一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法
【专利摘要】一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，属于功能材料【技术领域】。以不强于乙酸的钡盐、锶盐、铈盐以及钛酸丁酯为原料，先配制钡锶前驱液，然后加入铈盐形成钡锶铈前驱液，再加入PVP形成PVP钡锶铈前驱液，再加入乙二醇甲醚和钛酸丁酯形成铈掺杂BST前驱液，再加入乙酰丙酮并用冰乙酸定容形成BST溶胶；然后采用BST溶胶经多次匀胶、干燥、热解、预晶化及冷却得到多层非晶BST薄膜，最后经晶化处理得到铈掺杂钛酸锶钡薄膜。本发明解决了高浓度铈掺杂（铈掺杂浓度不低于钛离子浓度的5%）制备钛酸锶钡薄膜时所存在的水解问题，所制备的铈掺杂BST薄膜具有更低的漏电流密度和介电损耗，从而满足铈掺杂BST薄膜的微波应用。
【专利说明】一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于功能材料【技术领域】，涉及钛酸锶钡(BST)薄膜的制备方法，尤其是铈掺杂BST薄膜的制备方法。
【背景技术】
[0002]BST因其独特的介电性能在铁电存储器、热释电探测器及微波调谐器件如移相器等领域具有广泛的应用前景，特别是，BST薄膜因介电常数与电场之间的非线性关系显示高调谐性能，成为微波调谐器件的重要候选材料。
[0003]Cole 等在文献 I (Journal of applied physics, 2001, 89, 6336-6340)中明确指出，要实现BST薄膜的微波应用，BST薄膜必须具有低的介电损耗、高的调谐率、适中偏小的介电常数、低的漏电流密度、致密的ABO3钙钛矿显微结构、光滑无裂纹的表面形貌、热稳定性良好的膜-基界面等优异的综合介电性能和结构特征。然而，因铁电-顺电相变制约，纯BST薄膜的综合介电性能差，尤其损耗很高，远不能满足微波应用要求。掺杂可通过替代钙钛矿结构A位或B位的成分来改善结构，具有成分优化和结构改善的复合优势，成为一种可提高综合介电性能的有效途径。
[0004]文献2—Surface&coatings technology, 2012, 206, 4518-4524 研究表明，铺惨杂使薄膜呈层状或类外延生长、表面形貌显著改善、光滑致密、平均晶粒约30nm、表面粗糙度可减小到I纳米以下，从而使调谐率、介电常数和绝缘强度明显提高，因而铈掺杂被认为最有希望使BST薄膜获得优异的综合介电性能。但是，到目前为止，Ce掺杂偏重于1%左右的低浓度掺杂，有关高浓度掺杂的报道很少，因为高浓度掺杂BST薄膜难于制备，尤其是用液体法如溶胶-凝胶法(sol-gel)制备时存在的水解问题难以解决。
[0005]Ce掺杂浓度决定Ce3+离子进入ABO3钙钛矿结构取代A位离子或B位离子。Ce3+离子半径为 0.103nm,略小于 Sr2+(0.113nm)离子半径，小于 Ba2+(0.135nm)和大于 Ti4+(0.068nm)的离子半径，根据容差因子法则，两离子半径越接近取代的机率越大，故在低浓度铈掺杂时，Ce3+作为施主掺杂优先取代A位的Sr2+离子。由于铈掺杂擅长改善薄膜生长行为和形貌以及细化晶粒，前者使调谐率大幅度提高，后者使漏电流密度和介电损耗减小，因为细化晶粒能使显微结构致密、高电阻晶界增加和沿晶界传导的载流子路程延长。但是，当掺杂浓度较低时，由于Ce3+离子取代Sr2+离子，难以使介电常数降低，尤其难以使介电损耗减小到1%以下，从而制约了铈掺杂BST薄膜的微波应用。
[0006]电中和原理表明，两离子化合价变化越小越易取代。Ce3+离子的化合价与Sr2+、Ba2+和Ti4+离子均相差I价，因此，随着铈掺杂浓度增加，Ce3+离子将逐渐由施主掺杂转为受主掺杂取代B位的Ti4+离子。根据缺陷方程式，受主掺杂更有利于薄膜中载流子减少，从而减小漏电流密度和介电损耗。因此，高浓度铈掺杂可以同时取代A位和B位离子，大幅度降低漏电流密度和介电损耗，更加显著地提高BST薄膜的综合介电性能。
[0007]Sol-gel法制备薄膜具有成本低廉、薄膜均匀度高、化学计量比精确、操作简便、易于掺杂等优点，成为制备BST薄膜的一种重要手段，而制备稳定的溶胶是sol-gel法制备薄月吴的如提和关键。
[0008]对于常规sol-gel法制备铈掺杂BST溶胶，强酸铈盐如硝酸铈、氯化铈或硫酸铈因价格比乙酸铈低廉常被作为掺杂剂或前驱物，但这不可避免地存在水解问题。强酸铈盐难溶于乙酸而易溶于水，在铈掺杂BST溶胶制备过程中，需要在乙酸溶剂中加入去离子水作为助溶剂而得到广泛应用，但是，铈盐和钛酸丁酯的水解必然使溶胶含有铈和钛的氢氧化物沉淀。低浓度掺杂时虽然可以得到溶胶，只是因为少量去离子水对应的沉淀比较少，几乎微溶于乙酸而不易察觉，但在溶胶变为凝胶的过程中，微溶的沉淀终会因乙酸的减少而结晶，使凝胶含有沉淀物，严重恶化BST薄膜的结构和介电性能。高浓度铈掺杂时需加入大量去离子水作为助溶剂，发生强烈水解而产生大量沉淀，导致悬浊液，得不到溶胶。有关水解反应式分别为 Ce3++3H20 —Ce(OH)3 I +3H+及 Ti (C4H9O) 4+4H20 — Ti (OH) 4 I +4C4H90H，其中，Ti (C4H9O)4为钛酸丁酯，C4H9OH为正丁醇。因此，用强酸铈盐作为掺杂剂制备高浓度铈掺杂BST溶胶不可行。
[0009]BST薄膜的结构及介电性能除了与高质量的稳定溶胶密切有关外，薄膜制备工艺也至关重要，决定薄膜的生长行为、表面形貌、晶体结构、显微结构等，从而决定介电性能。预晶化作为sol-gel法制备薄膜的一个重要改进步骤(详见文献3:《一种纳米晶BST薄膜的制备方法》，ZL2009102164077)，制备高质量BST薄膜发挥了巨大作用。
【发明内容】
[0010]本发明提供一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，该方法能够避免常规高浓度铈掺杂(铈掺杂浓度不低于钛离子浓度的5%)制备钛酸锶钡薄膜时所存在的水解问题，所制备的铈掺杂钛酸锶钡薄膜具有更低的漏电流密度和介电损耗，从而满足铈掺杂BST薄膜的微波应用。
[0011]本发明技术方案如下:
[0012]一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法`，包括以下步骤:
[0013]步骤1:以酸性不强于乙酸的钡盐、锶盐、铈盐以及钛酸丁酯为原料，首先按Ba:Sr:Ti=(l-x): x:1的摩尔比分别称取钡盐、锶盐和钛酸丁酯，其中I ;然后将钡盐和锶盐热冰乙酸形成钡锶前驱液；接着在钡锶前驱液中加入相当于5%~20%钛原子摩尔数的铈盐，搅拌形成钡锶铈前驱液；再在钡锶铈前驱液加入相当于0.6%~0.8%钛原子摩尔数的平均分子量为30000的聚乙烯吡咯烷酮，搅拌形成PVP钡锶铈前驱液；最后在PVP钡锶铈前驱液中加入乙二醇甲醚，搅拌均匀后加入钛酸丁酯，继续搅拌形成铈掺杂BST前驱液，其中乙二醇甲醚的用量为每百分之一摩尔的钛酸丁酯采用40~50毫升。
[0014]步骤2:在步骤I所配制的铈掺杂BST前驱液中按每百分之一摩尔的钛酸丁酯加入40~50毫升的比例加入乙酰丙酮，然后采用冰乙酸定容，连续搅拌下最终配制成铈掺杂浓度为5%~20%、摩尔浓度为0.25摩尔/升的BST溶胶。
[0015]步骤3:采用步骤2所配制的BST溶胶滴在基片上，分别经匀胶、干燥、热解、预晶化热处理及冷却处理后得到第一层非晶BST薄膜。
[0016]步骤4:重复步骤3，直至得到所需层数的非晶BST薄膜。
[0017]步骤5:对步骤4所得非晶BST薄膜进行晶化处理，晶化处理温度为650°C，晶化处理时间不低于60分钟，晶化处理完毕后自然冷却得到最终的铈掺杂钛酸锶钡薄膜。[0018]需要说明的是:
[0019]1、步骤1中所述酸性不强于乙酸的钡盐为乙酸钡或碳酸钡，所述酸性不强于乙酸的锶盐为乙酸锶或碳酸锶，所述酸性不强于乙酸的铈盐为乙酸铈或碳酸铈。
[0020]2、步骤1和步骤2中有关前驱液及溶胶的制备在80°C的酸性条件下进行，不能加入去离子水等水溶剂，以防止水解。
[0021]3、步骤3匀胶时，先以3500~4000转/分钟的转速甩胶5秒，再以4500~5000转/分钟的转速甩胶30秒；步骤3干燥时，干燥温度为110°C，干燥时间为5分钟；步骤3热解时，热解温度为350°C，热解时间为10分钟；步骤3预晶化热处理时，预晶化温度为600~650 V，预晶化时间为10分钟。
[0022]本发明提供的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，解决了常规高浓度铈掺杂(铈掺杂浓度不低于钛离子浓度的5%)制备钛酸锶钡薄膜时所存在的水解问题，所制备的铈掺杂钛酸锶钡薄膜具有更低的漏电流密度和介电损耗(低于0.72%)，从而满足铈掺杂BST薄膜的微波应用，尤其是高频应用。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是本发明流程示意图。
[0024]图2掺杂浓度对以乙酸铈为掺杂剂的BST薄膜在室温和1OOkHz下测试的电容的影响。
[0025]图3掺杂浓度对以乙酸铈为掺杂剂的BST薄膜在室温和1OOkHz下测试的介电常数的影响。
[0026]图4掺杂浓度对以乙酸铈为掺杂剂的BST薄膜在室温和1OOkHz下测试的调谐率的影响。
[0027]图5掺杂浓度对以乙酸铈为掺杂剂的BST薄膜在室温和1OOkHz下测试的介电损耗的影响。
[0028]图6掺杂浓度对以乙酸铈为掺杂剂的BST薄膜在室温和1OOkHz下测试的优质因子的影响。
【具体实施方式】
[0029]下面结合实例对本发明进行具体说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0030]实施例1:以乙酸铈为掺杂剂制备铈掺杂浓度为1%的6层Baa6Sra4TiO3薄膜
[0031]步骤1:按Ba、Sr和Ti的原子摩尔比0.6:0.4:1分别称取乙酸钡、乙酸锶和钛酸丁酯0.012,0.008和0.02摩尔；将乙酸钡和乙酸锶加入盛250~300毫升热冰乙酸的烧杯中形成钡锶前驱液；加入l%Ti原子摩尔数的乙酸铈，搅拌25~30分钟后形成钡锶铈前驱液；再加入0.6%Ti原子摩尔数的PVP搅拌20~30分钟后形成PVP钡锶铈前驱液。
[0032]步骤2:在PVP钡锶铈前驱液中加入80~100毫升乙二醇甲醚并搅拌15~20分钟后加入钛酸丁酯，搅拌25~30分钟后形成铈掺杂BST前驱液。
[0033]步骤3:在铈掺杂BST前驱液中加入80~100毫升乙酰丙酮，搅拌5~6小时后制得均匀、透明、稳定的铈掺杂浓度为1%、摩尔浓度为0.25摩尔/升的BST溶胶。
[0034]步骤4:将制备的溶胶滴在Si/Si02/Ti/Pt基片上，分别经匀胶、干燥、热解、预晶化及冷却后得第一层薄膜，随后在第一层薄膜上重复该5个步骤得第二层薄膜，如此重复6次得6层非晶薄膜；
[0035]步骤5:将该非晶薄膜在马弗炉里加热到650°C并保温60分钟后自然冷却到室温得铈掺杂浓度为1%的晶化BST薄膜。
[0036]说明:
[0037]步骤I~3中有关溶胶制备均在约80°C恒温酸性条件下进行。[0038]步骤4中的匀胶在CKF-411型净化匀胶机上进行，先以3500~4000转/分甩胶5秒，再以4500~5000转/分甩胶30秒，干燥、热解和预晶化分别加热到110°C、350°C和600°C~650°C后保温5分钟、10分钟和10分钟。
[0039]若制备其它层数的薄膜，只需将步骤4中的5个步骤重复相应的次数即可。
[0040]实施例2:以乙酸铈为掺杂剂制备铈掺杂浓度为20%的6层Baa6Sra4TiO3薄膜
[0041]实施步骤如下:
[0042]与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤1、步骤3和步骤5中的“1%”替换为“20%”即可。
[0043]同理，制备其它掺杂浓度如“0%”的铈掺杂Baa6Sra4TiO3薄膜即纯Baa6Sra4TiO3薄膜，只需将骤I中“加入l%Ti原子摩尔数的乙酸铈，搅拌25~30分钟后形成钡锶铈前驱液”删去，同时将步骤中有关“铈”、“铈掺杂”及“铈掺杂浓度为1%”等删去即可。
[0044]实施例1和实施例2表明，以乙酸铈为掺杂剂，铈掺杂浓度为0%~20%的BST溶胶和薄膜均可成功制备。
[0045]实施例3:以碳酸铈为掺杂剂制备铈掺杂浓度为1%的6层Baa6Sra4TiO3薄膜
[0046]实施步骤如下:
[0047]与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤I中有关“乙酸铈”替换为“碳酸铈”即可。
[0048]实施例4:以碳酸铈为掺杂剂制备铈掺杂浓度为20%的6层Baa6Sra4TiO3薄膜
[0049]实施步骤如下:
[0050]与“实施例3的步骤”基本相同，只是将步骤1、步骤3和步骤5中的“1%”替换为“20%”即可。
[0051]实施例3和4表明，以酸性弱于乙酸的铈盐如碳酸铈为掺杂剂，和以乙酸铈为掺杂剂一样，均能成功制备铈掺杂浓度为0%~20%的BST溶胶和薄膜。
[0052]实施例5:以硝酸铈为掺杂剂和以去离子水为助溶剂制备铈掺杂浓度为1%的6层Baa6Sr0 4TiO3 薄膜
[0053]实施步骤如下:
[0054]与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤I中“250~300毫升热冰乙酸”替换为“5~10毫升去离子水和250~300毫升热冰乙酸”和将步骤I中“乙酸铈”替换为“硝酸铈”即可。
[0055]实施例6:以硝酸铈为掺杂剂和以去离子水为助溶剂制备铈掺杂浓度为4%的6层Baa6Sr0 4TiO3 薄膜
[0056]实施步骤如下:
[0057]与“实施例5的步骤”基本相同，只是将步骤I中“5~10毫升去离子水”替换为“20~40毫升去离子水”和将步骤I中的“ 1%”替换为“4%”即可。
[0058]实施例5和6表明，以酸性强于乙酸的铈盐如硝酸铈为掺杂剂，由于强酸盐不溶于弱酸即硝酸铈不溶于乙酸，必须添加一定量的去离子水助溶硝酸铈，但伴随着水解反应而生成Ce (OH) 3和Ti (OH) 4沉淀。结果表明，当铈掺杂浓度不高于4%时，生成的沉淀可微溶于乙酸，能获得溶胶及薄膜。但是，当掺杂浓度高于4%时，生成的沉淀显而易见，不能获得溶胶及薄膜，如实施例7的结果所示。
[0059]实施例7:以硝酸铈为掺杂剂和以去离子水为助溶剂制备铈掺杂浓度为5%的Baa6Sra4TiO3 溶胶
[0060]实施步骤如下:
[0061]与“实施例5的步骤”基本相同，只是将步骤I中“5~10毫升去离子水”替换为“25~50毫升去离子水”和将步骤I中的“ 1%”替换为“5%”即可。
[0062]如实施例5和6的分析，前驱液中产生大量沉淀，不能获得溶胶和薄膜。大于4%的其它掺杂浓度也不能获得溶胶和薄膜。
[0063]同理，以三氯化铈代替乙酸铈也因强烈的水解而具有和以硝酸铈代替乙酸铈类似的结果。
[0064]其它实施例子不累述。
[0065]对上述实施例的结构和介电性能进行了表征和测试，概括如下:
[0066]1.结构特征
[0067]结构特征主要就薄膜厚度、相结构、生长行为、晶粒大小、表面形貌、粗糙度等进行表征，具体如下:
[0068]第一，实施例1和实施例2以乙酸铈为掺杂剂制备的铈掺杂浓度为0%~20%的BST薄膜
[0069]JEOL JSF-7500F型扫描电镜(SEM)表明，制备的6层薄膜的平均厚度约700nm。和掺杂浓度为0%即纯BST薄膜的厚度760nm相比，掺杂薄膜明显变薄，随掺杂浓度从1%增到20%，膜厚由710nm减到630nm，后面的分析表明这与薄膜的生长速度变慢、晶粒变细、致密度增加相关。
[0070]SXAM800型X射线衍射(XRD)表明，薄膜主要沿(110)晶面生长，晶化彻底，显示典型的ABO3钙钛矿结构。和纯BST薄膜相比，掺杂BST薄膜显示增强的晶化和减小的平均晶粒大小，且随着掺杂浓度的增加，晶格常数呈减小一增加一减小变化，表明掺杂的Ce3+离子先进入ABO3钙钛矿结构的A位取代Sr2+离子，再进入B位取代Ti4+离子，再进入A位取代Ba2+离子，和容差因子法则分析的结果相一致。
[0071]平均晶粒大小D由Scherrer公式D=0.9 λ / (Bcos Θ )求得，其中λ为X-射线的波长0.15405nm，B和Θ分别为(110)衍射峰对应的半高宽和衍射角。纯BST薄膜的平均晶粒大小为42nm，而掺杂薄膜的平均晶粒显著细化，随着掺杂浓度从1%增到20%由33nm减到 21nm。 [0072]SPI4000型原子力显微镜(AFM)表明，纯BST薄膜呈层状生长，生长速度快而不均匀、晶界不分明、晶粒间隙明显、平均粗糙度大于4nm。而掺杂薄膜均呈类外延生长、生长缓慢均匀、晶界明显、晶粒间隙小、光滑致密、无裂纹、无缩孔、平均粗糙度小于lnm，且随着掺杂浓度的增加而改善。[0073]另外，相结构和表面形貌随着薄膜层数增加而改善。
[0074]第二，实施例3和实施例4以碳酸铈为掺杂剂制备的铈掺杂浓度为1%~20%的BST薄膜
[0075]有关相结构和表面形貌与实施例1和实施例2对应的接近，并且以酸性不强于乙酸的其它铈盐为掺杂剂制备的BST薄膜的结构和形貌均相近，不累述。
[0076]第三，实施例5和实施例6以硝酸铈为掺杂剂制备的铈掺杂浓度为1%~4%的BST
薄膜
[0077]有关相结构和表面形貌比实施例1和实施例2对应的变差，有氧化物即杂相出现，随着掺杂浓度的增加而变差。
[0078]第四，实施例7以硝酸铈为掺杂剂制备的铈掺杂浓度> 5%的溶胶
[0079]由于强烈水解，不能获得溶胶和薄膜。
[0080]2.介电性能
[0081]主要就电容-电压特性、电流-电压特性、介电频率特性、介电温度特性等进行测试。测试电压为-40V~40V、测试频率为IkHz~IMHz、测试温度为_50°C~50°C。电容-电压特性用HP4284A LCR仪测试，电流-电压特性用HP4155B半导体分析仪测试。具体结果如下:
[0082]第一，实施例1和实施例2以乙酸铈为掺杂剂制备的铈掺杂浓度为0%~20%的BST薄膜
`[0083](I)电流-电压特性表明，漏电流密度随着电压绝对值的增大而非线性增大,纯BST薄膜在40V的最大漏电流密度5.4X 10_5A/cm2，而掺杂薄膜的漏电流密度呈百倍减小，随着掺杂浓度从1%增加到20%，漏电流密度从5.2X 10_7A/cm2减小到1.3X 10_8A/cm2。
[0084](2)在整个掺杂范围，介电频率特性和温度特性均很稳定。
[0085](3)电容-电压特性及相关性能优异，具体如下:
[0086]由图2可知，电容C随电压V呈非线性变化，曲线近乎沿横轴对称,OV对应最大值C0, ±40V对应最小值Ci4tl。
[0087]如图3所示,介电常数ε与电容C呈类似变化。ε由公式C= ε S/(4 π kd)求出，其中，k为静电力常数，d为薄膜厚度。
[0088]如图4所示，调谐率Tunability= (C0-C40) /C0X 100%,随电压的增加，与电容呈相反的变化，±40V对应最大值。
[0089]介电损耗Dielectric loss与电容呈类似的变化，OV对应最大值，如图5所示。
[0090]图6所示的优质因子FOM为调谐率与OV的最大损耗之比值，随电压变化与调谐率呈类似变化，±40V对应最大值。
[0091]几个关键电压点的典型介电性能值比较结果如表1所示:
[0092]表1掺杂浓度对以乙酸铈为掺杂剂的BST薄膜在室温和IOOkHz下测试的介电性能的影响，其中，电容、介电常数和介电损耗分别是在OV偏压下的最大值，而调谐率和优质因子分别是在40V下的最大值。
[0093]表1
[0094]
【权利要求】
1.一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，包括以下步骤: 步骤1:以酸性不强于乙酸的钡盐、锶盐、铈盐以及钛酸丁酯为原料，首先按Ba:Sr:Ti=(l-x):x:1的摩尔比分别称取钡盐、锶盐和钛酸丁酯，其中I ;然后将钡盐和锶盐热冰乙酸形成钡锶前驱液；接着在钡锶前驱液中加入相当于5%~20%钛原子摩尔数的铈盐，搅拌形成钡锶铈前驱液；再在钡锶铈前驱液加入相当于0.6%~0.8%钛原子摩尔数的平均分子量为30000的聚乙烯吡咯烷酮，搅拌形成PVP钡锶铈前驱液；最后在PVP钡锶铈前驱液中加入乙二醇甲醚，搅拌均匀后加入钛酸丁酯，继续搅拌形成铈掺杂BST前驱液，其中乙二醇甲醚的用量为每百分之一摩尔的钛酸丁酯采用40~50毫升； 步骤2:在步骤I所配制的铈掺杂BST前驱液中按每百分之一摩尔的钛酸丁酯加入40~50毫升的比例加入乙酰丙酮，然后采用冰乙酸定容，连续搅拌下最终配制成铈掺杂浓度为5%~20%、摩尔浓度为0.25摩尔/升的BST溶胶； 步骤3:采用步骤2所配制的BST溶胶滴在基片上，分别经匀胶、干燥、热解、预晶化热处理及冷却处理后得到第一层非晶BST薄膜； 步骤4:重复步骤3，直至得到所需层数的非晶BST薄膜； 步骤5:对步骤4所得非晶BST薄膜进行晶化处理，晶化处理温度为650°C，晶化处理时间不低于60分钟，晶化处理完毕后自然冷却得到最终的铈掺杂钛酸锶钡薄膜。
2.根据权利要求1所述的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤I中所述酸性不强于乙酸的钡盐为乙酸钡或碳酸钡，所述酸性不强于乙酸的锶盐为乙酸锶或碳酸锶，所述酸性不强于乙酸的铈盐为乙酸铈或碳酸铈。
3.根据权 利要求1所述的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤I和步骤2中有关前驱液及溶胶的制备在80°C的酸性条件下进行。
4.根据权利要求1所述的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3匀胶时，先以3500~4000转/分钟的转速甩胶5秒，再以4500~5000转/分钟的转速甩胶30秒。
5.根据权利要求1所述的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3干燥时，干燥温度为110°c，干燥时间为5分钟。
6.根据权利要求1所述的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3热解时，热解温度为350°C，热解时间为10分钟。
7.根据权利要求1所述的铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3预晶化热处理时，预晶化温度为600~650°C，预晶化时间为10分钟。
【文档编号】C04B35/622GK103880414SQ201410063515
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年2月25日 优先权日:2014年2月25日
【发明者】廖家轩, 李嶷云, 张高俊, 黄家奇, 张未芳, 徐自强, 尉旭波, 汪澎 申请人:电子科技大学