专利名称：半导体晶片的裂片工具的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体晶片加工中将晶片进行裂解的工具。 技术背景随着半导体行业的迅速发展，拥有一种能够保证良好的晶粒外观的作业方式，是 去除影响产量提高的贫瘠，保证产品的信赖性，增加企业形象，增强企业竞争力不可或缺的 技术攻关。GPP晶片采用刀片切割，在保证切割外观良好的前提下，切割的最大速度=50mm/ s。对于大晶粒尺寸的晶片例如140mil，切割速度=20mm/s，切割效率偏低。而采用激光 半切透，激光切割的速度=160mm/s。其二，对于0/J的晶片若采用刀片切割完全切透的方 式，由于刀片刀刃处呈现梯形的坡度，造成晶粒侧面P/N结呈现波度，影响晶粒电压以及电 性的稳定性。其三，采用刀片切割造成兰膜的浪费，水、气的浪费。在微电子行业半导体制程中，对于0/J晶片(没有沟槽的类型晶片)采用刀片半 切透状态后，或GPP晶片(具有玻璃钝化保护P/N结的类型晶片)在激光切割硅片后，对 呈现半切透状态的硅片采用被切割面朝下，在相反的一面施加垂直于晶片均勻的力进行裂 片，已达到将整个硅片分割成符合要求的单个小晶粒的目的。为此，我们将晶片放置在弹性 承托板上，再将晶片上覆盖一层膜，然后，用胶棒对晶片来回碾压，着力点对准晶片上沟槽 部位。但使用中，我们发现晶片在胶棒往复碾压过程中，分裂下来的晶粒会出现水平位移， 造成错位。
实用新型内容本实用新型的目的在于避免晶粒出现水平位移的半导体晶片的裂片工具。本实用新型的技术方案是包括一弹性的晶片承托板，以及滚碾晶片使晶片分裂 为若干晶粒的硬质胶棒，所述晶片承托板上设有容纳晶片的凹槽，所述凹槽的深度小于晶 片厚度。所述晶片承托板下还设有底板。本实用新型在晶片承托板上设置了一个浅凹槽，相当于给晶片整体的边缘设置了 一个定位阻拦台阶。这样，无论从那个方向对晶片进行碾压，也不会造成晶粒的串动、错位。 在晶片承托板下部设置底板，是为便于操作者转动晶片承托板，按90°角度转动，适应纵横 交错的沟槽，也更符合操作者用力习惯。
图1是本实用新型的结构示意图图中1是晶片承托板，2是凹槽，3是沟槽，4是晶粒，5是胶棒，6是晶片，7是底板。图2是图1的俯视图具体实施方式
本实用新型如图1、2所示，包括一弹性的晶片承托板1，以及滚碾晶片6使晶片6 分裂为若干晶粒4的硬质胶棒5，所述晶片承托板1上设有容纳晶片6的凹槽2，所述凹槽 2的深度小于晶片6厚度。所述晶片承托板1下还设有底板7。本实用新型使用方法如下1)、将晶片6置入凹槽2内，再施加其它工艺手段；2)、采用胶棒5沿晶片6上的沟槽3进行滚碾，横向沟槽3滚碾完毕后，转动晶片 承托板1，对纵向沟槽再进行滚碾，直至晶片6沿沟槽3分裂为若干晶粒4。
权利要求1.半导体晶片的裂片工具，包括一弹性的晶片承托板，以及滚碾晶片使晶片分裂为若 干晶粒的硬质胶棒，其特征在于，所述晶片承托板上设有容纳晶片的凹槽，所述凹槽的深度 小于晶片厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的裂片工具，其特征在于，所述晶片承托板下还 设有底板。
专利摘要半导体晶片的裂片工具。涉及半导体晶片加工中将晶片进行裂解的工具。避免晶粒出现水平位移。包括一弹性的晶片承托板，以及滚碾晶片使晶片分裂为若干晶粒的硬质胶棒，所述晶片承托板上设有容纳晶片的凹槽，所述凹槽的深度小于晶片厚度。本实用新型在晶片承托板上设置了一个浅凹槽，相当于给晶片整体的边缘设置了一个定位阻拦台阶。这样，无论从那个方向对晶片进行碾压，也不会造成晶粒的串动、错位。在晶片承托板下部设置底板，是为便于操作者转动晶片承托板，按90°角度转动，适应纵横交错的沟槽，也更符合操作者用力习惯。
文档编号B28D7/04GK201816147SQ20102053654
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月19日 优先权日2010年9月19日
发明者葛宜威, 裘立强 申请人:扬州杰利半导体有限公司