽风口 23的一侧、与传输部3相邻，即位于出料口 28下方且传输部3的旁边，用于阻止 烘干室2外部的气流从贯穿烘干室2的传输部3的下游处流入烘干室2。这样，烘干室2中 的被加热的气体形成的热风由于第三气体导流件243的作用在传输部3的下游部分形成了 一个封闭空间，以便于形成了流向出料口 28的气流，从而可阻止气流从外部流向烘干室2 进而玷污烘干室2中的待烘干晶片8。在本发明实施例的一个示例中，第三气体导流件243中的设置方向平行于传输部 3的传输方向。如图5所示。在本发明实施例的另一个示例中，第三气体导流件243靠近下游的一端与传输部 3的距离不小于第三气体导流件243远离下游的另外一端与传输部3的距离，如图6中所 示。由此，在第三气体导流件243与纵向方向水平线之间形成了一个夹角β，如图6所示， 这样，被加热的气体在下游部分的上方向下运动到倾斜的第三气体导流件243上时，由于 反射作用而被第三气体导流件243反射到出料口 28处从而形成了流出烘干室2的气流，使 得在传输部3的下游部分更为有效地阻止气流从外部流入烘干室2，防止从外界空气对待 烘干的晶片8的表面产生玷污。根据本发明的一个实施例，该夹角β的范围可为5-30度。 根据本发明的另外一个实施例，所述夹角β可以为10-60度。在本实施例中，在烘干室2上形成有压缩气体口 26，从而可采用压缩气体对烘干 室2内进行补风，以保持烘干室2内气体量的平衡。实施例四在本实施例中，在前述实施例三的基础上，烘干室2还进一步包括第四气体导流件244，如图5-图6所示。第四气体导流件244设置在贯穿烘干室2的传输部3的下游处且在竖直方向上位 于抽风口 23的一侧，即图中位于出料口 28下方且传输部3的旁边。第四气体导流件244 中的设置方向垂直于传输部3的传输方向。在本实施例中，第三气体导流件243和第四气体导流件244可以同时采用，也可以 只采用其中的一个，目的均为形成从烘干室2流向外部的气流，从而达到阻止外部空气反 流入烘干室2的气流，防止外部空气进入烘干室2带来对晶片表面的玷污。在本实施例中，在烘干室2上形成有压缩气体口 26，从而可采用压缩气体对烘干 室2内进行补风，以保持烘干室2内气体量的平衡。在本发明的上述多个实施例中，实施例三和四可更有效地过滤烘干室2内的空 气，可用于清洗室1内的气体中含有大量清洗用化学用品或烘干室2外部空气较脏的情况。 而对于烘干室2外部空气较为干净的情况下，采用实施例一和实施例二即可达到效果。下面以实施例四为例来说明根据本发明的晶片清洗设备的烘干室中的工作过程， 其中，以第一和第三气体导流件的设置方向倾斜为例来进行说明。如图7所示，首先，当待烘干的晶片8通过承载篮7和放置承载篮7的清洗框6放 到传输带3的上层传输带31上，并从清洗室1中被运输入烘干室2中。然后，气体由进风口 21供入烘干室2中，并由加热器22进行加热，同时，通过过滤 器进行过滤，以对带烘干的晶片8进行烘干作业。同时，被加热的气体形成的热风由于第一气体导流件241的作用在传输部3的上 游部分形成了一个封闭空间，并且由于第三气体导流件243的作用在传输部3的下游部分 形成了一个封闭空间，这样，在传输部3的上游部分和下游部分分别形成了流向清洗室1的 气流和流向出料口 28的气流，从而阻止了清洗室中含有化学品的气流从清洗室1流向烘干 室2，同时阻止了外部空气流入烘干室2中，由此，避免了对烘干室2内晶片的污染。最后，晶片8在烘干后被运出烘干室2并出料。此外，如图7所示，根据本发明的晶片清洗设备还可以包括上料台5和下料台5。 其中，上料台5相邻于清洗室1且位于清洗室的上游，用于向清洗室内供给待清洗晶片。而 下料台5与烘干室2相邻且位于烘干室的下游，用于输出已清洗及烘干的晶片。根据本发明的晶片清洗设备，可以避免清洗室中含有大量清洗用化学用品的气体 进入烘干室中而降低对后续干燥过程中对晶片造成的污染，还可以降低外部空气在后续干 燥过程中对晶片造成的污染，清洗效果好，设备结构简单。根据本发明的晶片清洗设备，例 如可用来清洗硅片。任何提及“ 一个实施例”、“实施例”、“示意性实施例，，等意指结合该实施例描述的 具体构件、结构或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处的该示意性 表述不一定指的是相同的实施例。而且，当结合任何实施例描述具体构件、结构或者特点 时，所主张的是，结合其他的实施例实现这样的构件、结构或者特点均落在本领域技术人员 的范围之内。尽管参照本发明的多个示意性实施例对本发明的具体实施方式
进行了详细的描 述，但是必须理解，本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例，这些改进和实施 例将落在本发明原理的精神和范围之内。具体而言，在前述公开、附图以及权利要求的范围之内，可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进，而不会脱 离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进，其范围由所附权利要求及其 等同物限定。
权利要求
一种晶片清洗设备，包括清洗室；烘干室，所述烘干室与所述清洗室相邻设置；以及传输部，所述传输部贯穿所述烘干室而设置，用于将待清洗晶片从清洗室传输至烘干室，其中所述烘干室进一步包括用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口，所述传输部通过进料口；至少一个进风口，所述进风口设置在所述传输部的上方；与所述进风口相对应的至少一个加热器，用于加热供给的气体；设置在所述传输部与进风口的相对一侧的抽风口，用于排出烘干室内的气体；和第一气体导流件，所述第一气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻，用于阻止来自清洗室的气流从贯穿所述烘干室的传输部的上游处流入烘干室。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述烘干室进一步包括 至少一个与所述加热器相对设置的过滤器，用于过滤被加热的气体。
3.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述第一气体导流件靠近上游 的一端与所述传输部的距离不小于所述第一气体导流件远离上游的另外一端与所述传输 部的距离。
4.根据权利要求1或3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述烘干室进一步包括 第二气体导流件，所述第二气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且在竖直方向上位于抽风口的一侧，所述第二气流导流件垂直于所述传输部的传输方向。
5.根据权利要求1或3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述烘干室进一步包括 第三气体导流件，所述第三气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的下游处且竖直方向上位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻，用于阻止烘干室外部的气流从贯穿所述 烘干室的传输部的下游处流入烘干室。
6.根据权利要求5所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述第三气体导流件靠近下游 的一端与所述传输部的距离不小于所述第三气体导流件远离下游的另外一端与所述传输 部的距离。
7.根据权利要求1或3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述烘干室进一步包括 第四气体导流件，所述第四气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的下游处且位于抽风口的一侧，且所述第四气体导流件中的设置方向垂直于所述传输部的传输方向。
8.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述第一气体导流件中的设置 方向垂直于所述传输部的传输方向。
9.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，贯穿所述烘干室的传输部的上 游处的上方设置有进风口。
10.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，贯穿所述烘干室的传输部的上 游处的上方设置有加热器。
11.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，贯穿所述烘干室的传输部的下 游处的上方设置有进风口。
12.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，贯穿所述烘干室的传输部的下 游处的上方设置有加热器。
13.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述烘干室设有3-4个进风口， 分别设置在所述烘干室的顶部或者侧上方。
14.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述抽风口处设置有抽风机， 所述抽风机用于将抽送的气体返回到所述进风口处。
15.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述烘干室进一步设置有 压缩气体供给口，用于向所述烘干室内供给压缩气体。全文摘要
本发明公开了一种晶片清洗设备，包括清洗室；与所述清洗室相邻设置的烘干室；以及贯穿所述烘干室的传输部，其中烘干室进一步包括进料口和出料口；至少一个进风口，设置在传输部的上方；与进风口相对应的至少一个加热器；设置在所述传输部与进风口的相对一侧的抽风口；和第一气体导流件，所述第一气体导流件设置在传输部的上游处且位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻。根据本发明的晶片清洗设备，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化学用品的气体进入烘干室中而降低对后续干燥过程中对晶片造成的污染，还可以降低外部空气在后续干燥过程中对晶片造成的污染，清洗效果好，设备结构简单。
文档编号B08B3/00GK101887844SQ20101020905
公开日2010年11月17日 申请日期2010年6月17日 优先权日2010年6月17日
发明者王敬, 翟志华 申请人:王敬;江西旭阳雷迪高科技股份有限公司