专利名称：激光烧结制备新型纳米陶瓷的制作方法
技术领域：
纳米复合陶瓷是近十年来新兴的研究领域，与单相纳米陶瓷不同，在纳米复合陶瓷中微米或亚微米基体晶粒与纳米增强相颗粒并存。SiC纳米颗粒是原子晶体，具有强度高、硬度大、耐磨、耐腐蚀等力学性能，主要用作复合陶瓷材料或结构涂层的改性添加相，可以使陶瓷材料的力学性能大大改善，不仅强度、韧性提高，还可明显改善材料的耐高温性能，同时提高材料的硬度、弹性模量、抗热震性和抗高温蠕变性。在激光烧结制备纳米陶瓷的过程中，激光与粉末材料的作用区域非常小，作用时间非常短，烧结过程中可以实现对纳米粉末局部区域超快速地加热升温和降温。从而有可能解决纳米块体烧结晶粒过分生长的问题，也可以利用快速成形机理，方便快捷地成形精密、异型、复杂的纳米材料制品或者部件。
背景技术：
光与材料的相互作用是一个复杂的微观物理过程，它包含光辐射与物质的原子及分子非连续的或量子化的能量交换作用，同时也涉及到不同材料在不同状态下的热学以及光学等基本性能参数。激光束光斑内呈高斯分布的能量密度使得在激光束作用下的粉体材料处于一个梯度温度场内，致使同一扫描面内不同位置的粉体材料形成不同的组织结构，在后续烧结中这些不同的组织结构会不断累积。本发明为激光烧结制备新型纳米陶瓷，选用镍包碳化钨(Ni/WC)复合粉体作为陶瓷基体材料，β型SiC纳米粉体作为增强相材料，以大功率C02激光器作为烧结能量源，进了纳米陶瓷的激光烧结制备试验，制备出新型纳米陶瓷。
发明内容
本发明的目的是选用镍包碳化钨激光烧结制备新型纳米陶瓷，填补国内外空白。制备方法本发明为激光烧结制备新型纳米陶瓷，选用镍包碳化钨(Ni/WC)复合粉体作为陶瓷基体材料，β型SiC纳米粉体作为增强相材料，以大功率C02激光器作为烧结能量源，进了纳米陶瓷的激光烧结制备试验，制备出新型纳米陶瓷。具有广阔的应用前景。该发明具有一定的创新性，将产生良好的经济效益和社会效益。
权利要求
1.本发明为激光烧结制备新型纳米陶瓷，选用镍包碳化钨(Ni/wc)复合粉体作为陶瓷基体材料，β型SiC纳米粉体作为增强相材料，以大功率C02激光器作为烧结能量源，进了纳米陶瓷的激光烧结制备试验，制备出新型纳米陶瓷。
2.根据权利要求I所述的，对于陶瓷要求属于纳米级别。
全文摘要
本发明激光烧结制备新型纳米陶瓷，选用镍包碳化钨(Ni/WC)复合粉体作为陶瓷基体材料，β型SiC纳米粉体作为增强相材料，以大功率CO2激光器作为烧结能量源，进了纳米陶瓷的激光烧结制备试验，制备出新型纳米陶瓷。该发明具有一定的创新性，具有广阔的应用前景。
文档编号C04B35/64GK102898138SQ201110210908
公开日2013年1月30日 申请日期2011年7月26日 优先权日2011年7月26日
发明者黄庆举 申请人:广东石油化工学院